一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜的图案化制备方法，该方法通过模板与衬底构筑微通道，利用薄膜前驱液液滴对基片的浸润作用产生的驱动力使液滴在微通道内移动而实现薄膜的图形化。本方法简便可行，适应范围广，可用于实现各类薄膜前驱液溶液或者悬浮液的图案定制。本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述的薄膜晶体管的半导体沟道层、绝缘栅介质层、源漏电极层以及栅电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。本发明专利技术还公开了一种忆阻器的制备方法，所述的忆阻器的底电极层，阻变层和顶电极层中的任一层采用上述薄膜的图案化制备方法制备。

Method for preparing patterned film, thin film transistor and memristor

The invention discloses a preparation method of a patterned thin film, the method for constructing the micro channel through the template and the substrate, the driving force of the liquid in the micro channel and mobile film graphic film produced by the precursor liquid droplet on the substrate wetting effect. The method is simple and feasible, and has wide range of application, and can be used to realize the pattern customization of various film precursor liquid solutions or suspensions. The invention discloses a preparation method of a thin film transistor, thin film transistor, wherein the semiconductor channel layer, insulated gate dielectric layer, a source drain electrode layer and any gate electrode layers in the patterned film preparation method. The invention also discloses a method for preparing a memristor, wherein, the bottom electrode layer of the memristor, and any layer in the barrier layer and the top electrode layer are prepared by the patterning process of the film.

【技术实现步骤摘要】
一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法
本专利技术涉及薄膜制备
，特别是涉及一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法。
技术介绍
由于不需要真空条件，仪器设备简单，可在各种基体表面镀膜，湿法镀膜技术在实现电子元器件薄膜及其他种类薄膜的低温低成本大面积制备方面具有独特的优势，在薄膜制备领域得到广泛应用。湿法镀膜技术主要有提拉法，旋涂法等，此类方法基于特定组分的前驱液，通过镀膜以及后续的热处理等操作得到所需的薄膜。对于湿法镀膜工艺，一般只能制备大面积上的整片薄膜而很难实现薄膜的图形化。对于此类镀膜工艺，如果要实现的薄膜的图形化，需要先进行薄膜的制备，再结合传统的湿刻蚀或者光刻等方法对薄膜进行图形化。这样的工艺存在工艺路线长，制程复杂以及造价高的问题，在实际应用中难免受到限制。通过微纳米转印技术也可以实现薄膜的图形化，转印的实现基于待转印材料对于模板和基底的粘附能不同，所以在实际应用中需要对基底材料进行表面处理。此外，转印效果还与模板揭开的速度等有关，由于影响因素较多，实际操作中很难保证转印的成功率。近年来，通过紫外光固化技术可以在镀膜的同时实现薄膜的图形化，但是该工艺要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形化薄膜的制备方法，包括：步骤1，准备薄膜前驱液，并选择衬底；步骤2，对所述衬底进行清洗，并对清洗后衬底的生长面进行亲水处理；步骤3，选择一预先准备的带有图案的模板，并将所述模板贴合并固定在亲水处理后的衬底上；步骤4，在模板与衬底形成的微孔道两端滴加所述薄膜前驱液，并使所述薄膜前驱液充分浸润模板两端；步骤5，静待，待观察到所述薄膜前驱液在微通道内不再移动，进行薄膜前驱液溶剂的蒸发处理，完成图形化薄膜的初步固化；步骤6，确认薄膜初步固化后去除模板，然后对衬底及之上的薄膜进行退火处理，完成薄膜的图形化制备。

【技术特征摘要】
1.一种图形化薄膜的制备方法，包括：步骤1，准备薄膜前驱液，并选择衬底；步骤2，对所述衬底进行清洗，并对清洗后衬底的生长面进行亲水处理；步骤3，选择一预先准备的带有图案的模板，并将所述模板贴合并固定在亲水处理后的衬底上；步骤4，在模板与衬底形成的微孔道两端滴加所述薄膜前驱液，并使所述薄膜前驱液充分浸润模板两端；步骤5，静待，待观察到所述薄膜前驱液在微通道内不再移动，进行薄膜前驱液溶剂的蒸发处理，完成图形化薄膜的初步固化；步骤6，确认薄膜初步固化后去除模板，然后对衬底及之上的薄膜进行退火处理，完成薄膜的图形化制备。2.如权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的衬底为硅片、热氧化硅片、载玻片、PET、PI、PDMS中的任一种。3.如权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的模板为基于柔性高分子的软模板或与衬底形成微通道的硬质模板。4.如权利要求1或3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁凌燕，吴卫华，曹鸿涛，肖鹏，宋安然，梁玉，余静静，陈涛，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江,33