显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了显示面板及包含显示面板的显示装置。显示面板包括衬底基板；位于衬底基板上的遮光层，该遮光层包括多个遮光区域；覆盖遮光层的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；其中，各遮光区域包括至少两个遮光块，且远离衬底基板的遮光块向靠近衬底基板的遮光块的正投影，位于靠近衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。该实施方式可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题。

【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
本申请涉及显示
，具体涉及显示面板和显示装置。
技术介绍
在液晶显示屏的结构中，通常需要在衬底基板上设置遮光层，以避免TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)器件的性能受到背光的影响。具体可以参见图1所示，其示出了现有技术中显示面板的局部结构示意图。如图1所示，衬底基板11上设置有遮光层12。遮光层12上设置有缓冲层13。缓冲层13上设置有薄膜晶体管(包括：半导体层14、源极16、漏极17和栅极18)。其中，半导体层14设置于缓冲层13上；源极16和漏极17设置于半导体层14上；栅极18位于覆盖半导体层14的绝缘层15上)。由于在工艺制作后成型的遮光层12近似为梯形，所以当遮光层12厚度较大时，会导致位于遮光层12上方的半导体层的厚度不均匀，尤其是凸起处的两边厚度较薄。这样可能会使得TFT器件的驱动电流降低，以致像素充电不足，影响显示面板的显示效果。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种改善的显示面板和显示装置，来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上的遮光层，遮光层包括多个遮光区域；覆盖遮光层的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；其中，各遮光区域包括至少两个遮光块，且远离衬底基板的遮光块向靠近衬底基板的遮光块的正投影，位于靠近衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。在一些实施例中，至少两个遮光块具有相同材料，且各遮光块的材料包括以下至少一种：钼金属、钛金属或氮化钼金属。在一些实施例中，至少两个遮光块的材料不同；各遮光块具有与衬底基板平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。在一些实施例中，至少两个遮光块包括第一遮光块和第二遮光块，且第一遮光块的下表面与衬底基板接触。在一些实施例中，第一遮光块的材料为钛金属，第二遮光块的材料为钼金属。在一些实施例中，第一遮光块的材料为氮化钼金属，第二遮光块的材料为钼金属或氮化钼金属。在一些实施例中，第一遮光块和第二遮光块的材料为氮化钼金属，且第二遮光块的含氮量低于第一遮光块的含氮量。在一些实施例中，遮光区域还包括第三遮光块，第三遮光块位于第一遮光块和第二遮光块之间；第一遮光块和第三遮光块的材料均为氮化钼金属，第二遮光块的材料为钼金属，其中，第三遮光块的含氮量低于第一遮光块的含氮量。在一些实施例中，至少两个遮光块之间设置有介质层，介质层为氮化硅层或氧化硅层。在一些实施例中，半导体层中设置有沟道，各沟道向遮光层的正投影分别位于其中一个遮光区域内。在一些实施例中，显示面板包括薄膜晶体管；各沟道分别位于其中一个薄膜晶体管的源极和漏极之间，且各薄膜晶体管的栅极向遮光层的正投影分别位于对应的一个遮光区域内。在一些实施例中，各薄膜晶体管的栅极位于衬底基板和半导体层之间，且各薄膜晶体管的栅极复用为其中一个遮光区域中的至少两个遮光块。第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。本申请实施例提供的显示面板和显示装置，通过将遮光区域设置为至少两个遮光块，并且远离衬底基板的遮光块的尺寸小于靠近衬底基板的遮光块的尺寸，可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是的现有技术中的显示面板的局部结构示意图；图2是本申请提供的显示面板的一个实施例的示意图；图3是本申请提供的显示面板中的遮光层的一个实施例的结构示意图；图4是本申请提供的显示面板中的遮光层的另一个实施例的结构示意图；图5是本申请提供的显示面板中的遮光层的又一个实施例的结构示意图；图6是本申请提供的显示面板的另一个实施例的示意图；图7是本申请提供的显示装置的一个实施例的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关技术，而非对该技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。