The invention provides a ceramic thin film circuit board through-hole metallization electroplating filling method and clamping device and clamping plating method, selection of ceramic thin film circuit substrate thickness is greater than the required thickness, and the ceramic thin film circuit substrate by electroplating method through Kong Jin is filled; complete filling, using double-sided grinding the way, the excess filler metal substrate surface plating deposition removal during filling, and continue grinding to the required thickness of thin circuit board circuit board thickness; clamping device, in the two relative inner insulation plate, are arranged around a circle around the electroplating window seal; in the process of clamping and sealing condition of joint detection the insulating interlayer gap, to prevent leakage of the board and a circuit board plating solution for long time in electroplating process. Compared with the existing technology, the electroplating solid hole based on the ceramic substrate is realized, and the hole tightness and radio frequency performance are greatly improved, which provides the basis for the high-speed interconnection of the signal layer of the three-dimensional stacked module of the film.
【技术实现步骤摘要】
陶瓷薄膜电路基板贯通孔金属化填充方法及电镀夹持装置和夹持电镀方法
本专利技术应用于三维封装领域,涉及薄膜电路立体互连,气密封装,和电磁屏蔽等工艺的贯通孔金属化填充方法,特别是涉及一种适用于陶瓷薄膜电路基板的贯通孔金属化填充方法及电镀夹持装置和夹持电镀方法。
技术介绍
传统陶瓷薄膜电路互连孔主要采用空心金属化孔方式,其利用激光在基片上制备通孔,再通过溅射、蒸发等方式实现孔壁的金属化,达到通孔两侧电性能互连的作用。该方法可靠性低,插损高,无法实现气密和BGA植球焊接工艺,随着封装技术进步受到了越来越多的限制。现有贯通孔填充技术方面,南京航空航天大学所申报专利《一种氧化铝陶瓷基板贯穿孔内填充金属铜的方法》中描述了浆料填充形成实心金属化贯通孔的方法,但因材料体系问题,浆料填充孔和薄膜工艺气相沉积膜层兼容性差,高频应用受到极大限制;富顺光公司所申报专利《一种大功率LED陶瓷散热基板制作方法》中描述了整体烧结形成实心贯通孔基板的方法,该方法主要用于散热背板的制备,尺寸维度远大于陶瓷薄膜电路,系不同领域技术。另一方面,现有实心孔电镀填充技术主要应用于TSV(硅基穿孔互连)技术, ...
【技术保护点】
一种陶瓷薄膜电路基板贯通孔金属化填充方法,具体方法为:选取厚度大于所需厚度的陶瓷薄膜电路基板,并对所述陶瓷薄膜电路基板采用电镀方式进行贯通孔金属化填充;填充完成,采用双面研磨的方式,去除电镀填充过程中基板表面沉积的多余填充金属,并继续研磨电路基板使电路基板厚度薄至所需厚度。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷薄膜电路基板贯通孔金属化填充方法,具体方法为:选取厚度大于所需厚度的陶瓷薄膜电路基板,并对所述陶瓷薄膜电路基板采用电镀方式进行贯通孔金属化填充;填充完成,采用双面研磨的方式,去除电镀填充过程中基板表面沉积的多余填充金属,并继续研磨电路基板使电路基板厚度薄至所需厚度。2.根据权利要求1所述的陶瓷薄膜电路基板贯通孔金属化填充方法,所述方法还包括:在研磨得到所需厚度的电路基板后,在实心金属通孔表面实现一层防氧化保护层。3.根据权利要求2所述的陶瓷薄膜电路基板贯通孔金属化填充方法,所述防氧化保护层为镍材料。4.根据权利要求2或3所述的陶瓷薄膜电路基板贯通孔金属化填充方法,所述防氧化保护层采用镀镍的方式实现。...
【专利技术属性】
技术研发人员:李彦睿,秦跃利,王春富,何建,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十九研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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