驱动电路、驱动模块以及电机驱动装置制造方法及图纸

提供了一种驱动电路、驱动模块以及电机驱动装置，其能够调节用于驱动功率半导体器件的驱动电流。该驱动电路包括：驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送至半导体器件的驱动信号的相移时间以及将所检测的时间与预设参考时间进行比较以控制驱动信号的相移时间；以及驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和定时控制单元的定时控制信号，提供用于在驱动单元的多个驱动器中选择被驱动的驱动器的选择信号。

Drive circuit, drive module, and motor drive device

A drive circuit, a drive module, and a motor drive device are provided that regulate the drive current used to drive a power semiconductor device. The driving circuit includes a drive unit, comprising a plurality of drivers, according to the selection signal to select the appropriate drive in a drive to determine the current level for the drive signal of the semiconductor device; a timing control unit, detection is transmitted to the semiconductor device driving signal phase shift time and the detection time and the preset reference time phase shift time to control the driving signal; and a driving control unit, a timing control signal according to the control signal and timing control unit from the outside, to provide a select signal for selecting driven drive in multiple drives in the drive unit.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年11月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0134748的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
本专利技术涉及驱动电路、驱动模块、用于驱动功率半导体器件的电机驱动装置。
技术介绍
在通常的功率半导体器件的驱动电路中，如以下相关技术文献所公开的，在使用诸如绝缘栅双极晶体管（IGBT）等的自关闭型功率半导体器件的情况下，向该功率半导体器件的栅极提供用于驱动该功率半导体器件的栅极驱动信号。但是，对于每个生产商，用于驱动功率半导体器件所需要的额定功率是不同的，以致于很难调节该功率半导体器件的开启和关闭速率。[相关技术文献]（专利文献1）韩国专利公开号第10-2004-0023936号
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了能够调节用于驱动功率半导体器件的驱动电流的驱动电路、驱动模块、电机驱动装置。根据本专利技术的一个方面，提供了一种驱动电路，包括：驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送到半导体器件的驱动信号的相移时间，以及将检测的时间与预设参考时间进行比较以控制该驱动信号的相移时间；以及驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和定时控制单元的定时控制信号，提供用于在驱动单元的多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的选择信号。定时控制单元可包括：检测器，检测传送至半导体器件的驱动信号的相移时间；设置器，设置参考时间；以及比较器，将由检测器检测的相移时间与由设置器设置的参考时间进行比较。定时控制单元可检测驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一个。检测器可检测传送至半导体器件的驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一个，设置器可设置参考上升时间和参考下降时间中的至少一个，以及比较器可将由检测器检测的上升时间和下降时间中的至少一个与由设置器设定的参考上升时间和参考下降时间中的至少一个进行比较，并提供比较结果。该驱动单元可进一步包括根据驱动控制单元的控制信号进行操作的基本驱动器。多个驱动器可以在驱动功率终端和地之间彼此并行连接，并且分别包括在驱动功率终端和地之间堆叠的至少两个晶体管。两个晶体管可以是P沟道金属氧化物半导体（PMOS）晶体管和N沟道MOS（NMOS）晶体管。基本驱动器可包括驱动功率终端和地之间堆叠的PMOS晶体管和NMOS晶体管。根据本专利技术的另一方面，提供了一种驱动模块，包括：至少一个驱动电路和开关单元，该驱动电路包括：驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送至该半导体器件的驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一个，将所检测的上升时间和下降时间的至少一个与预设参考上升时间和预设参考下降时间中的至少一个进行比较，以及将比较结果传送到驱动控制单元；以及驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和定时控制单元的定时控制信号，提供用于在驱动单元的多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的选择信号。该开关单元包括根据至少一个驱动电路的驱动信号进行开或关的半导体器件。该开关单元可包括在操作功率终端和地之间堆叠的至少两个半导体器件。该至少一个驱动电路可包括分别驱动至少两个半导体器件的第一和第二驱动电路。根据本专利技术的另一方面，提供一种电机驱动装置，包括：驱动电路组和逆变器。该驱动电路组包括多个驱动电路，每个驱动电路包括：驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送到半导体器件的驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一个，将所检测的上升时间和下降时间的至少一个与预设参考上升时间和预设参考下降时间的至少一个进行比较，以及将比较结果传送到驱动控制单元；驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和定时控制单元的定时控制信号，提供用于在驱动单元的多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的选择信号。该逆变器包括逆变器臂，每个逆变器臂都包括半导体器件，该半导体器件根据来自驱动电路组的多个驱动电路的驱动信号打开/关闭以驱动电机。该逆变器可包括分别具有堆叠在其内的至少两个功率转换装置的三相逆变器臂。该驱动电路组可包括：多个高侧驱动电路，分别驱动在三相逆变器臂的堆叠的至少两个功率转换装置中的高侧功率转换装置；以及多个低侧驱动电路，分别驱动在三相逆变器臂的堆叠的至少两个功率转换装置中的低侧功率转换装置。附图说明结合附图，从下面的详细描述中将能够更加清楚地理解上述以及本发明的其他方面、特征以及其他优点，其中：图1是根据本专利技术实施例的驱动电路的示意性构造图；图2到图4是示出根据本专利技术实施例的用于驱动电路中的定时控制单元的操作波形图；图5是根据本专利技术实施例的用于驱动电路中的驱动单元的示意性电路图；图6和图7是示出根据本专利技术实施例的用于驱动电路中的驱动控制单元的操作波形图；图8是示出根据本专利技术实施例的驱动电路的主要组件的操作波形图；图9是根据本专利技术实施例的驱动模块的示意性构造图；以及图10是根据本专利技术实施例的电机驱动装置的示意性构造图。具体实施方式下面将参考附图对本专利技术的实施例进行详细描述。但是，本专利技术可以以不同的形式体现，不应该理解为限制在这里所阐述的实施例中。而且，提供这些实施例以便对于所属
的技术人员来说，本公开是全面和完整的，以及这些实施例将能够全面地覆盖本专利技术的范围。在附图中，为了清楚，可能夸大元件的形状和尺寸，在全文中将使用相同的附图标记以指代相同的或类似的元件。图1是根据本专利技术实施例的驱动电路的示意性构造图。参考图1，根据本专利技术实施例的驱动电路100可包括驱动单元110，定时控制单元120，以及驱动控制单元130。驱动单元110可包括多个驱动器（未示出）以调整由驱动器驱动开关S的驱动电流，该驱动器是根据选择信号所选择的。参考图5将对其进行详细的描述。定时控制单元120可包括测量器121、设置器122以及比较器123。测量器121可测量传送到开关S的驱动信号的电压电平偏移时的相移时间，优选地，测量驱动信号的电压电平从低电平上升到高电平的上升时间和驱动信号的电压电平从高电平降到低电平的下降时间中的至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动电路，包括：驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在所述多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的相移时间，以及将所检测的时间与预设参考时间进行比较以控制所述驱动信号的所述相移时间；以及驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和所述定时控制单元的定时控制信号，提供用于在所述驱动单元的所述多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的所述选择信号。

