The invention relates to a coating method for high silicon aluminum alloy, which is suitable for high silicon aluminum alloy with silicon content of 27% - 60%, which belongs to the field of metal surface modification. The basic steps of the coating method include degreasing, roughening, primary activation, electroless nickel plating, nickel plating, heat treatment, two activation, two nickel plating and gold plating. The high silicon aluminum alloy coating obtained by the coating method is uniform and has good combination. After baking at high temperature, there is no foaming, falling off or discoloration. After welding and encapsulation, the air tightness meets the application requirements.
【技术实现步骤摘要】
一种高硅铝合金的镀覆方法
:本专利技术属于金属表面改性领域,涉及一种高硅铝合金的镀覆方法,适用于硅含量为27%~60%的高硅铝合金。技术背景高硅铝合金具有热膨胀系数低(CTE:7×10-6~20×10-6K-1,可调)、热导率高(TC:130~180W·m-1·K-1,可调)、低密度(约为2.5g·cm-3)、良好的力学性能、以及较好的精密加工性能等特点,是世界上公认的“第三代电子封装材料”,现已成功应用于军用航天、航空等领域中微波组件的封装。电子封装材料在使用过程中要求其具有防锈、防霉变和良好的电接触性能,同时实现与输入/输出端口及加电馈通端口的连接器的可靠焊接,由于硅含量较高的硅铝合金,硅、铝两相热膨胀系数相差较大,材料与焊料的润湿性较差,直接焊接比较困难,这就需要在封装壳体表面镀一层附着力好,可焊性高的镀层。一般选择在高硅铝合金表面镀镍和金以提高润湿性,但高硅铝合金中有大量非金属的硅,材料的导电性能比一般的铝合金差,直接电镀得到的金属镀层不均匀、结合力较差,产品在使用过程易起泡、脱落和变色,壳体封装之后漏气率过大,造成用于电子封装的壳体材料成品率低、不同 ...
【技术保护点】
一种高硅铝合金的镀覆方法,其特征在于,包括下述步骤:步骤一对表面清洁的高硅铝合金进行粗化处理和首次活化处理,得到待镀高硅铝合金;步骤二将步骤一所得的带镀高硅铝合金置于镀液A中进行化学预镀,得到试样B;所述镀液A包括下组分:硫酸镍20~80g/L、磷酸二氢钠30~100g/L、柠檬酸钠20~60g/L、氯化铵30~100g/L;所述镀液A的pH值为8.2~9.2;步骤三以步骤二所得试样B为负极,将所述试样B置于镀液C中进行首次电镀,得到试样D;所述镀液C包括下述组分:硫酸镍80~150g/L,氯化镍80~150g/L,碳酸镍80~150g/L,硼酸20~40g/L,双氧水2~ ...
【技术特征摘要】
1.一种高硅铝合金的镀覆方法,其特征在于,包括下述步骤:步骤一对表面清洁的高硅铝合金进行粗化处理和首次活化处理,得到待镀高硅铝合金;步骤二将步骤一所得的带镀高硅铝合金置于镀液A中进行化学预镀,得到试样B;所述镀液A包括下组分:硫酸镍20~80g/L、磷酸二氢钠30~100g/L、柠檬酸钠20~60g/L、氯化铵30~100g/L;所述镀液A的pH值为8.2~9.2;步骤三以步骤二所得试样B为负极,将所述试样B置于镀液C中进行首次电镀,得到试样D;所述镀液C包括下述组分:硫酸镍80~150g/L,氯化镍80~150g/L,碳酸镍80~150g/L,硼酸20~40g/L,双氧水2~10ml/L;所述镀液C的pH值为4.8~5.8,首次电镀时,控制电流密度为0.4~0.8A/dm2;优选为0.7~0.8A/dm2;步骤四将步骤三所得试样D置于保护气氛中,于350~450℃进行热处理,冷却,得到试样E;步骤五对试样E进行再次活化后,进行第二次电镀,直至镀层的总厚度为25~40μm,得到试样F;步骤六在试样F镀金,得到成品。2.根据权利要求1所述的一种高硅铝合金的镀覆方法,其特征在于:步骤一中,高硅铝合金中,Si的质量百分含量为27%~60%。3.根据权利要求1所述的一种高硅铝合金的镀覆方法,其特征在于:步骤一中;所述粗化处理为:将表面清洁的高硅铝合金置于溶液G中,室温下粗化1~10min,取出,清水冲洗后,超声水洗10~40min,然后于60~80℃烘干,得到粗化后的试样;所述溶液G包括下述组分:硝酸200~400ml/L,氢氟酸100~150ml/L,双氧水80~150ml/L;步骤一中;所述首次活化处理为:将粗化后的试样置于溶液H中,在150~200℃,活化1~30min,取出,清水洗净,于60~80℃烘干;得到待镀高硅铝合金;所述溶液H包括下述组分:醋酸镍30~100g/L,磷酸二氢钠30~100g/L。4.根据权利要求1所述的一种高硅铝合金的镀覆方法,其特征在于:步骤二中,将步骤一所得的带镀高硅铝合金置于镀液A中,于45~85℃进行化学预镀3~10min,取出,清水洗净,于60~80℃烘干得到试样B。5.根据权利要求1所述的一种高硅铝合金的镀覆方法,其特征在于:步骤三中,在室温下进行首次电镀,首次电镀的时...
【专利技术属性】
技术研发人员:王日初,
申请(专利权)人:长沙博朗思达新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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