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本发明公开了一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，具体步骤为：1）在多晶硅表面形成多晶硅氧化层；2）在氮化硅衬底上侧面上淀积修复层，所述修复层将多晶硅氧化层和氮化硅衬底上侧面的裸露区域全部覆盖；3）进行初次刻蚀，对修复层进行刻蚀，刻蚀后，所...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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