一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及显示装置，通过设计使半导体层、公共电极线、源漏金属层、公共电极层和像素电极层在衬底基板上的正投影在非开口区域具有共同的重叠区域，以使公共电极层和像素电极层之间在重叠区域处构成第一电容，公共电极层和源漏金属层之间在重叠区域处构成第二电容，半导体层与公共电极线之间在重叠区域处构成第三电容，进而使得第一电容、第二电容和第三电容并联后构成存储电容的一部份。在现有的开口区域内公共电极层和像素电极层形成已有的存储电容的基础上，通过在非开口区域增加并联的第一电容、第二电容和第三电容的方式，增大了阵列基板的存储电容，可以提高阵列基板的像素电压保持率，降低显示装置闪烁不良的问题。

Array substrate and display device

The invention discloses an array substrate and a display device, through design of the semiconductor layer, a common electrode wire, source and drain metal layer, a common electrode layer and the pixel electrode layer on a substrate is projected on a non open area with a common overlapping region in order to constitute the first capacitor in the overlap region between the common electrode layer and the pixel electrode layer, a common electrode layer between the source and drain metal layer in the overlap region is formed at the second capacitor between the semiconductor layer and the common electrode line in the overlap region composed of third capacitors, thus making the first capacitor, second capacitor and the third capacitor connected in parallel to form a part of the storage capacitor. Based on the opening area within the existing common electrode layer and the pixel electrode layer is formed on the storage capacitor, the first capacitor, increased in parallel with the non opening area of the second capacitor and the third capacitor, the storage capacitor array substrate, pixel array substrate voltage can improve the retention rate, reduce the display flicker the problem of bad.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)液晶显示技术的不断发展，具有低功耗、高分辨率、快速反应和高开口率的低温多晶硅(LTPS，LowTemperaturePoly-silicon)的TFT显示装置逐渐成为主流被广泛应用。在基于LTPS的TFT显示装置中，阵列基板中的存储电容主要存在于开口区域中像素电极和公共电极之间交叠的区域，在非开口区域即薄膜晶体管区域像素电极和公共电极无交叠，随着对产品分辨率和开口率要求的提高，会导致阵列基板中的像素间距(PixelPitch)越来越小，进而导致阵列基板的存储电容越来越小。在扫描频率降低后，一帧所需保持时间变长，对面板的保持能力要求更高，由于在同等大小的漏电流情况下，存储电容越小会导致像素电压的保持率越低，进而会导致闪烁(Flicker)等不良现象的产生，极大地降低了阵列基板的显示品质。因此，如何在不影响开口率的情况下提高阵列基板的存储电容，是本领域急需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及显示装置，用以解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠设置的半导体层、栅绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层、平坦层、公共电极层、钝化层和像素电极层，以及设置在所述衬底基板上的公共电极线；其中，所述半导体层、所述公共电极线、所述源漏金属层、所述公共电极层和所述像素电极层在所述衬底基板上的正投影具有共同的重叠区域；所述公共电极层和所述像素电极层之间在所述重叠区域处构成第一电容，所述公共电极层和所述源漏金属层之间在所述重叠区域处构成第二电容，所述半导体层与所述公共电极线之间在所述重叠区域处构成第三电容；所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容并联后构成存储电容的一部份。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次层叠设置的半导体层、栅绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层、平坦层、公共电极层、钝化层和像素电极层，以及设置在所述衬底基板上的公共电极线；其中，所述半导体层、所述公共电极线、所述源漏金属层、所述公共电极层和所述像素电极层在所述衬底基板上的正投影具有共同的重叠区域；所述公共电极层和所述像素电极层之间在所述重叠区域处构成第一电容，所述公共电极层和所述源漏金属层之间在所述重叠区域处构成第二电容，所述半导体层与所述公共电极线之间在所述重叠区域处构成第三电容；所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容并联后构成存储电容的一部份。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层具体包括：栅极、栅线和所述公共电极线；所述公共电极线与所述栅线大致平行；所述公共电极线和所述源漏金属层之间在所述重叠区域处构成第四电容；所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容和所述第四电容并联后构成存储电容的一部份。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述衬底基板与所述半导体层之间的金属屏蔽层；所述金属屏蔽层具体包括：屏蔽电极和所述公共电极线；所述栅金属层具体包括：栅极和栅线；所述公共电极线与...

【专利技术属性】
技术研发人员：贝亮亮，朱绎桦，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42