一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法技术

本发明专利技术提供了一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法。所述适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在所述宽尺寸沟槽进行第二次多晶硅填充，并形成所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行回刻处理，以去除所述宽尺寸沟槽以外的第二多晶硅层。

A polysilicon filling method suitable for wide size trench

The present invention provides a polysilicon filling method suitable for wide size grooves. The suitable width of polysilicon trench filling method includes: the first polysilicon filled in the width of trench, forming a first polysilicon layer; the first polysilicon layer surface oxidation, forming a silicon dioxide layer; on the SiO2 layer and the first polycrystalline silicon layer etching treatment; silicon dioxide layer the width of the trench is removed, the effective width of the width of trench is filled with a first polysilicon layer so that the width of the narrow groove; the second polycrystalline silicon is filled in the groove width, and formed the second polysilicon layer; the second layer of polysilicon etching processing. In order to remove the second polysilicon layer outside the groove width.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法
本专利技术涉及半导体芯片制造
，特别地，涉及一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法。
技术介绍
在半导体芯片制造中，经常会出现需要对沟槽进行填充以及对填充物进行回刻。然而，在利用多晶硅作为填充物进行沟槽填充以及对填充物进行回刻的过程中，经常会出现以下现象：对于开口尺寸越大的沟槽，填充物的填充效果越差，且在对填充物进行回刻之后，填充物表面的形貌越差，比如出现很深的凹坑等。因此，对于宽尺寸沟槽的上述问题会给后续的工艺带来一系列困难。有鉴于此，有必要提供一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法，以解决现有技术存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法。本专利技术提供的适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法，包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法，其特征在于，包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在所述宽尺寸沟槽进行第二次多晶硅填充，并形成所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行回刻处理，以去除所述宽尺寸沟槽以外的第二多晶硅层。

【技术特征摘要】
1.一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法，其特征在于，包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回刻处理；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅层去除，其中所述宽尺寸沟槽内部填充的第一多晶硅层使得所述宽尺寸沟槽的有效宽度变窄；在所述宽尺寸沟槽进行第二次多晶硅填充，并形成所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行回刻处理，以去除所述宽尺寸沟槽以外的第二多晶硅层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在硅衬底形成氧化层和氮化层；在所述氧化层和氮化层形成刻蚀窗口，并基于所述刻蚀窗口对所述硅衬底进行刻蚀并形成所述宽尺寸沟槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为二氧化硅，其是800℃～1300℃的生长条件下在所述硅衬底表面生长而成，且其厚度为0.05μm～3.00μm。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化层的材料为氮化硅，其是在500℃～1000℃的生长条件下在所述氧化层表面生长而成，且其厚度为0.05...

【专利技术属性】
技术研发人员：张欣，
申请(专利权)人：张欣，
类型：发明
国别省市：湖南,43