被加工物的评价方法技术

提供被加工物的评价方法，能够对能够成为产品的被加工物的吸杂性进行评价。一种被加工物的评价方法，对在正面上形成有多个器件并且在内部形成有吸杂层的器件晶片的吸杂性进行评价。被加工物的评价方法包含如下的工序：激发光照射工序，对器件晶片照射用于激发出载流子的激发光；微波照射工序，分别对器件晶片的激发光的照射范围和激发光的照射范围外照射微波；测定工序，分别对来自器件晶片的微波MR的反射波的强度进行测定，导出从来自照射范围的反射波的强度中减去来自照射范围外的反射波的强度而得的差分信号；以及根据在测定工序中计算出的差分信号的强度对吸杂性进行判断的工序。

Method of evaluating a machined object

An evaluation method is provided for evaluating the gettering characteristics of a processed product that can become a product. A method of evaluating a process to evaluate the gettering characteristics of a device wafer having a plurality of devices formed on the front and forming a gettering layer inside. By the evaluation method of processing includes the following steps: the excitation light irradiation step on a device wafer irradiation is used to excite the carrier excitation light; microwave irradiation process, respectively to the device wafer of the excitation light irradiation range and emitting light irradiation range of microwave irradiation; Determination of microwave MR process respectively from the device wafer. The intensity of the reflected wave were measured. The intensity of reflection wave is derived from reflection from the irradiation range wave intensity is subtracted from the radiation outside the scope of a differential signal; and process according to the calculated in the measuring process of the difference in the intensity of the signal to judge the gettering of.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对被加工物的吸杂性进行评价的被加工物的评价方法。
技术介绍
近年来，为了器件的小型化等目的，将器件形成后的晶片(以下，称为器件晶片)加工得较薄。但是，例如，当对器件晶片进行研磨而使其薄至100μm以下时，对于器件而言存在如下的担心：抑制有害的金属元素的活动的吸杂性降低，会产生器件的动作不良。为了解决该问题，在器件晶片中形成捕获金属元素的吸杂层(例如，参照专利文献1)。在该加工方法中，通过按照规定的条件对器件晶片进行磨削，一边维持器件晶片的抗弯强度一边形成包含规定的应变层的吸杂层。专利文献1：日本特开2009-94326号公报关于对按照专利文献1所示的加工方法加工的器件晶片的吸杂性的评价，例如能够利用金属元素将器件晶片实际污染而进行。但是，该方法不能得到合格的器件芯片。也就是说，由于该评价方法利用金属元素将器件晶片实际污染，所以不能对能够成为产品的器件晶片进行评价。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供被加工物的评价方法，能够对能够成为产品的被加工物的吸杂性进行评价。为了解决上述的课题并达成目的，根据本专利技术，提供被加工物的评价方法，对在正面上形成有多个器件并且在内部形成有吸杂层的被加工物的吸杂性进行评价，该被加工物的评价方法的特征在于，包含如下的工序：激发光照射工序，对被加工物照射用于激发出载流子的激发光；微波照射工序，在实施了该激发光照射工序之后，分别对所述被加工物的所述激发光的照射范围和所述激发光的照射范围外照射微波；测定工序，在实施了该微波照射工序之后，分别对来自所述被加工物的所述微波的反射波的强度进行测定，导出从来自所述照射范围的反射波的强度中减去来自所述照射范围外的反射波的强度而得的差分信号；以及根据通过所述测定工序计算出的所述差分信号的强度对吸杂性进行判断的工序。优选所述微波的频率是26GHz。优选所述激发光的波长是349nm。本专利技术起到了能够对被加工物的吸杂性进行评价的效果。附图说明图1是示出第1实施方式的被加工物的评价方法的评价对象的器件晶片的立体图。图2是执行第1实施方式的被加工物的评价方法的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。图4是示出图1所示的器件晶片的吸杂层的状态不同的情况下的从器件晶片的背面反射的微波的强度的图。图5是示出图2所示的磨削研磨装置的评价装置的结构例的图。图6是示出执行本专利技术的第2实施方式的被加工物的评价方法的磨削研磨装置的评价装置的结构例的图。图7是示出通过图6所示的评价装置来测定参考差分信号值的器件晶片的测定位置的立体图。图8的(a)是示出执行本专利技术的第3实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图，图8的(b)是示出图8的(a)所示的加工装置的各工序的图。