一种铜镍多层薄膜用蚀刻液制造技术

本发明专利技术涉及蚀刻液，其为能够在具备氧化物半导体层和铜镍多层薄膜的半导体装置中选择性蚀刻铜镍多层薄膜的蚀刻液，包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、有机酸、过氧化氢稳定剂、pH调节剂以及水性介质，过氧化氢的比例以蚀刻液的总重计，占5‑30％；蚀刻抑制剂的比例以蚀刻液的总重计，占0.01‑5％；螯合剂的比例以蚀刻液的总重计，占0.1‑5％；有机酸的比例以蚀刻液的总重计，占1‑10％；过氧化氢稳定剂的比例以蚀刻液的总重计，占0.01‑0.1％；pH调节剂的含量为使蚀刻液的pH值为3‑5；水性介质为余量。经该蚀刻液蚀刻后布线截面形状良好，且能有效避免底切现象的发生。

Etching solution for copper nickel multilayer film

The invention relates to an etchant, which is capable of etching solution in a semiconductor device with an oxide semiconductor layer and Cu Ni Multilayer Films in selective etching of copper nickel films, including hydrogen peroxide, etching inhibitors, chelating agent, organic acid, hydrogen peroxide stabilizer, pH regulator and water medium, hydrogen peroxide in proportion to the total weight of etching solution 30%, accounting for 5; etching inhibitors in proportion to the etching liquid weight meter, accounting for 0.01 of the 5%; chelating agent in proportion to the total weight of etching solution, accounting for 0.1 of the 5%; organic acid in proportion to the total weight of etching solution, accounting for 1 of the 10%; hydrogen peroxide stabilizer in proportion to the total weight of etching solution 0.1%, accounting for 0.01; content of pH regulator for etching solution pH value of 3 5; water medium allowance. After etching, the cross-section shape of the etching line is good, and the phenomenon of undercut can be avoided effectively.

【技术实现步骤摘要】
一种铜镍多层薄膜用蚀刻液
本专利技术属于蚀刻
，涉及一种蚀刻液，具体涉及一种铜镍多层薄膜用蚀刻液。
技术介绍
在液晶显示器的制造过程中，多会使用金属铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或是其合金作为导电材料。而随着显示器的大型化及高分辨率化，使用电阻低的金属铜(Cu)作为导电材料也就成为必然的发展趋势。然而，单独使用铜作为导电材料，存在着耐磨性不好的缺点，所以通常采用包含铜的多层金属作为导电材料。金属镍具有很强的钝化能力，可在制件表面迅速生成一层极薄的钝化膜，能抵抗大气和某些酸的腐蚀，所以镍镀层在空气中的稳定性很高。它具有优良的抛光性能，经抛光的镍镀层具有镜面般的光泽，同时在大气中可长期保持其光泽。此外，镍镀层还具有较高的硬度和耐磨性。因此会在铜层表面镀一层镍层，以作为保护层。为了将铜镍镀层实际应用到半导体领域中，需要对铜/镍(Cu/Ni)多层薄膜进行有效的蚀刻。干蚀刻(dryetch)需要在高度真空的条件下进行，操作条件严格且成本太高，因此业界通常采用湿蚀刻(wetetch)方式来进行蚀刻。然而，在对铜/镍进行湿蚀刻时，会由于铜和镍的蚀刻速率存在差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液，其特征在于，其为能够在具备氧化物半导体层和铜镍多层薄膜的半导体装置中选择性蚀刻铜镍多层薄膜的蚀刻液，其包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、有机酸、过氧化氢稳定剂、pH调节剂以及水性介质，其中，所述过氧化氢的比例以所述蚀刻液的总重计，占5‑30％；所述蚀刻抑制剂的比例以所述蚀刻液的总重计，占0.01‑5％；所述螯合剂的比例以所述蚀刻液的总重计，占0.1‑5％；所述有机酸的比例以所述蚀刻液的总重计，占1‑10％；所述过氧化氢稳定剂的比例以所述蚀刻液的总重计，占0.01‑0.1％；所述pH调节剂的含量为使所述蚀刻液的pH值为3‑5；所述水性介质为余量。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，其特征在于，其为能够在具备氧化物半导体层和铜镍多层薄膜的半导体装置中选择性蚀刻铜镍多层薄膜的蚀刻液，其包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、有机酸、过氧化氢稳定剂、pH调节剂以及水性介质，其中，所述过氧化氢的比例以所述蚀刻液的总重计，占5-30％；所述蚀刻抑制剂的比例以所述蚀刻液的总重计，占0.01-5％；所述螯合剂的比例以所述蚀刻液的总重计，占0.1-5％；所述有机酸的比例以所述蚀刻液的总重计，占1-10％；所述过氧化氢稳定剂的比例以所述蚀刻液的总重计，占0.01-0.1％；所述pH调节剂的含量为使所述蚀刻液的pH值为3-5；所述水性介质为余量。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻抑制剂选自含1-10个碳原子，至少含O、S、N中一个杂原子的杂环化合物中的一种。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述杂环化合物为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽燕，卢燕燕，
申请(专利权)人：东莞市达诚显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44