蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及电子工业领域，公开了一种蚀刻装置，包括：蚀刻区，其允许待蚀刻物品在其中进行蚀刻处理，且该蚀刻区的上部为突起状，该突起的外侧面与蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的；水封区，其由蚀刻装置的外壁内侧、突起的外侧面和蚀刻区的顶部形成，用于捕获由蚀刻区外漏的蚀刻气和/或蚀刻液。水封区还优选包括抽气孔，用于外排由所述蚀刻区外漏的蚀刻气和/或蚀刻液，且其高度高于水封区中流体的高度。通过在蚀刻装置中设置水封区，持续补给能够捕获蚀刻液和/或蚀刻气的流体并将蚀刻液和/或蚀刻气送至待处理处，可有效避免蚀刻液和/或蚀刻气外逸。在水封区高于流体的位置，优选设置一抽风口，可进一步降低蚀刻液和/或蚀刻气的外逸。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置
本技术涉及电子工业领域，具体地，涉及一种用于蚀刻处理的蚀刻装置。
技术介绍
许多电子产品例如电视、移动电话、冰箱或甚至在汽车中都可见与平板显示器的搭配应用。液晶显示面板由于具有良好的显示及触控质量以及相对较低的成本，目前已成为平板显示器的主流产品。一般来说，液晶显示及触控面板需经由一至二道蚀刻工艺，完成导电线路成型的工艺。蚀刻机使用的频度极高，各大面板厂在蚀刻房建制成本逐步提升。因此，对于作为蚀刻液的酸液气的腐蚀性防护处理，显的格外重要。因此，亟需这样的一种蚀刻装置，其能够有效避免酸蚀刻液和/或蚀刻气外泄，从而避免对人员可能发生的伤害及蚀刻房锈蚀。
技术实现思路
本技术的目的是为了提供一种能够有效避免蚀刻过程中蚀刻液和/或蚀刻气，例如，酸和/或酸气，外泄的技术方案。为了实现上述目的，本技术提供了一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括：蚀刻区，该蚀刻区允许待蚀刻物件在其中进行蚀刻处理，且该蚀刻区的上部呈突起状，所述突起的外侧面与所述蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的；水封区，该水封区由所述蚀刻装置的外壁内侧、所述突起的外侧面和所述蚀刻区的顶部所形成，该水封区用于捕获由所述蚀刻区外逸的蚀刻液和/或蚀刻气。优选的，所述突起为锥体状、圆柱状或多面体状。优选的，所述水封区通过流体入口和流体出口被持续的供给用于捕获外漏的蚀刻液和/或蚀刻气的流体。优选的，所述水封区还包括溢流出口，该溢流出口用于外排过量的流体，以使得所述水封区内的流体的高度等于或低于所述突起的高度。优选的，所述水封区还包括抽气孔，该抽气孔用于外排由所述蚀刻区外逸的蚀刻气和/或蚀刻液，且其高度高于水封区中流体的高度。优选的，所述蚀刻装置还包括内盖，该内盖用于封闭位于所述蚀刻区上部突起的开口。优选的，所述内盖是蚀刻气和/或蚀刻液可透过的。优选的，所述蚀刻装置还包括外盖，该外盖用于封闭整个蚀刻装置。优选的，所述外盖是蚀刻气和/或蚀刻液不可透过的。优选的，所述外盖呈水平状或中间高两端低的折角状。通过在蚀刻装置中设置水封区，在刻蚀机启动之后，在所述水封区内持续补给能够捕获蚀刻液和/或蚀刻气的流体并将捕获的蚀刻液和/或蚀刻气送至待处理处，可有效避免蚀刻液和/或蚀刻气外泄到蚀刻房里，造成污染锈蚀。优选的情况下，在水封区高于流体的位置，设置一抽风口，将蚀刻装置中剩余的蚀刻液和/或蚀刻气持续抽离，可进一步降低蚀刻液和/或蚀刻气的外逸。本技术的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是根据本技术一种实施方式的蚀刻装置的示意图。附图标记说明1蚀刻区2水封区21抽气孔3流体入口4流体出口5溢流口6内盖7外盖具体实施方式以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的术语如：“上部”是指蚀刻装置水平放置时，蚀刻区1水平线最高处所形成的突起；“突起的外侧面”是指突起部位背离蚀刻区1而面向水封区2的侧面；“蚀刻装置的外壁内侧”是指蚀刻装置外壳的内侧，也即，面向水封区2或是蚀刻区1的一面；“蚀刻区1的顶部”是指蚀刻区1未与蚀刻装置的外壁内侧间隔开的部分的水平线最高处。如图1所示，本技术提供了一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括蚀刻区1，该蚀刻区1允许待蚀刻物件在其中进行蚀刻处理，且该蚀刻区1的上部呈突起状，所述突起的外侧面与所述蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的；水封区2，该水封区2由所述蚀刻装置的外壁内侧、所述突起的外侧面和所述蚀刻区1的顶部所形成，该水封区2用于捕获由所述蚀刻区1外逸的蚀刻液和/或蚀刻气。根据本技术，一般情况下，所述蚀刻区1向外散逸的主要为蚀刻液所形成的蚀刻气或者为蚀刻区1的喷嘴喷洒蚀刻液所散逸成的微小液滴，而所述外漏的蚀刻液基本上是指由所述外逸的蚀刻气冷凝后所形成的蚀刻液滴和所述微小液滴。