一种用于导电玻璃的蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于导电玻璃的蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括以下重量份的原料：氢氟酸30～50份、磷酸20～30份、氟化钙5～10份、硫酸铵1～6份、硫酸镁1～6份、磷酸钾5～10份、氟化氢钾1～6份、硅酸钠6～12份、氟硼酸钠5～10份、琼脂1～5份、海藻酸钠1～6份、纳米二氧化硅1～3份、防冻剂0.2～0.6份、阴离子表面活性剂0.01～0.05份、硫酸溶液40～60份、去离子水120～160份。本发明专利技术的蚀刻液可以通过对导电玻璃基板表面的杂质进行溶解和蚀刻，达到去除基板表面杂质的技术效果，从而有效解决基板由于颗粒状附着而降低良率的问题。

Etching solution for conductive glass and preparation method thereof

The invention discloses a method for etching liquid and its preparing method of conductive glass, the etching liquid comprises the following raw materials in weight portion: 30 to 50 portions of hydrofluoric acid and phosphoric acid from 20 to 30, 5 to 10 portions of calcium fluoride and ammonium sulfate, 1 - 6, Magnesium Sulfate 1 - 6, 5 - 10 potassium phosphate a hydrogen fluoride potassium, 1 ~ 6, 6 ~ 12 sodium silicate, sodium fluoroborate 5 - 10, 1 - 5, sodium alginate and agar 1 - 6, 1 - 3, nano silica antifreeze 0.2 ~ 0.6, 0.01 ~ 0.05 anionic surfactants, sulfuric acid solution 40 ~ 60, 120 to 160 portions of deionized water. The etching liquid of the invention can be dissolved and etched by impurities on the conductive glass substrate surface, to effect removal of impurities on the surface of a substrate. The substrate so as to effectively solve the problems due to reduced yield of granular attachment.

