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本发明提供了一种红外传感器的制备方法，包括以下步骤：在一互连层上形成非晶硅层；在非晶硅层中刻蚀出支撑孔；对支撑孔之外的非晶硅层表面进行第一次离子注入，形成顶部释放保护层；对支撑孔侧壁进行第二次离子注入，形成侧壁释放保护层；在顶部释放保护层和...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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