根据本技术，所述蚀刻区1的上部突起的形状没有特别的要求，只要其外侧面和所述蚀刻区1的顶部以及所述蚀刻装置的外壁内侧能够形成可存储流体的通道即可。例如，所述突起的形状可以为但不限于椎体状、圆柱状或多面体状。优选的，所述突起的形状为多面体状，更优选为长方体状(包括正方体状)。本技术提供的蚀刻装置还可以包括多个蚀刻区1和水封区2所形成的重复单元，例如，所述重复单元可以有多个，如可以有三个或四个。但技术并不限于此，还可以有更多个，如5个或6个。蚀刻液通常通过喷淋的方式喷洒在蚀刻区1内的待蚀刻物件上，当蚀刻装置包括蚀刻区1和水封区2的重复单元时，待蚀刻物件可以按照顺序依次在多个重复单元内分别经过一段时间的喷淋后，完成整个蚀刻处理。在技术的技术方案中，主要是在蚀刻装置中(蚀刻区1的外周)设置了水封区2，以吸收外逸的蚀刻液和/或蚀刻气，从而有效避免蚀刻液和/或蚀刻气的外漏给工作人员以及蚀刻房造成的危害，而并未对蚀刻装置的结构及其工作过程做重大改进，因此可以参考传统的蚀刻装置进行时刻处理。根据本技术，如图1所示的，所述突起还包括有向上的开口，由此，本技术所提供的蚀刻装置还包括用于封闭所述开口的内盖6和整个蚀刻装置的外盖7。其中，为了实现所述蚀刻区1内的水汽平衡，所述内盖6的材质是蚀刻液和/或蚀刻气所能够通透的(酸气或酸液因蚀刻槽内喷淋,蚀刻液呈现雾状的水汽，酸气流动性高，故内层盖板无法完全将酸气隔绝，因此，酸气可进入到内盖6和外盖7所形成的空间)，例如，可以为PVC材质。当所述蚀刻气穿透所述内盖6进入至内盖6和外盖7所形成的空间后，由于温度的降低，会部分冷凝形成蚀刻液滴从而粘附在所述外盖7的内侧(其中，所述外盖7的材质为蚀刻液和/或蚀刻气不可通透的，例如，可以为但并不限于不可通透的PVC材质)。当液滴不断增重至超过其负荷后便会滴落至所述水封区2中，而被水封区2中的流体带走。其中，本技术对于所述外盖7的形状没有特别的要求，其可以为水平状的，或是具有一定倾角的。优选的，为了便于所述蚀刻液滴能够更好的滴落至所述水封区2中，所述外盖7的形状优选为中间高而两端低的折角状。根据本技术，所述水封区2通过不断的流体流动而将滴落至水封区2中的蚀刻液带走，其中，本技术对于水封区2内的流体的种类并没有特别的限制，例如，其可以为纯水或碱水等，只要其能够将所述蚀刻液带离至待处理处而不会对蚀刻工艺造成影响即可。其中，如图1所示的，所述水封区2还包括流体入口3和流体出口4，所述流体的流动通过所述流体入口3和流体出口4不断的供给流体而完成。所述流体的流动速度本领域技术人员可以根据实际待处理的蚀刻液的情况进行调整。其中，优选的，为了进一步保证水封区2中的流体的高度不会超过所述突出部位以造成流体内漏至蚀刻区1中，所述水封区2还包括有溢流口5，以使得水封区2内的流体相对于所述突出的高度达到平衡状态。根据本技术，所述蚀刻区1中的蚀刻液可以为本领域任意的常规用于蚀刻的蚀刻液，本领域技术人员可以根据具体的情况而具体的选择，例如，所述蚀刻液为可以为酸。根据本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括：蚀刻区(1)，该蚀刻区(1)允许待蚀刻物件在其中进行蚀刻处理，且该蚀刻区(1)的上部呈突起状，所述突起的外侧面与所述蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的；水封区(2)，该水封区(2)由所述蚀刻装置的外壁内侧、所述突起的外侧面和所述蚀刻区(1)的顶部所形成，该水封区(2)用于捕获由所述蚀刻区(1)外逸的蚀刻液和/或蚀刻气。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括：蚀刻区(1)，该蚀刻区(1)允许待蚀刻物件在其中进行蚀刻处理，且该蚀刻区(1)的上部呈突起状，所述突起的外侧面与所述蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的；水封区(2)，该水封区(2)由所述蚀刻装置的外壁内侧、所述突起的外侧面和所述蚀刻区(1)的顶部所形成，该水封区(2)用于捕获由所述蚀刻区(1)外逸的蚀刻液和/或蚀刻气。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述突起为锥体状、圆柱状或多面体状。3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述水封区(2)通过流体入口(3)和流体出口(4)被持续的供给用于捕获外漏的蚀刻液和/或蚀刻气的流体。4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述水封区(2)还包括溢流口(5)，该溢流口(5)用于外排过量的流体，以使得所述水封区(2)内的流体的高度等于或低于所述突起的高度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文晟，
申请(专利权)人：东旭昆山显示材料有限公司，东旭集团有限公司，东旭科技集团有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32