显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置。显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上设置有导电层，所述阵列基板上设置有供电电极，所述导电层与供电电极电连接。显示面板的制备方法包括：分别制备包含导电层的彩膜基板和包含供电电极的阵列基板；将彩膜基板和阵列基板对盒，彩膜基板上的导电层与阵列基板上的供电电极电连接。本发明专利技术通过在彩膜基板上设置导电层，导电层可以屏蔽黑矩阵产生感应电场，避免了现有结构黑矩阵所产生的不均匀感应电场造成显示区域的电场差异。本发明专利技术有效解决了现有结构存在的信赖性框痕迹问题，且结构简单，对现有制备工艺改动很小。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示面板及其制备方法，以及包含该显示面板的显示装置。
技术介绍
显示面板的主体结构由阵列(ThinFilmTransistor，TFT)基板、彩膜(ColorFilter，CF)基板和设置在两基板之间的液晶(LiquidCrystal，LC)层组成。目前，显示面板制备过程中的取向方式主要有摩擦配向(Rubbing)和光配向(OpticalAlignment，OA)两种，与摩擦配向相比，光配向具有高对比度、高分辨率、适用于多规格玻璃(Multi-ModelGlass，MMG)、改善色偏、改善摩擦痕迹(RubbingMura)、改善显示亮点不良(Zaraparticle)等优点，因此近年来在显示面板制备工艺上使用越来越多。但在显示面板量产中，采用光配向工艺制备的显示面板存在信赖性框痕迹问题，具体表现为，在信赖性试验中，长时间高温高湿点灯时面板出现周边一圈发亮，暗态或灰阶时更明显，信赖性试验时间越长，不良越明显，影响了画面品质和显示面板的良品率。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，解决现有产品存在的信赖性框痕迹问题。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上设置有导电层，所述阵列基板上设置有供电电极，所述导电层与供电电极电连接。可选地，所述供电电极位于所述阵列基板的非显示区域，且与所述阵列基板的公共电极同层设置；所述供电电极与提供公共电压的驱动电路电连接。可选地，所述彩膜基板包括：设置在彩膜基底上的黑矩阵和彩膜层；覆盖整个彩膜基底的导电层；设置在导电层上的平坦层和彩膜取向膜；或者，设置在彩膜基底上的黑矩阵；覆盖整个彩膜基底的导电层；设置在导电层上的彩膜层、平坦层和彩膜取向膜。可选地，所述导电层和供电电极的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铝锌，所述导电层的厚度为可选地，所述导电层与供电电极之间通过导电胶或导电柱电连接。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：分别制备包含导电层的彩膜基板和包含供电电极的阵列基板；将彩膜基板和阵列基板对盒，彩膜基板上的导电层与阵列基板上的供电电极电连接。可选地，所述制备包含供电电极的阵列基板，包括：在阵列基底上形成包括公共电极和供电电极的阵列结构层，所述供电电极位于非显示区域，与所述公共电极同层且通过一次构图工艺形成。可选地，所述制备包含导电层的彩膜基板，包括：在彩膜基底上形成黑矩阵和彩膜层；形成覆盖彩膜基底的导电层；在导电层上依次形成平坦层和彩膜取向膜；或者，在彩膜基底上形成黑矩阵；形成覆盖彩膜基底的导电层；在导电层上依次形成彩膜层、平坦层和彩膜取向膜。可选地，所述导电层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铝锌，所述导电层的厚度为可选地，所述彩膜基板上的导电层与阵列基板上的供电电极电连接，包括：通过导电胶电连接所述彩膜基板上的导电层与阵列基板上的供电电极。本专利技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法，通过在彩膜基板上设置导电层，导电层可以屏蔽黑矩阵产生感应电场，避免了现有结构黑矩阵所产生的不均匀感应电场造成显示区域的电场差异。同时，施加在导电层上的公共电压可以消除显示区域内不同位置的电场差异性，且不会对阵列基板侧的电场产生影响。本专利技术实施例有效解决了现有结构存在的信赖性框痕迹问题，且结构简单，对现有制备工艺改动很小，具有较好的应用前景。当然，实施本专利技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。