北斗一体化封装电路制造技术

一种北斗一体化封装电路。本发明专利技术提供一种北斗一体化封装电路的方法。包括：主要载体为多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的芯片安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置芯片安装，位于其内部；位于顶部开腔层顶层盖板，其顶层盖板设置芯片安装；位于上方表面的芯片安装；位于陶瓷基板中间层，其内部设置的微波无源器件；位于多层陶瓷基板，其内部设置多层金属线路和金属过孔；位于陶瓷基板上方的金属屏蔽盖板。该陶瓷基板的多层金属线路，分别适用于信号的传输和多异质芯片的组装基板，并保证元器件间的信号隔离，最终实现北斗多异质芯片封装的一体化封装。

Beidou integrated packaging circuit

A Beidou integrated packaging circuit. The invention provides a method of Beidou integrated packaging circuit. Including: the main carrier is a multilayer ceramic substrate; below the open structure is located at the ceramic substrate, the chip set installation of its open, located in the interior; located on the ceramic substrate at the top of the chamber, the top chamber is arranged inside the chip installation, located in the interior; located on the top floor of the open cover, the top cover plate is provided with chip installation; located above the surface of the chip mounting; in the middle layer of ceramic substrate, microwave passive device which is arranged; in a multilayer ceramic substrate, which is arranged in multilayer metal lines and vias metal; metal shielding cover plate is positioned above the ceramic substrate. The line of multilayer metal ceramic substrate, substrate assembly transmission were applied to signal and heterogeneous chip, and ensure the signal isolation between components, to achieve the integration of heterogeneous multi chip package package compass.

【技术实现步骤摘要】
北斗一体化封装电路
本专利技术涉及一体化封装电路，特别涉及射频基带一体化集成的封装方法。
技术介绍
现有的北斗射频基带一体化电路，由于受射频和基带芯片不同材料制程的限制，无法实现SOC的高灵敏度集成要求。常规的SIP工艺通常由PCB基板，通过芯片堆叠组装而成，其结构参见图1，其大致包括：位于底部的PCB基板1；位于该PCB基板上方的芯片201，设置BGA焊球3，位于其上方的PCB基板2；其PCB基板2上方安装芯片301，以及位于该芯片301上方堆叠芯片302。现有的这种结构，信号的传输会受到多异质芯片201，301,302的影响，信号干扰较大，201,301,302异质芯片间干扰较大，无法大规模集成，无法解决多芯片集成带来的信号完整性问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种北斗一体化封装电路结构，可以使北斗多异质芯片高密度集成，并使信号完整性得到改善。为了实现上述目的，本专利技术提出一种北斗多异质芯片一体化封装电路，包括：位于主体的多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的元器件安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置元器件安装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种北斗一体化封装电路，其特征在于，包括：主体的多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的元器件安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置芯片安装，位于其内部；位于顶部开腔隔板，其顶层隔板设置芯片安装；位于陶瓷基板上方表面的元器件安装；位于陶瓷基板中间层，其内部设置的微波无源器件；位于多层陶瓷基板，其内部设置多层金属线路和金属过孔；位于陶瓷基板内部和表面的金属隔墙结构；位于陶瓷基板上方的金属屏蔽盖板。

【技术特征摘要】
1.一种北斗一体化封装电路，其特征在于，包括：主体的多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的元器件安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置芯片安装，位于其内部；位于顶部开腔隔板，其顶层隔板设置芯片安装；位于陶瓷基板上方表面的元器件安装；位于陶瓷基板中间层，其内部设置的微波无源器件；位于多层陶瓷基板，其内部设置多层金属线路和金属过孔；位于陶瓷基板内部和表面的金属隔墙结构；位于陶瓷基板上方的金属屏蔽盖板。2.根据权利要求1所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：该至少顶面和底面有开腔区域。3.根据权利要求1所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：该多层电路板至少包括25层，该顶层开腔区域由处于上方的9层构成，该下层区域由处于下方的12层构成。4.根据权利要求3所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：该多层电路板是LTCC材质的。5.根据权利要求4所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：该多层电...

【专利技术属性】
技术研发人员：于欢，黄勇，熊锦康，
申请(专利权)人：苏州博海创业微系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32