集成离子注入工艺的红外传感器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种红外传感器的制备方法，包括以下步骤：在一互连层上形成非晶硅层；在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；在敏感材料层表面以及沟槽底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极层图案。本发明专利技术在不改变器件的填充因子的条件下，提高了电连接接触面积。

Preparation method of infrared sensor for integrated ion implantation process

The invention provides a preparation method of the infrared sensor, which comprises the following steps: forming an amorphous silicon layer in an interconnect layer; on the amorphous silicon layer is etched in the support hole; the amorphous silicon layer on the surface of the supporting hole outside the first ion implantation, the formation of protective layer on top of the release; second ion injection hole wall support, forming a sidewall release protective layer; release protection layer and side wall at the top of the third release of protective layer surface ion implantation, forming a layer of sensitive material; in the sensitive material layer and the interconnection layer on the surface of the trench bottom exposed to form the electrode layer, and a patterned electrode layer, forming an electrode layer pattern. The invention improves the contact area of the electric connection without changing the filling factor of the device.

【技术实现步骤摘要】
集成离子注入工艺的红外传感器的制备方法
本专利技术涉及图像传感器
，具体涉及一种集成离子注入工艺的红外传感器的制备方法。
技术介绍
传统红外成像传感器结构使用集成支撑孔和电连接孔的结构，通常为大孔内嵌套小孔，制备该结构的工艺复杂，且该结构占用面积较大，电连接接触面积受到整体填充因子的限制会相对较小，还会引起寄生电阻的增大。因此，急需实现在器件整体填充因子的限制下提高电连接接触面积的方法。
技术实现思路
为了克服以上问题，本专利技术旨在提供一种红外传感器的制备方法，利用离子注入来形成敏感材料层和底部释放保护层，从而提高电连接接触面积。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种红外传感器的制备方法，包括以下步骤：步骤01：在一互连层上形成非晶硅层；步骤02：在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；步骤03：对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；步骤04：对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；步骤05：在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；步骤06：在敏感材料层表面以及支撑孔底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在一互连层上形成非晶硅层；步骤02：在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；步骤03：对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；步骤04：对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；步骤05：在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；步骤06：在敏感材料层表面以及支撑孔底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极层图案。

【技术特征摘要】
1.一种红外传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在一互连层上形成非晶硅层；步骤02：在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；步骤03：对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；步骤04：对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；步骤05：在顶部释放保护层和侧壁释放保护层表面进行第三次离子注入，形成敏感材料层；步骤06：在敏感材料层表面以及支撑孔底部暴露的互连层表面形成电极层，并图案化电极层，形成电极层图案。2.根据权利要求1所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，第一次离子注入采用氧离子注入，形成顶部二氧化硅释放保护层。3.根据权利要求2所述的红外传感器的制备方法，其特征在于，第一次离子注入采用垂直于非晶硅层表面的注入角度。4.根据权利要求2所述的红外传感器的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31