图1为现有显示面板的结构示意图；图2为本专利技术显示面板第一实施例的结构示意图；图3为本专利技术第一实施例形成黑矩阵后的示意图；图4为本专利技术第一实施例形成彩膜层后的示意图；图5为本专利技术第一实施例形成导电层后的示意图；图6为本专利技术第一实施例形成平坦层和彩膜取向膜后的示意图；图7为本专利技术显示面板第二实施例的结构示意图；图8为本专利技术第二实施例形成黑矩阵和导电层后的示意图；图9为本专利技术第二实施例形成彩膜层、平坦层和彩膜取向膜后的示意图；图10为本专利技术显示面板第三实施例的结构示意图。附图标记说明:10—阵列基板；20—彩膜基板；30—液晶；40—封框胶；50—导电层；60—供电电极；70—导电胶；80—导电柱；11—阵列基底；12—阵列结构层；13—阵列取向膜；21—彩膜基底；22—黑矩阵；23—彩膜层；24—平坦层；25—彩膜取向膜。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。经本申请专利技术人研究发现，现有产品出现信赖性框痕迹的主要原因是，光配向的取向(Polyimide，PI)膜配向力较弱，容易受黑矩阵(BlackMatrix，BM)感应电场影响，导致显示区域边缘的液晶发生偏转。图1为现有显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板的主体结构包括：阵列基板10、彩膜基板20、设置在两基板之间的液晶30和固定两基板的封框胶40，阵列基板10包括设置在阵列基底11上的阵列结构层12和阵列取向膜13，彩膜基板20包括设置在彩膜基底21上的黑矩阵22、彩膜层23、平坦层(OverCoat，OC)24和彩膜取向膜25。在信赖性试验的高温高湿点灯环境下，外部水汽100会通过封框胶(SEAL)40或平坦层24进入显示面板内部，导致显示面板内部各介质材料(如取向膜、平坦层、黑矩阵)因吸收水汽产生介电特性变化。通常，黑矩阵的电阻率约108Ωcm，平坦层的电阻率约1015Ωcm，取向膜的电阻率约1013Ωcm。由于黑矩阵的电阻率明显小于平坦层或取向膜的电阻率，因此在吸收水汽后，同时受阵列基板上的信号影响，黑矩阵易产生感应电场。由于黑矩阵的图案化，因此黑矩阵产生的感应电场是不均匀的。黑矩阵上不均匀的感应电场进而影响配向力较弱的取向膜，使不同区域的电场产生差异。如图1所示，显示区域中靠近封框胶的区域AA-B，受水汽影响大，电场变化大，液晶发生偏转，预倾角(Pre-TiltAngle，TBA)增大，该区域的像素显亮。显示区域中远离封框胶的区域AA-A，受水汽影响小，电场变化小或没有变化，该区域的液晶偏转小或不偏转。进一步研究表明，受水汽影响后，由于取向膜和平坦层的材料特性发生变化，区域AA-B的不良会向区域AA-A逐渐延伸，使得显示面板的较大区域受到影响。对于信赖性框痕迹问题，虽然现有技术提出了采用高阻值黑矩阵(如电阻率1011Ωcm以上)来改善该不良，但高阻值黑矩阵材料中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板上设置有导电层，所述阵列基板上设置有供电电极，所述导电层与供电电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板上设置有导电层，所述阵列基板上设置有供电电极，所述导电层与供电电极电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述供电电极位于所述阵列基板的非显示区域，且与所述阵列基板的公共电极同层设置；所述供电电极与提供公共电压的驱动电路电连接。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：设置在彩膜基底上的黑矩阵和彩膜层；覆盖整个彩膜基底的导电层；设置在导电层上的平坦层和彩膜取向膜；或者，设置在彩膜基底上的黑矩阵；覆盖整个彩膜基底的导电层；设置在导电层上的彩膜层、平坦层和彩膜取向膜。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导电层和供电电极的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铝锌，所述导电层的厚度为5.根据权利要求1～4任一所述的显示面板，其特征在于，所述导电层与供电电极之间通过导电胶或导电柱电连接。6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5任一所述的显示面板。7.一种显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11