微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备。该用于修复微发光二极管缺陷的方法包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底(707)上形成对应于缺陷图案的微发光二极管(703b)；使修复载体衬底(707)上的微发光二极管(703b)与接收衬底上的缺陷位置对准，并使微发光二极管(703b)与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底(707)剥离微发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微发光二极管的修复方法、制造方法、装置和电子设备
本专利技术涉及用于显示的微发光二极管，更具体地，涉及一种用于修复微发光二极管缺陷的方法、一种用于制造微发光二极管装置的方法、一种微发光二极管装置以及一种包含微发光二极管装置的电子设备。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术正开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。在制造微发光二极管的过程中，首先在施主晶圆上形成微发光二极管，接着将微发光二极管转移到接受衬底上。接受衬底例如是显示屏。在制造微发光二极管过程中的一个困难在于如何将微发光二极管从施主晶圆上转移到接受衬底上。在现有技术中，一般通过静电拾取的方式来执行所述转移。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，在使用转移头阵列的制造过程中，微发光二极管用于相位改变的热预算受到限制，通常小于350℃，或者更具体地，小于200℃；否则，微发光二极管的性能会劣化。在使用转移头阵列的制造过程中通常需要两次转移，即，从施主晶圆到承载晶圆的转移以及从承载晶圆到接受衬底的转移。美国专利US8,333,860B1公开了一种用于传送微器件的传送头阵列，其中通过向传送头中的电极施加电压来拾取微器件。该专利在此全部引入作为参考。美国专利US8,426,227B1公开了一种用于形成微发光二极管阵列的方法，其中，使用传送头来将微发光二极管阵列转移到接受衬底上。该专利在此全部引入作为参考。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种用于修复微发光二极管缺陷的新技术方案。根据本专利技术的一个实施例，提供了一种用于修复微发光二极管缺陷的方法，包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底上形成对应于缺陷图案的微发光二极管；使修复载体衬底上的微发光二极管与接收衬底上的缺陷位置对准，并使其与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底剥离微发光二极管。优选地，形成对应于缺陷图案的微发光二极管的步骤包括：以缺陷图案将微发光二极管安装到临时衬底上；以及将临时衬底上的微发光二极管转移到修复载体衬底上。优选地，在临时衬底上涂覆有粘合剂，以及将微发光二极管安装到临时衬底上的步骤包括：使得激光透明的原始衬底上的微发光二极管与粘合剂接触；按照缺陷图案，用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及通过部分粘合剂释放，将按照缺陷图案的经剥离的微发光二极管保留在临时衬底上，而释放未剥离的微发光二极管。优选地，将临时衬底上的微发光二极管转移到修复载体衬底上的步骤包括：将临时衬底上的微发光二极管键合到修复载体衬底；以及通过完全粘合剂释放，将微发光二极管从临时衬底剥离。优选地，临时衬底上的微发光二极管通过聚合物薄膜被键合到修复载体衬底，以及在将微发光二极管从临时衬底剥离之后去除聚合物薄膜的至少一部分。优选地，所述粘合剂是紫外线照射胶带，以及所述临时衬底是PET板。优选地，通过UV曝光来执行所述部分粘合剂释放和完全粘合剂释放。优选地，部分粘合剂释放中所使用的曝光时间和能量小于标准曝光时间和能量，以及完全粘合剂释放中所使用的曝光时间或能量大于或等于标准曝光时间或能量。优选地，修复载体衬底是蓝宝石衬底。根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据本专利技术的方法修复接收衬底上的微发光二极管缺陷。根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种使用根据本专利技术的方法制造的微发光二极管装置。根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种电子设备，包含根据本专利技术的微发光二极管装置。另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本专利技术的每个实施例或权利要求的技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者
技术介绍
中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1示出了根据本专利技术的方法的一个示意性实施例的流程图。图2A至图2G示出了根据本专利技术的用于微发光二极管转移的一个例子。图3示出了根据本专利技术的方法的另一个示意性实施例的流程图。图4A至图4L示出了根据本专利技术的用于微发光二极管转移的另一个例子。图5示出了根据本专利技术的方法的又一个示意性实施例的流程图。图6A至图6F示出了根据本专利技术的用于红微发光二极管转移的例子。图7A至图7L示出了根据本专利技术的用于微发光二极管转移的又一个例子。图8示出了根据本专利技术的用于横向微发光二极管转移的一个例子。图9示出了根据本专利技术的用于横向微发光二极管转移的另一个例子。图10示出了根据本专利技术的方法的又一个示意性实施例的流程图。图11示出了根据本专利技术的方法的又一个示意性实施例的流程图。图12A至图12F示出了根据本专利技术的用于修复微发光二极管缺陷的一个例子。图13示出了根据本专利技术的方法的又一个示意性实施例的流程图。图14A至图14C示出了根据本专利技术的用于预排除缺陷微发光二极管的一个例子。图15A至图15B示出了根据本专利技术的用于预排除缺陷微发光二极管的另一个例子。图16A至图16B是图15B中方框A所示区域的放大视图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。下面参照附图来描述本专利技术的实施例和例子。图1示出了根据本专利技术的用于微发光二极管转移的方法的一个示意性实施例的流程图。如图1所示，在步骤S1100，在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管。所述激光透明的原始衬底例如可以是蓝宝石衬底、SiC衬底等等。所述微发光二极管可以用于被安装到显示屏面板上。本领域技术人员应当理解，可以在原始衬底上形成一个微发光二极管，或者也可以形成多个微发光二极管。例如，可以在激光透明的原始衬底上形成多个微发光二极管。所述多个微发光二极管可以形成阵列。在一个例子中，在激光透明的原始衬底上形成多个微发光二极管的情况下，原始衬底还可以被分割或划分成多个片，用于更加灵活的转移。在步骤S1200，使微发光二极管与接收衬底上预先设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于修复微发光二极管缺陷的方法，包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底上形成对应于缺陷图案的微发光二极管；使修复载体衬底上的微发光二极管与接收衬底上的缺陷位置对准，并使其与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底剥离微发光二极管。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于修复微发光二极管缺陷的方法，包括：获取接收衬底上的微发光二极管缺陷图案；在激光透明的修复载体衬底上形成对应于缺陷图案的微发光二极管；使修复载体衬底上的微发光二极管与接收衬底上的缺陷位置对准，并使其与缺陷位置处的接垫接触；以及从修复载体衬底侧用激光照射修复载体衬底，以从修复载体衬底剥离微发光二极管。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成对应于缺陷图案的微发光二极管的步骤包括：以缺陷图案将微发光二极管安装到临时衬底上；以及将临时衬底上的微发光二极管转移到修复载体衬底上。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在临时衬底上涂覆有粘合剂，以及将微发光二极管安装到临时衬底上的步骤包括：使得激光透明的原始衬底上的微发光二极管与粘合剂接触；按照缺陷图案，用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及通过部分粘合剂释放，将按照缺陷图案的经剥离的微发光二极管保留在临时衬底上，而释放未剥离的微发光二极管。4.根据权利要求3所述的方法，其中，将临时衬底上的微发光二极管转移到修复载体衬底上的步骤包括：将临...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹泉波，王喆，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37