半导体封装用银合金线及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装用银合金线及其制备方法，组成此银合金线的材料各成分的重量百分比为：0.1‑1.5％金，0.5‑6.0％钯，0.003‑0.006％钴，其余为银补足100％。本发明专利技术制备的银合金线成本低廉，在LED及半导体IC和器件上进行焊接应用的物理性能稳定，抗氧化性能好，可靠性高，能替代昂贵的键合金丝在LED及半导体封装上应用。

Silver alloy wire for semiconductor package and its preparation method

The invention discloses a semiconductor package with silver alloy wire and its preparation method, the weight percentage composition of the silver alloy wire material: 0.1 1.5% gold, 0.5 6% palladium, 0.003 cobalt 0.006%, the rest is made up of 100% silver. The preparation of silver alloy wire has the advantages of low cost, stable physical properties of welding application in LED and IC and semiconductor devices, good oxidation resistance, high reliability, can replace the expensive key alloy wire used in LED and semiconductor package.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装用银合金线及其制备方法
本专利技术涉及金属材料
，特别涉及一种半导体封装用银合金线及其制备方法。
技术介绍
LED发光管及半导体封装需要的内引线(也称键合丝)通常都采取高纯黄金制成的金线，其直径范围在Ф15μm～Ф50μm。随着金价的不断上升，封装成本越来越高。为此各封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合，以缓解封装成本压力。与金丝相比，铜线具有更好的电学和机械特性，所以同样的产品可以使用直径更小的铜丝来进行键合，而且更适合于芯片焊盘小、间距窄和键合距离长的封装产品。然而使用铜导线时，由于封装用树脂与导线的热膨胀系数差异过大，随着半导体启动后温度上升，因热形成的体积膨胀对形成回路的铜接合线产生外部应力，特别是对暴露于严酷的热循环条件下的半导体组件，容易使铜接合线发生断线问题。另铜的稳定性远不及金，在保存和焊接过程中纯铜丝非常容易氧化。为了提高键合生产效率及产品可靠性，解决纯铜丝易氧化、寿命短的缺失，目前封装厂商主要采用镀钯铜丝作为键合丝。不过，镀钯铜线的表面硬度偏高，且镀钯层厚度不均，造成封装过程整体产出率差、良率偏低等问题。另镀钯铜线在半导体封装上也有焊球硬度偏大，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装用银合金线，其特征在于，包括以下重量百分比的组分，0.1‑1.5％金，0.5‑6.0％钯，0.003‑0.006％钴，其余为银补足100％。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装用银合金线，其特征在于，包括以下重量百分比的组分，0.1-1.5％金，0.5-6.0％钯，0.003-0.006％钴，其余为银补足100％。2.一种半导体封装用银合金线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①将银原料电解提纯，制备纯度大于99.999％的高纯银；②通过真空熔炼制备中间合金，包括含6-15％钯的银钯合金，含0.2-0.8％钴的银钴合金；③将步骤①剩余高纯银在950～1100℃下熔炼，并在惰性气体氛围下加入步骤2)中所述银钯合金、银钴合金和高纯金粉搅拌精炼，然后进行铸造拉伸，拉伸速度为4.0～10mm/min，得到Φ5-8mm的银合金棒；所述银合金棒含0.1-1.5％金，0.5-6％钯，0.003-0.006％钴，余量为银；④将步骤③中所述银合金棒进行预拉伸，在氮气保护氛围350℃-480℃下连续退...

【专利技术属性】
技术研发人员：房跃波，
申请(专利权)人：河北德田半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13