单层膜或层叠膜的蚀刻组合物或者使用所述组合物的蚀刻方法技术

本发明专利技术的课题是提供用于蚀刻金属单层膜或金属层叠膜的蚀刻组合物，该组合物实现比以往更好的蚀刻速率，容易控制侧面蚀刻、圆锥角、剖面形状、图案形状，且在保持性能稳定性的同时具有更长的溶液寿命。一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。

Etching composition of single layer film or laminated film or etching method using the composition

The subject of the invention is to provide the etching composition for etching metal monolayer or metal laminated film, the composition ratio of the etching rate better, easy to control the side etching, cone angle, profile shape, pattern shape, and has a longer life solution in maintaining the stability and performance of the. An etching composition, it is used for the monolayer formed by etching from copper, titanium, molybdenum and nickel metal or their nitrides, monolayers formed by 1 or more than 2 kinds of alloy containing copper, selected from titanium, molybdenum and nickel, etching composition, or containing 1 or more than 2 layers the monolayer of laminated film which contains azole, nitric acid, peroxide and water soluble organic solvent.

【技术实现步骤摘要】
单层膜或层叠膜的蚀刻组合物或者使用所述组合物的蚀刻方法
本专利技术涉及可用于平板显示器等的金属单层膜或层叠膜用的蚀刻组合物或者使用所述组合物的蚀刻方法。
技术介绍
对于平板显示器等显示器件的布线材料，采用作为低电阻材料的铜和含铜的合金。然而，铜原本与玻璃等的基板的密合性就不足，且铜具有向硅半导体膜扩散的性质。因此，已知近年来通过在基板与铜层等布线材料之间设置钛层或钼层等阻隔金属层作为阻隔膜，使布线材料与玻璃基板的密合性提高，防止向硅半导体膜的扩散。另外，还存在为了防止铜层等的氧化而在铜层的上层形成有覆盖(日语:キャップ)膜的3层的层叠膜。作为铜和钛层叠膜用蚀刻液，提出有例如包含过氧化氢、硝酸、氟离子供给源、唑类、氢氧化铵、过氧化氢稳定剂和水的pH1.5～2.5的蚀刻溶液(专利文献1)，包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、粉末的二醇类化合物、唑类化合物和水的蚀刻液(专利文献3)，包含过硫酸铵、唑类化合物和水的蚀刻液(专利文献3)，包含氟离子供给源、过氧化氢、硫酸盐、磷酸盐、唑类化合物和水的蚀刻液(专利文献4)。此外，作为铜和钼层叠膜用蚀刻液，提出有例如包含选自中性盐、无机酸和有机酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。

【技术特征摘要】
2016.04.21 JP 2016-0854991.一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，水溶性有机溶剂的25℃时的蒸气压为2kPa以下。3.如权利要求1或2所述的蚀刻组合物，其中，水溶性有机溶剂选自醇、二醇、二元醇、三元醇、酮、碳酸酯、亚砜。4.如权利要求1～3中的任一项所述的蚀刻组合物，其中，水溶性有机溶剂选自乙二醇、二乙二醇和二丙二醇。5.如权利要求1～4中的任一项所述的蚀刻组合物，其中，过氧化物选自过氧化氢、过氧硫酸铵、过氧硫酸钠和过氧硫酸钾。6.如权利要求1～5中的任一项所述的蚀刻组合物，其中，还包含磷酸或磷酸盐。7.如权利要求1～6中的任一项所述的蚀刻组合物，其中，还包含选自氢氧化铵和氨水的化合物。8.如权利要求1～7中的任一项所述的蚀刻组合物，其中，还包含氟或氟化合物。9.如权利要求8所述的蚀刻组合物，其中，氟化合物选自氟化铵、酸性氟化铵和氢氟酸。10.如权利要求1～9中的任一项所述的蚀刻组合物，其中，还包含脲化合物。11.如权利要求10所述的蚀刻组合物，其中，脲化合物选自苯基脲、烯丙基脲、1,3-二甲基脲和硫脲。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥秀树，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP