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一种涂膜材料及其制备方法技术

技术编号:1642881 阅读:152 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种SnO↓[2]-Sb↓[2]O↓[3]纳米涂膜材料,其成分包括氧化锡70~90%,氧化锑0.5~20%,氧化锌0.5~18%,稀土元素化合物0.001~1%。其制备方法包括原料的溶解,加入氨水水解,过滤,共沸蒸馏,醇洗,干燥,煅烧,剪切,超声分散即得锑锡氧化物纳米涂膜材料。本发明专利技术利用可控沉淀制备ATO单分散粉体,然后将粉体制成浆料在基底涂膜,经过<300℃的热处理成膜,克服了现有方法的缺点和不足。本发明专利技术所制备的涂膜材料其透光性和导电性能可调,在不同的应用要求下,具备有效的手段根据应用要求调节薄膜的透光率和导电性能,适用于大面积的涂膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于涂膜
,涉及一种工业用锑锡氧化物(ATO)导电浆料及其制备方法。
技术介绍
ATO是一种在SnO2宽禁带半导体中掺杂锑而导电化的n型半导体材料。该材料在可见光波长范围内透明,适量的掺杂Sb可在材料中形成施主载流子。其薄膜电阻率可达10-3数量级。除了具有高的透光率及电导性能外,该材料还具有较高温度及腐蚀介质中良好的化学广泛的应用。如在彩色显象管,计算机显示器,电器机壳,锂离子电池电极,太阳能光电转换,电致变色显示屏等。至今为止,制备ATO薄膜的工业方法由溶胶一凝胶法、喷射热解法、醇盐水解法、直接沉淀法。溶胶一凝胶法由于溶胶含有大量的水,薄膜在热处理过程中容易开裂;喷射热解法由于直接在表面成膜,前驱体中大量的有害杂质离子如Cl-难以除去,而醇盐水解法则需要消耗大量的有机醇,成本很高。
技术实现思路
为了改进现有技术的局限和缺点,本专利技术提供一种用于彩色电视机显示器,计算机显示器,太阳能利用,锂离子电池电极材料的涂膜材料及其制备方法,以拓展现有技术的应用范围,降低生产成本。一种SnO2-Sb2O3纳米涂膜材料,其成分按照重量百分比含量为氧化锡70~90%,氧化锑0.5~20%,氧化锌0.5~18%,稀土元素化合物0.001~1%,上述复合氧化物的直径在6~35nm之间。一种SnO2-Sb2O3纳米涂膜材料的制备方法,包括以下步骤首先水相共沉淀制备复合氧化物纳米粉体,然后将粉体与有机醇制成浆料,详细步骤包括水解按比例将氯化锡,氯化锑,氯化锌,稀土元素化合物,溶于1M的盐酸溶液中混合;加热保持温度为50-80℃,加氨水进行水解,同时加入分散剂,氨水加入量使反应后PH值在2.0~6.5之间,生成沉淀;其发应式为 Re为稀土元素。过滤将溶胶进行共沸蒸馏后进行水洗,醇洗后过滤;干燥所得沉淀在80-100℃干燥12h,并在干燥的同时用氮气进行保护;煅烧将所得粉体在400-900℃煅烧2h;其反应式为 剪切将所得粉体溶于有机溶剂乙醇中进行剪切分散,速度为3000-7000rpm,时间12h,添加有机防团聚剂,剪切。超声分散利用超声分散10~40min。离心将溶液放入离心机中,控制转速6000-8000rpm,离心5~9min,去掉沉淀,即得锑锡氧化物纳米涂膜材料。所述分散剂为β-丙氨酸,曲通X-100,聚乙二醇,十二烷基苯磺酸钠,十六烷基三甲基溴化铵,聚丙烯酰胺,上述分散剂中的一种或多种。所述稀土元素为铈(Ce),镧(La),钕(Nd),钐(Sm)中的一种或多种;所述防团聚剂为硅烷偶联剂KH550,KH560,KH570,KH792,钛酸酯偶联剂38S,101,201,乙烯基三乙氧基硅烷,γ-甲基丙烯酸丙基三甲氧基硅烷中的一种或者多种。本专利技术与现有技术相比,本专利技术利用可控沉淀制备ATO单分散粉体,然后将粉体制成浆料在基底涂膜,经过<300℃的热处理成膜,克服了现有方法的缺点和不足。本专利技术所制备的涂膜材料其透光性和导电性能可调,在不同的应用要求下,具备有效的手段根据应用要求调节薄膜的透光率和导电性能,适用于大面积的涂膜,大大地拓展了ATO薄膜的应用范围。具体实施例方式实施例1氯化锡18.5g,氯化锑4.0g,氯化锌2.0g,稀土元素化合物氯化铈0.04g,将其完全溶解于1M的盐酸溶液300ml中,加入分散剂曲通X-1001.5ml,加热保持温度为60℃,搅拌,滴加氨水调整PH值至2.5~5.0之间,生成沉淀,将沉淀滤出后用去离子水进行水洗,待水洗残液中检验无Cl-再进行共沸蒸馏,溶剂选用正丁醇,之后用乙醇洗涤,目的在于带走游离态的水,将所得溶胶在氮气保护气氛中干燥12h,温度为90℃,再将粉末研磨后在650℃下煅烧2h,可得纳米ATO粉体,取纳米ATO粉末6.5g,加入到乙醇中,在5000rpm的速率下剪切6h后,添加防团聚剂硅烷偶联剂KH560和十六烷基三甲基溴化铵分别为3ml和2ml,再在同样的条件下剪切6h,然后将溶液放入超声水槽中进行超声分散20min,即得锑锡氧化物纳米涂膜材料,平均粒径分布在12nm左右,涂膜的电阻率为2.8×10-2Ω·cm,透光率为82.0%。实施例2氯化锡32.5g,氯化锑5.8g,氯化锌1.2g,稀土元素化合物氯化钐0.06g,将其完全溶解于1M的盐酸溶液400ml中,加入分散剂β-丙氨酸2.2g,加热保持温度为60℃,搅拌,滴加氨水调整PH值至2.0~6.0之间,生成沉淀,将沉淀滤出后用去离子水进行水洗,待水洗残液中检验无Cl-再进行共沸蒸馏,溶剂选用正丁醇,之后用乙醇洗涤,目的在于带走游离态的水,将所得溶胶在氮气保护气氛中干燥10h,温度为85℃,再将粉末研磨后在700℃下煅烧2h,可得纳米ATO粉体,取纳米ATO粉末11.0g,加入到乙醇中,在6000rpm的速率下剪切5h后,添加防团聚剂硅烷偶联剂KH792和钛酸酯偶联剂201各3ml,再在同样的条件下剪切5h,然后将溶液放入超声水槽中进行超声分散30min,即得锑锡氧化物纳米涂膜材料,平均粒径分布在9nm左右,涂膜的电阻率为1.3×10-2Ω·cm,透光率为85.3%。实施例3氯化锡24.7g,氯化锑4.3g,氯化锌2.5g,稀土元素化合物氯化钕0.08g,将其完全溶解于1M的盐酸溶液中,加入分散剂聚丙烯酰胺0.5g,加热保持温度为65℃,搅拌,滴加氨水调整PH值至2.0~5.0之间,生成沉淀,将沉淀滤出后用去离子水进行水洗,待水洗残液中检验无Cl-再进行共沸蒸馏,溶剂选用甲醇,之后用乙醇洗涤,目的在于带走游离态的水,将所得溶胶在氮气保护气氛中干燥9h,温度为95℃,再将粉末研磨后在650℃下煅烧2h,可得纳米ATO粉体,取纳米ATO粉末13g加入到乙醇中,在7000rpm的速率下剪切6h后,添加防团聚剂乙烯基三乙氧基硅烷和钛酸酯偶联剂38S各2ml,再在同样的条件下剪切6h,然后将溶液放入超声水槽中进行超声分散45min,即得锑锡氧化物纳米涂膜材料,平均粒径分布在8nm左右,涂膜的电阻率为2.15×10-2Ω·cm,透光率为80.5%。实施例4氯化锡27.5g,氯化锑5.0g,氯化锌2.3g,稀土元素化合物氯化镧0.07g,将其完全溶解于1M的盐酸溶液中,加热保持温度为60℃,搅拌,滴加氨水调整PH值至2.5~6.0之间,生成沉淀,将沉淀滤出后用去离子水进行水洗,待水洗残液中检验无Cl-再进行共沸蒸馏,溶剂选用正丁醇,之后用乙醇洗涤,目的在于带走游离态的水,将所得溶胶在氮气保护气氛中干燥9h,温度为85℃,再将粉末研磨后在680℃下煅烧2h,可得纳米ATO粉体,取纳米ATO粉末15g加入到乙醇中,在7500rpm的速率下剪切6h后,添加防团聚剂γ-甲基丙烯酸丙基三甲氧基硅烷和硅烷偶联剂KH550各2ml,再在同样的条件下剪切6h,然后将溶液放入超声水槽中进行超声分散28min,即得锑锡氧化物纳米涂膜材料,平均粒径分布在15nm左右,涂膜的电阻率为1.18×10-1Ω·cm,透光率为78.3%。权利要求1.一种SnO2-Sb2O3纳米涂膜材料,其特征在于重量百分比含量为氧化锡70~90%,氧化锑0.5~20%,氧化锌0.5~18%,稀土元素化合物0.001~1%,上述复合氧化物的直径在6~20n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SnO↓[2]-Sb↓[2]O↓[3]纳米涂膜材料,其特征在于:重量百分比含量为:氧化锡70~90%,氧化锑0.5~20%,氧化锌0.5~18%,稀土元素化合物0.001~1%,上述复合氧化物的直径在6~20nm之间,所述稀土元 素为铈,镧,钕,钐中的一种或多种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:段学臣李历历
申请(专利权)人:中南大学
类型:发明
国别省市:43[中国|湖南]

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