请参见图2，其示出了本申请提供的显示面板的一个实施例的示意图。如图所示，本申请的显示面板可以包括：衬底基板21，位于衬底基板21上的遮光层22，覆盖遮光层22的缓冲层23和位于缓冲层23上的半导体层24。在本实施例中，遮光层22可以包括多个遮光区域。各遮光区域包括至少两个遮光块。且远离衬底基板21的遮光块向靠近衬底基板21的遮光块的正投影，位于该靠近衬底基板21的遮光块的上表面覆盖的区域内。从图2中可知，各遮光区域可以包括遮光块221和遮光块222，且遮光块221和遮光块222沿第一方向叠置。遮光块221位于衬底基板21上，且遮光块222位于遮光块221上。同时，遮光块222向遮光块221的正投影位于遮光块221的上表面所覆盖的区域内。此时，遮光区域的边缘可以形成阶梯状，与现有技术中的遮光层边缘相比，减缓了边缘处的陡峭程度。这样，位于遮光层22上方的半导体层24的形状也随之发生改变。也就是说，位于遮光区域上方的半导体层24也形成如图2所示的阶梯状。因此，可以适当地改善半导体层24的厚度不均匀的问题。在本实施例的一些可选的实现方式中，遮光区域的至少两个遮光块的材料可以不同。同时各遮光块具有与衬底基板21平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。如图所示，遮光块221可以为第一遮光块，第一遮光块的下表面与衬底基板21接触。遮光块222可以为第二遮光块。并且遮光块221和遮光块222均为梯形。其中，上表面是指正视显示面板时位于上方的表面，下表面是指与上表面相对的表面。也可以说，在与衬底基板表面平行的两个表面中，上表面是相对远离衬底基板一侧的表面，下表面是相对靠近衬底基板一侧的表面。可以理解的是，遮光块221和遮光块222可以是等腰梯形，也可以不是等腰梯形，在本申请中并不限制。作为示例，第一遮光块221的材料可以为钛金属，第二遮光块222的材料可以为钼金属。其制作过程可以是：首先在衬底基板21上镀钛金属膜，再镀钼金属膜；最后进行图形化处理。在图形化处理过程中，可以先利用刻蚀液(如硝酸、磷酸和醋酸的混合液)对钼金属膜进行湿法刻蚀；然后利用等离子体干法刻蚀钛金属膜。就可以完成图中所示的遮光区域中的各遮光块。需要说明的是，遮光区域的具体制作过程在本申请中并不限制。可选地，第一遮光块221的材料可以为氮化钼金属，第二遮光块222的材料可以为钼金属或氮化钼金属。比如：第一遮光块221的材料为氮化钼金属，第二遮光块222的材料为钼金属。其制作过程可以是：首先在衬底基板21上镀氮化钼金属膜；再镀钼金属膜；然后进行湿法刻蚀。由于两个遮光块的含氮量不同，因此两个膜层的刻蚀速度也不同，含氮量越高的膜层其刻蚀速度相对越低。这样通过一种刻蚀方法即可形成遮光区域。与上述遮光区域的制作过程相比，简化了遮光区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的遮光层，所述遮光层包括多个遮光区域；覆盖所述遮光层的缓冲层；位于所述缓冲层上的半导体层；其中，各所述遮光区域包括至少两个遮光块，且远离所述衬底基板的遮光块向靠近所述衬底基板的遮光块的正投影，位于所述靠近所述衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的遮光层，所述遮光层包括多个遮光区域；覆盖所述遮光层的缓冲层；位于所述缓冲层上的半导体层；其中，各所述遮光区域包括至少两个遮光块，且远离所述衬底基板的遮光块向靠近所述衬底基板的遮光块的正投影，位于所述靠近所述衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块具有相同材料，且各所述遮光块的材料包括以下至少一种：钼金属、钛金属或氮化钼金属。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块的材料不同；各所述遮光块具有与所述衬底基板平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块包括第一遮光块和第二遮光块，且所述第一遮光块的下表面与所述衬底基板接触。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光块的材料为钛金属，所述第二遮光块的材料为钼金属。6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于：所述第一遮光块的材料为氮化钼金属，所述第二遮光块的材料为钼金属或氮化钼金属。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：所述第一遮光...

【专利技术属性】
技术研发人员：文亮，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35