图9是示出执行本专利技术的第4实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图。图10是示出执行本专利技术的第5实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图。图11是示出执行本专利技术的第6实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图。图12是示出执行本专利技术的第7实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图。图13是示出执行本专利技术的第8实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图。图14是示出执行本专利技术的第9实施方式的被加工物的评价方法的加工装置的一例的俯视图。标号说明W：器件晶片(被加工物)；WS：正面；D：器件；G：吸杂层；L：激发光；R：照射范围；MT、MR：微波。具体实施方式一边参照附图一边对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细地说明。本专利技术并不仅限于以下的实施方式所记载的内容。并且，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员所能够容易想到的、实际上相同的构成要素。进而，能够对以下所记载的结构进行适当组合。并且，能够在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。〔第1实施方式〕根据附图对本专利技术的第1实施方式的被加工物的评价方法进行说明。图1是示出第1实施方式的被加工物的评价方法的评价对象的器件晶片的立体图。图2是执行第1实施方式的被加工物的评价方法的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨单元的结构例的立体图。第1实施方式的被加工物的评价方法(以下，简称为评价方法)是对作为被加工物的图1所示的器件晶片W的吸杂性进行评价的方法。如图1所示，器件晶片W是以硅为主要材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。在器件晶片W的正面WS上在由形成为格子状的多条分割预定线S划分出的区域内形成有器件D。即，在器件晶片W的正面WS上形成有多个器件D。在对器件晶片W的正面WS背侧的背面WR实施磨削加工等而使器件晶片W薄化至规定的厚度之后，在器件晶片W的内部形成吸杂层G并对吸杂层G的吸杂性进行评价。吸杂层G的吸杂性是指抑制对器件D有害的铜等金属元素的活动的效果的大小。在器件晶片W的正面WS上形成的器件D例如是存储器(闪速存储器或DRAM(DynamicRandomAccessMemory：动态随机存取存储器)等存储器)，来自背面WR的金属污染(例如，因铜元素造成的污染)会成为问题。另外，在第1实施方式中，被加工物是器件晶片W，但在本专利技术中，被加工物并不仅限于器件晶片W。第1实施方式的评价方法是通过图2所示的作为加工装置的磨削研磨装置1来执行的。磨削研磨装置1为了进行薄型化而对器件晶片W的背面WR进行磨削加工，并且为了使磨削加工后的器件晶片W的背面WR高精度地平坦化而且在器件晶片W内部形成吸杂层G而进行研磨加工。如图2所示，磨削研磨装置1主要具有：装置主体2；第1磨削单元3；第2磨削单元4；研磨单元5；设置在旋转工作台6上的例如4个保持单元7；盒8、9；对位单元10；搬入单元11；清洗单元13；搬出搬入单元14；评价装置20；以及未图示的控制单元。第1磨削单元3用于按照如下方式对器件晶片W的背面WR进行粗磨削加工：使具有安装在主轴的下端的磨削磨具的磨削磨轮31一边旋转一边沿着与铅直方向平行的Z轴方向对保持在粗磨削位置B的保持单元7上的器件晶片W的背面WR进行按压。同样地，第2磨削单元4用于按照如下方式对器件晶片W的背面WR进行精磨削加工：使具有安装在主轴的下端的磨削磨具的磨削磨轮41一边旋转一边沿着Z轴方向对保持在位于精磨削位置C的保持单元7上的粗磨削完成的器件晶片W的背面WR进行按压。在第1实施方式中，如图3所示，研磨单元5的安装在主轴的下端的研磨垫等干式的研磨工具51与保持单元7的保持面对置地配置。研磨单元5使研磨工具51一边旋转一边沿着Z轴方向对保持在位于研磨位置D的保持单元7的保持面上的精磨削完成的器件晶片W的背面WR进行按压。研磨单元5用于按照如下方式对器件晶片W的背面WR进行研磨加工：使研磨工具51沿着Z轴方向对器件晶片W的背面WR进行按压。研磨单元5使用干式的研磨工具51对器件晶片W的背面WR实施所谓干式研磨加工而在器件晶片W内部形成吸杂层G，该吸杂层G包含结晶构造产生了应变的应变层。此时维持了器件晶片W的抗弯强度。在第1实施方式中，器件晶片W的抗弯强度维持为1000MPa以上，但本专利技术并不仅限于此，只要设定为能够得到希望的器件强度的值即可。并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被加工物的评价方法，对在正面上形成有多个器件并且在内部形成有吸杂层的被加工物的吸杂性进行评价，该被加工物的评价方法的特征在于，包含如下的工序：激发光照射工序，对被加工物照射用于激发出载流子的激发光；微波照射工序，在实施了该激发光照射工序之后，分别对所述被加工物的所述激发光的照射范围和所述激发光的照射范围外照射微波；测定工序，在实施了该微波照射工序之后，分别对来自所述被加工物的所述微波的反射波的强度进行测定，导出从来自所述照射范围的反射波的强度中减去来自所述照射范围外的反射波的强度而得的差分信号；以及根据通过所述测定工序计算出的所述差分信号的强度对吸杂性进行判断的工序。

【技术特征摘要】
2016.03.28 JP 2016-0646211.一种被加工物的评价方法，对在正面上形成有多个器件并且在内部形成有吸杂层的被加工物的吸杂性进行评价，该被加工物的评价方法的特征在于，包含如下的工序：激发光照射工序，对被加工物照射用于激发出载流子的激发光；微波照射工序，在实施了该激发光照射工序之后，分别对所述被加工物的所述激发光的照射范围和所述激发光的照射范围外照射微波...

【专利技术属性】
技术研发人员：介川直哉，原田晴司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP