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本发明涉及蚀刻液，其为能够在具备氧化物半导体层和铜镍多层薄膜的半导体装置中选择性蚀刻铜镍多层薄膜的蚀刻液，包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、有机酸、过氧化氢稳定剂、pH调节剂以及水性介质，过氧化氢的比例以蚀刻液的总重计，占5‑30％；蚀刻抑...
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