Storage devices and storage systems are provided. The memory device includes a memory cell array includes a plurality of memory cells; counting circuit, configured to count by performing operations on the read from the plurality of memory cell data counting results; and control logic configured to not involve memory controller based on the absence of the counting result to perform data recovery operation.
【技术实现步骤摘要】
存储装置和存储系统本申请要求于2016年4月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0048952号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
专利技术构思的至少一个示例实施例涉及一种存储装置,更具体地,涉及一种非易失性存储装置以及一种包括所述非易失性存储装置的存储系统。
技术介绍
存储装置用于存储数据,并可分为易失性存储装置和非易失性存储装置。易失性存储装置在供电中断时丢失其存储的数据。然而,非易失性存储装置即使在供电中断时也保留数据。作为非易失性存储装置的示例的闪存系统广泛应用于例如通用串行总线(USB)驱动器、数字照相机、移动电话、智能电话、平板电脑、个人计算机(PC)、存储卡或固态驱动器(SSD)中。包括在非易失性存储装置中的多编程存储单元的阈值电压可因诸如保持、浮栅耦合或随时间的电荷损失的各种原因而改变。这些改变可降低读取的数据的可靠性。由如上所述的各种原因引起的阈值电压的改变将在下面被称为“退化”。
技术实现思路
专利技术构思的至少一个示例实施例提供了一种存储装置和包括该存储装置的存储系统,在所述存储装置中如果在数据中生成不可 ...
【技术保护点】
一种存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;计数电路,配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果;以及控制逻辑,配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。
【技术特征摘要】
2016.04.21 KR 10-2016-00489521.一种存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,包括多个存储单元;计数电路,配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果;以及控制逻辑,配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,计数电路配置为基于第一数据和第二数据计算属于在第一读取电平和第二读取电平之间的分布区域的存储单元的数量,第一数据是基于第一读取电平读取的数据,第二数据是基于第二读取电平读取的数据。3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,计数结果与存储单元阵列的退化单元的数量匹配。4.根据权利要求1所述的存储装置,其中,控制逻辑配置为,通过将计数结果和参考值进行比较生成比较结果以确定所述多个存储单元中的错误是否是可校正的;以及基于比较结果执行用于数据恢复操作的恢复算法。5.根据权利要求4所述的存储装置,其中,控制逻辑配置为,将计数结果和第一参考值进行比较,如果计数结果大于第一参考值,基于比较结果将所述多个存储单元的错误确定为不可校正的,基于所述确定执行数据恢复操作。6.根据权利要求5所述的存储装置,其中,控制逻辑配置为执行作为数据恢复操作的数据复原读取操作和软判决数据生成操作中的至少一种。7.根据权利要求6所述的存储装置,其中,从所述多个存储单元读取的数据是根据对第一页执行的正常读取操作读取的数据,控制逻辑配置为通过如下方式执行数据复原读取操作:读取与第一页相邻的第二页的数据,通过基于读取第二页的数据的结果设定读取电压的电平来确定读取电压,使用确定的读取电压重读第一页的数据。8.根据权利要求4所述的存储装置,其中,控制逻辑配置为,将计数结果与第一参考值和比第一参考值大的第二参考值进行比较,当计数结果大于第一参考值且不大于第二参考值时,执行数据恢复操作,当计数结果大于第二参考值时,将指示所述多个存储单元的错误是不可校正的信息输出至存储控制器。9.根据权利要求1所述的存储装置,其中,控制逻辑配置为将就绪/繁忙信号输出至存储控制器,并且在数据恢复操作期间将就绪/繁忙信号保持在繁忙状态。10.根据权利要求1所述的存储...
【专利技术属性】
技术研发人员:林惠镇,李承宰,朴一汉,李康斌,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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