【技术特征摘要】
2012.11.26 KR 10-2012-01347481.一种驱动电路，包括：
驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在所述多个驱动器
中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流
水平；
定时控制单元，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的
相移时间，以及将所检测的时间与预设参考时间进行比较以控制所
述驱动信号的所述相移时间；以及
驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和所述定时控制单元
的定时控制信号，提供用于在所述驱动单元的所述多个驱动器中选
择要被驱动的驱动器的所述选择信号。
2.根据权利要求1的驱动电路，其中，所述定时控制单元包括：
检测器，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的所述相
移时间；
设置器，设置所述参考时间；以及
比较器，将由所述检测器检测的所述相移时间和由所述设置器
设置的所述参考时间进行比较。
3.根据权利要求2的驱动电路，其中，所述定时控制单元检测所述驱
动信号的上升时间和下降时间中的至少一个。
4.根据权利要求3的驱动电路，其中，所述检测器检测传送至所述半
导体器件的所述驱动信号的所述上升时间和所述下降时间中的至少
一个，
所述设置器设置参考上升时间和参考下降时间中的至少一个，
以及
所述比较器将由所述检测器检测的所述上升时间和所述下降
时间中的至少一个与由所述设置器所设置的所述参考上升时间和所
述参考下降时间中的至少一个进行比较，并提供比较结果。
5.根据权利要求1的驱动电路，其中，所述驱动单元进一步包括根据
所述驱动控制单元的控制信号进行操作的基本驱动器。
6.根据权利要求1的驱动电路，其中，所述多个驱动器在驱动功率终
端和地之间彼此并行连接，并且分别包括在所述驱动功率终端和所
述地之间堆叠的至少两个晶体管。
7.根据权利要求6的驱动电路，其中，所述两个晶体管是P沟道金属
氧化物半导体（PMOS）晶体管和N沟道MOS（NMOS）晶体管。
8.根据权利要求5的驱动电路，其中，所述基本驱动器包括在驱动功
率终端和地之间堆叠的PMOS晶体管和NMOS晶体管。
9.一种驱动模块，包括：
至少一个驱动电路，包括：驱动单元，包括多个驱动器，并根
据选择信号在所述多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动
半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送至所
述半导体器件的所述驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一
个，将所检测的所述上升时间和所述下降时间中的至少一个和预设
参考上升时间和预设参考下降时间中的至少一个进行比较，并将比
较结果传送至驱动控制单元；以及所述驱动控制单元，根据来自外
部的控制信号和所述定时控制单元的定时控制信号，提供用于在所
述驱动单元的所述多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的所述选择
信号；以及
开关单元，包括根据所述至少一个驱动电路的所述驱动信号进
行导通或断开的半导体器件。
10.根据权利要求9所述的驱动模块，其中，所述开关单元包括在操作
功率终端和地之间堆叠的至少两个半导体器件。
11.根据权利要求10所述的驱动模块，其中，所述至少一个驱动电路包
括分别驱动所述至少两个半导体器件的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：许畅宰，方诚晚，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR