储存装置制造方法及图纸

一种储存装置，包括第一反相器、第二反相器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管。第一反相器的输出端和第二反相器的输入端皆耦接至第一数据节点，而第一反相器的输入端和第二反相器的输出端皆耦接至第二数据节点。第一晶体管和第二晶体管并联耦接于第一数据节点和第一输入输出节点之间。第三晶体管和第四晶体管并联耦接于第二数据节点和第二输入输出节点之间。第一晶体管和第三晶体管根据第一控制信号选择性地导通或不导通。第二晶体管和第四晶体管根据第二控制信号选择性地导通或不导通。本发明专利技术可同时改善储存装置的静态噪声容限和写噪声容限，从而强化储存装置的存储效能。

Storage device

A storage device includes a first inverter, a second inverter, a first transistor, a second transistor, a third transistor, and a fourth transistor. The output of the first inverter and the input of the second inverter are coupled to the first data node, while the input of the first inverter and the output of the second inverter are coupled to the second data node. The first transistor and the second transistor are connected in parallel with each other between the first data node and the first input and output node. The third transistor and the fourth transistor are connected in parallel with each other between the second data node and the second input and output node. The first transistor and the third transistor are selectively conducted or are not guided according to the first control signal. The second transistor and the fourth transistor selectively conduct or do not conduct the communication according to the second control signal. The invention can simultaneously improve the static noise margin and the write noise margin of the storage device, thereby enhancing the storage efficiency of the storage device.

【技术实现步骤摘要】
储存装置
本专利技术关于一种储存装置，特别是关于一种可同时提升静态噪声容限(StaticNoiseMargin，SNM)和写噪声容限(WriteNoiseMargin，WNM)的储存装置及其控制方法。
技术介绍
静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”的意义，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。反之，当电力供应停止时，静态随机存取存储器所储存的数据就会立刻消失，故其亦被称为易失性存储器(VolatileMemory)。然而，随着半导体制程越来越微缩，晶片的电压供应也逐渐变低。在低电压供应的环境下，静态随机存取存储器的静态噪声容限(StaticNoiseMargin，SNM)和写噪声容限(WriteNoiseMargin，WNM)等两项指标都会同时下滑，此趋势恐不利于静态随机存取存储器的实际应用效能。有鉴于此，确实有必要提出一种全新的电路设计，以克服先前技术所面临的问题。
技术实现思路
在较佳实施例中，本专利技术提供一种储存装置，包括：一第一反相器，具有一输入端和一输出端，其中该第一反相器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种储存装置，其特征在于，包括：第一反相器，具有输入端和输出端，其中该第一反相器的该输入端耦接至第二数据节点，而该第一反相器的该输出端耦接至第一数据节点；第二反相器，具有输入端和输出端，其中该第二反相器的该输入端耦接至该第一数据节点，而该第二反相器的该输出端耦接至该第二数据节点；第一晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其中该第一晶体管的该控制端用于接收第一控制信号，该第一晶体管的该第一端耦接至该第一数据节点，而该第一晶体管的该第二端耦接至第一输入输出节点；第二晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其中该第二晶体管的该控制端用于接收第二控制信号，该第二晶体管的该第一端耦接至该第一数据节点，而该...

【技术特征摘要】
1.一种储存装置，其特征在于，包括：第一反相器，具有输入端和输出端，其中该第一反相器的该输入端耦接至第二数据节点，而该第一反相器的该输出端耦接至第一数据节点；第二反相器，具有输入端和输出端，其中该第二反相器的该输入端耦接至该第一数据节点，而该第二反相器的该输出端耦接至该第二数据节点；第一晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其中该第一晶体管的该控制端用于接收第一控制信号，该第一晶体管的该第一端耦接至该第一数据节点，而该第一晶体管的该第二端耦接至第一输入输出节点；第二晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其中该第二晶体管的该控制端用于接收第二控制信号，该第二晶体管的该第一端耦接至该第一数据节点，而该第二晶体管的该第二端耦接至该第一输入输出节点；第三晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其中该第三晶体管的该控制端用于接收该第一控制信号，该第三晶体管的该第一端耦接至第二输入输出节点，而该第三晶体管的该第二端耦接至该第二数据节点；以及第四晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其中该第四晶体管的该控制端用于接收该第二控制信号，该第四晶体管的该第一端耦接至该第二输入输出节点，而该第四晶体管的该第二端耦接至该第二数据节点。2.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，还包括：第一字线，提供该第一控制信号；以及第二字线，提供该第二控制信号。3.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管皆为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。4.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管用于提升该储存装置的静态噪声容限和写噪声容限。5.根据权利要求1所述的储...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文晓，
申请(专利权)人：上海兆芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31