一种偏置电流产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种偏置电流产生电路，此偏置电流产生电路由两个分支电流产生电路叠加而成，其中第一个分支电流产生电路是正温度系数电流产生电路，另一个分支电流产生电路是负温度系数电流产生电路。在所述的正温度系数电流产生单元中，引出一个控制电压到所述负温度系数电流产生单元，用于产生负温度系数电流，然后将所述的正温度系数电流和负温度系数电流叠加输出。在所述的负温度系数电流产生单元中，引出一个控制电压到正温度系数电流产生单元，用于稳定控制环路，降低了输出电流受温度的影响。与现有技术相比，本发明专利技术省去了三极管电路，省去了带隙基准电路，省去了复杂的放大器电路，降低了电路面积和功耗，同时提高了电路的整体性能。

A bias current generation circuit

The invention discloses a bias current generating circuit, the bias circuit is composed of two branch current generating circuit superposition, wherein the first branch current generating circuit is the positive temperature coefficient current generating circuit, another branch current generating circuit is a negative temperature coefficient current generating circuit. The positive temperature coefficient current in the generating unit, leads to a control voltage to the negative temperature coefficient current generating unit for generating negative temperature coefficient current, then the positive temperature coefficient of the current and the negative temperature coefficient current superposition output. In the negative temperature coefficient current generating unit, a control voltage is drawn to the positive temperature coefficient current generating unit, which is used to stabilize the control loop and reduce the influence of the output current on the temperature. Compared with the existing technology, the invention omits the triode circuit, eliminates the bandgap reference circuit, eliminates the complex amplifier circuit, reduces the circuit area and power consumption, and improves the overall performance of the circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种偏置电流产生电路
本专利技术涉及集成电路领域，尤指一种偏置电流产生电路。
技术介绍
常用的简单的偏置电流产生电路，即如图1所示，由PMOS管M3，PMOS管M4，PMOS管M5，以及NMOS管M1，NMOS管M2和电阻RB组成。由此组成的电流产生电路，和电源电压无关，但和温度有关。因为电阻的阻值是随着温度的变化而变化的。具体电流的计算公式如下：其中，RB是电阻阻值，μN是NMOS管沟道中电子的迁移率，Cox是NMOS氧化层单位面积电容量，是NMOS管M1的沟道宽度与长度之比，是NMOS管M2的沟道宽度与长度之比。因为RB和μN都受温度的影响，所以从上述公式可以看出，电路的输出电流IB受温度影响非常大。偏置电流产生电路为了实现对温度变化的不敏感，一般都需要对电路进行温度补偿。其中通用的温度补偿方法是产生两路偏置电流进行叠加，其中一个是正温度系数电流，另一个是负温度系数电流。两路电流叠加后，总的输出电流对温度的变化影响较小。但是一般这种电路需要两个温度系数产生电路，电路复杂，电路的功耗和面积等都比较大。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种偏置电流产生电路，通过两个分支电流单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏置电流产生电路，其特征在于：包括正温度系数电流产生单元、负温度系数电流产生单元；其中所述正温度系数电流产生单元和负温度系数电流产生单元相连接；其中所述正温度系数电流产生单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管；其中所述第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的源极分别与电源电压连接，其中所述第三PMOS管的漏极和栅极相互连接，所述第三PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极相连，且所述第五PMOS管的漏极与电路输出端相连；其中所述第一NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，...

【技术特征摘要】
1.一种偏置电流产生电路，其特征在于：包括正温度系数电流产生单元、负温度系数电流产生单元；其中所述正温度系数电流产生单元和负温度系数电流产生单元相连接；其中所述正温度系数电流产生单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管；其中所述第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的源极分别与电源电压连接，其中所述第三PMOS管的漏极和栅极相互连接，所述第三PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极相连，且所述第五PMOS管的漏极与电路输出端相连；其中所述第一NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极通过第一电阻与地相接，所述第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的源极与地相接，所述第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相接，其中所述第二NMOS管的漏极和栅极分别与负温度系数电流产生单元相接。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：周光友，
申请(专利权)人：深圳市恒昌通电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44