为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法技术

本发明专利技术公开了一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，具体步骤为：1）在多晶硅表面形成多晶硅氧化层；2）在氮化硅衬底上侧面上淀积修复层，所述修复层将多晶硅氧化层和氮化硅衬底上侧面的裸露区域全部覆盖；3）进行初次刻蚀，对修复层进行刻蚀，刻蚀后，所述裸露区域表面仍保留有一定厚度的修复层；4）进行二次刻蚀，将所述裸露区域表面的修复层刻蚀掉，刻蚀后，多晶硅根部残留有修复层；所述多晶硅氧化层和残留在多晶硅根部的修复层即形成层间绝缘层；本发明专利技术的有益技术效果是：提出了一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，该方法能够对多晶硅氧化层的生长缺陷进行修复，从而得到质量符合要求的层间绝缘层。

Method for producing interlayer insulating layer for multi layer polysilicon

The invention discloses a method for making polysilicon multi-layer interlayer insulating layer, which comprises the following steps: 1) forming a polysilicon oxide layer on the polysilicon surface; 2) on the silicon nitride substrate deposited on the side of the repair layer, the repair layer of the polysilicon oxide layer and the silicon nitride substrate on the side surface of the bare area covering all 3; for the first time) etching, etching, etching on the repair layer, the exposed area still retains the repair surface layer with a certain thickness; 4) were two times the etching, the bare area surface repair layer etched after etching, polycrystalline silicon layer with residual root repair; the polycrystalline silicon oxide layer and the residual root repair layer on the polysilicon layer insulation layer is formed; the beneficial effect of the invention is: a method for making polysilicon multi-layer interlayer insulating layer, the method is able to The growth defects of the polysilicon oxide layer are repaired so as to obtain the interlayer insulating layer which meets the required quality.

【技术实现步骤摘要】
为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法
本专利技术涉及一种CCD制作工艺，尤其涉及一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法。
技术介绍
现有技术在制作CCD时，通常采用多层多晶硅布线结构，多层多晶硅之间用多晶硅氧化层作为层间绝缘层(也叫层间绝缘介质层)；不同层次多晶硅之间需要满足一定的击穿电压强度要求，击穿电压大小由层间绝缘层的质量决定，具体来说，层间绝缘层的厚度直接决定了击穿电压大小，层间绝缘层越厚，击穿电压就越高，但层间绝缘层也不能太厚，如果太厚又会影响到电荷信号的转移效率；根据现有理论可知，层间绝缘层的厚度一般以100nm～250nm为宜。现有技术在制作层间绝缘层时，一般先制作出相应的多晶硅，然后采用热氧化工艺对器件进行处理，使多晶硅表面生长出多晶硅氧化层，多晶硅氧化层即形成层间绝缘层；存在的问题是：专利技术人将前述工艺用于氮化硅衬底的多层多晶硅布线结构制作时，制作出的器件的层间击穿电压仅有12V～18V(行业标准一般要求层间击穿电压要大于40V)；专利技术人就前述问题进行了大量研究，在研究过程中发现，造成器件层间击穿电压过低的原因是：由于氮化硅表面无法进行热氧化生长，在多晶硅根部(也即本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，包括氮化硅衬底和层叠在氮化硅衬底上侧面上的多层多晶硅，在层叠方向上相邻的两层多晶硅之间设置有层间绝缘层；其特征在于：按如下方法制作层间绝缘层：1)采用热氧化工艺，在多晶硅表面形成多晶硅氧化层；2)采用化学气相沉积工艺，在氮化硅衬底上侧面上淀积修复层，所述修复层将多晶硅氧化层和氮化硅衬底上侧面的裸露区域全部覆盖；3)采用干法刻蚀工艺，对修复层进行刻蚀，刻蚀后，所述裸露区域表面仍保留有一定厚度的修复层；4)采用湿法刻蚀工艺，将所述裸露区域表面的修复层刻蚀掉，刻蚀后，多晶硅根部残留有修复层；所述多晶硅氧化层和残留在多晶硅根部的修复层即形成层间绝缘层；所述修复层的...

【技术特征摘要】
1.一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，包括氮化硅衬底和层叠在氮化硅衬底上侧面上的多层多晶硅，在层叠方向上相邻的两层多晶硅之间设置有层间绝缘层；其特征在于：按如下方法制作层间绝缘层：1)采用热氧化工艺，在多晶硅表面形成多晶硅氧化层；2)采用化学气相沉积工艺，在氮化硅衬底上侧面上淀积修复层，所述修复层将多晶硅氧化层和氮化硅衬底上侧面的裸露区域全部覆盖；3)采用干法刻蚀工艺，对修复...

【专利技术属性】
技术研发人员：向鹏飞，雷仁方，杨修伟，曲鹏程，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50