利用混合多芯片集成的光收发器制造技术

一种利用混合多芯片集成的光收发器。所述光收发器包括具有多个预制表面接合位点的PCB。第一芯片包括嵌入在覆盖电介质再分布层的电介质模制层内的多个电子装置的FOWLP封装，通过在电介质再分布层与多个预制表面接合位点之间分别接合多个导体球，同时暴露在电介质模制层中的多个模制通孔(TMV)内填充的焊接材料，将所述第一芯片设置在所述PCB上。光收发器还包括被配置为Sipho管芯的第二芯片，其包括嵌入基本上无需任何电子装置工艺的SOI晶片中的光子装置。第二芯片堆叠在所述第一芯片上方，其中，多个导体凸块分别接合到在多个TMV中的焊接材料。本公开的光收发器具有较低的寄生电容，同时保持简单封装工艺和低成本。

Optical transceiver using hybrid multichip integration

An optical transceiver using hybrid multichip integration. The optical transceiver includes an PCB having a plurality of preformed surface bonding sites. The FOWLP package includes a plurality of first chip electronic device embedded in dielectric layer in the dielectric cover molded redistribution layer inside, through re distribution in the dielectric layers and a plurality of prefabricated surface joining a plurality of conductor ball bonding sites respectively, while exposing a plurality of molding molded in the dielectric layer in the through hole (TMV) filled the welding material, the first chip is arranged on the PCB. The optical transceiver also includes a second chip configured as an Sipho core including a photonic device embedded in an SOI wafer that essentially requires no electronic device process. The second chip is stacked over the first chip in which a plurality of conductor bumps are bonded to the welding material in the plurality of TMV. The disclosed optical transceiver has a low parasitic capacitance while maintaining simple package process and low cost.

【技术实现步骤摘要】
利用混合多芯片集成的光收发器
本公开涉及光电集成，更具体地，涉及基于使用低成本扇出晶片级封装(FOWLP)架构和模制通孔(through-moldvia)(TMV)技术的管芯上封装多芯片堆叠集成的紧凑型光收发器。
技术介绍
随着科学技术的快速更新，计算机的处理速度和容量相应地增加。为了缩短在电子装置之间(例如，从LD驱动器/TIA到数字信号处理器DSP)或者在电子(驱动器/TIA)和光子(例如，CDR和PAM4ASIC)之间的常规引线接合的互连长度，人们已经开始在Si光子管芯中使用硅通孔(TSV)工艺来替代引线接合并且进行互连。然而，由于执行工艺和处理薄晶片的高成本，所以TSV工艺仍然准备用于大规模生产。此外，当前的基础设施和投资仅允许在12英寸晶片中进行精细的TSV工艺。这限制了在使用小于12英寸的衬底尺寸的各种技术中采用的基于TSV的互连的灵活性，例如，8英寸SiGe工艺、8英寸BiCMOS工艺、GaAs衬底工艺、InP衬底工艺、以及8英寸MEMS工艺。制造工艺的复杂性、低产量、低效的晶片面积使用以及扩展到高级电子设备非常昂贵，使TSV工艺不切实际地用于制造Si光子场产品。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用混合多芯片集成的光收发器，其特征在于，包括：PCB，具有多个预制表面接合位点；第一芯片，包括嵌入在覆盖电介质再分布层的电介质模制层内的多个电子装置，通过分别在所述多个预制表面接合位点经由多个导体球接合所述电介质再分布层同时暴露填充在多个模制通孔TMV中的焊接材料，将所述第一芯片设置在所述PCB上，所述多个TMV形成在所述电介质模制层中；以及第二芯片，包括嵌入在SOI晶片中的光子装置，所述第二芯片具有添加有多个导体凸块的前表面，所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上方，其中，在所述前表面上的所述多个导体凸块分别接合到所述多个TMV中的所述焊接材料。

【技术特征摘要】
2016.03.04 US 15/061,9411.一种利用混合多芯片集成的光收发器，其特征在于，包括：PCB，具有多个预制表面接合位点；第一芯片，包括嵌入在覆盖电介质再分布层的电介质模制层内的多个电子装置，通过分别在所述多个预制表面接合位点经由多个导体球接合所述电介质再分布层同时暴露填充在多个模制通孔TMV中的焊接材料，将所述第一芯片设置在所述PCB上，所述多个TMV形成在所述电介质模制层中；以及第二芯片，包括嵌入在SOI晶片中的光子装置，所述第二芯片具有添加有多个导体凸块的前表面，所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上方，其中，在所述前表面上的所述多个导体凸块分别接合到所述多个TMV中的所述焊接材料。2.根据权利要求1所述的光收发器，其特征在于，所述第一芯片包括在覆盖用于所述电介质再分布层的HD-8940PBO膜的扇出晶片级封装(FOWLP)架构下使用用于所述电介质模制层的嵌入绝缘片(EBIS)型材料封装在一起的多个电子管芯。3.根据权利要求1所述的光收发器，其特征在于，所述多个电子装置包括PAM4ASIC模块、驱动器模块、跨阻抗放大器模块以及多个AC耦合电容器。4.根据权利要求1所述的光收发器，其特征在于，所述多个导体球中的每个接合到嵌入在所述电介质再分布层中的第一导电焊盘。5.根据权利要求1所述的光收发器，其特征在于，填充在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁亮，拉达克里希南·L·纳贾拉詹，罗伯托·科乔利，
申请(专利权)人：颖飞公司，
类型：新型
国别省市：美国,US