【技术实现步骤摘要】
一种用于导电玻璃的蚀刻液及其制备方法
本专利技术涉及蚀刻液
，具体涉及一种用于导电玻璃的蚀刻液及其制备方法。
技术介绍
在平板显示器的制备工艺过程中，需要使用导电玻璃。随着生产厂家越来越多的采用将导电玻璃进行减薄的方法，导电玻璃的蚀刻成为重要的问题。通常使用的减薄方法有两种，一种是物理方法，即使用抛光粉进行抛光研磨，这种方法减薄时间长，精度不好控制，产品良率低；另一种方法为使用蚀刻液的化学蚀刻法，这种方法减薄时间短，设备投入小，且减薄液的成分简单，逐渐成为了主流技术方法。现有技术的蚀刻液对基板的蚀刻速率较快，蚀刻量不容易控制，有的无法有效溶解硅酸盐，有的会产生较强的电离作用，导致蚀刻速率不易控制，有时蚀刻液会产生大量气泡。因此，需要提供一种蚀刻液及蚀刻导电玻璃的方法，能够有效去除杂质，提高产品合格率，同时可以对导电玻璃基板的厚度控制提供保证。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种用于导电玻璃的蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液可以通过对导电玻璃基板表面的杂质进行溶解和蚀刻，达到去除基板表面杂质的技术效果，从而有效解决基板由于颗粒状附着而降低良率的问题。本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：一种用于导电玻璃的蚀刻液，包括以下重量份的原料：氢氟酸30～50份、磷酸20～30份、氟化钙5～10份、硫酸铵1～6份、硫酸镁1～6份、磷酸钾5～10份、氟化氢钾1～6份、硅酸钠6～12份、氟硼酸钠5～10份、琼脂1～5份、海藻酸钠1～6份、纳米二氧化硅1～3份、防冻剂0.2～0.6份、阴离子表面活性剂0.01～0.05份、硫酸溶液40～60份、去离子水120～160份；其中，硫酸溶液的质量浓度为10～20%。优选地，所述蚀刻液包括以下重量份的原料：氢氟酸42份、磷酸25份、氟化钙8份、硫酸铵2份、硫酸镁3份、磷酸钾6份、氟化氢钾3份、硅酸钠10份、氟硼酸钠7份、琼脂3份、海藻酸钠5份、纳米二氧化硅2份、防冻剂0.5份、阴离子表面活性剂0.02份、硫酸溶液50份、去离子水150份。优选地，所述防冻剂为乙二醇、丙三醇、二甘醇、乙二醇丁醚、乙二醇丁醚醋酸酯、二甲亚砜中的一种或多种的组合。优选地，所述阴离子表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、脂肪醇醚硫酸钠、乙氧基化脂肪酸甲酯磺酸钠中的一种或多种的组合。上述用于导电玻璃的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：（1）在冰浴条件下，使用恒压滴液漏斗将硫酸溶液缓慢滴加到去离子水中，混合搅拌30～50min后，再缓慢加入氢氟酸、磷酸，搅拌均匀后，放入超声清洗机中超声处理5～10min，得到混合酸溶液；（2）将混合酸溶液、氟化钙、硫酸铵、硫酸镁、磷酸钾、氟化氢钾、硅酸钠、氟硼酸钠、琼脂、海藻酸钠、纳米二氧化硅、防冻剂、阴离子表面活性剂依次加入反应釜中，升温至100～150℃，搅拌30～50min后，陈化30～50小时得到该蚀刻液。优选地，所述超声处理的频率范围为30～40KHz，超声功率为600W，超声温度为40～60℃。优选地，所述反应釜采用耐酸不锈钢反应釜，搅拌转速为60～80r/min。优选地，所述步骤（2）升温至135℃，搅拌40min后，陈化42小时得到该蚀刻液。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：（1）本专利技术的蚀刻液，可以通过对导电玻璃基板表面的杂质进行溶解和蚀刻，达到去除基板表面杂质的技术效果，从而有效解决基板由于颗粒状附着而降低良率的问题。（2）本专利技术的蚀刻液，选择了多种含氟物质，如氢氟酸、氟化钙、氟化氢钾、氟硼酸钠、作为氟离子的来源，配比合理，协同作用，调节了蚀刻液活性，防止反应过快或过慢，配合多种硫酸盐、磷酸盐、琼脂、海藻酸钠，纳米二氧化硅，起到缓释作用，防止腐蚀面的继续腐蚀，有利于形成均匀细微的毛面，减小蚀刻面的厚度，保持显示屏的画面真实美观。（3）本专利技术通过各原料的性能协同互补，蚀刻液处理后的导电玻璃透光率和雾化度较高，厚度质量稳定，表面不易留下划痕，具有良好的经济效益。具体实施方式以下结合具体实施例对专利技术作进一步详细的描述。实施例1一种用于导电玻璃的蚀刻液，包括以下重量份的原料：氢氟酸42份、磷酸25份、氟化钙8份、硫酸铵2份、硫酸镁3份、磷酸钾6份、氟化氢钾3份、硅酸钠10份、氟硼酸钠7份、琼脂3份、海藻酸钠5份、纳米二氧化硅2份、防冻剂丙三醇0.5份、阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠0.02份、硫酸溶液50份、去离子水150份；其中，硫酸溶液的质量浓度为20%。上述用于导电玻璃的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：（1）在冰浴条件下，使用恒压滴液漏斗将硫酸溶液缓慢滴加到去离子水中，混合搅拌40min后，再缓慢加入氢氟酸、磷酸，搅拌均匀后，放入超声清洗机中超声处理8min，得到混合酸溶液；超声处理的频率范围为30～40KHz，超声功率为600W，超声温度为46℃。（2）将混合酸溶液、氟化钙、硫酸铵、硫酸镁、磷酸钾、氟化氢钾、硅酸钠、氟硼酸钠、琼脂、海藻酸钠、纳米二氧化硅、防冻剂、阴离子表面活性剂依次加入耐酸不锈钢反应釜，搅拌转速为60r/min，升温至135℃，搅拌40min后，陈化42小时得到该蚀刻液。实施例2一种用于导电玻璃的蚀刻液，包括以下重量份的原料：氢氟酸36份、磷酸27份、氟化钙5份、硫酸铵3份、硫酸镁2份、磷酸钾7份、氟化氢钾5份、硅酸钠8份、氟硼酸钠6份、琼脂3份、海藻酸钠5份、纳米二氧化硅1份、防冻剂乙二醇0.2份、阴离子表面活性剂十二烷基磺酸钠0.03份、硫酸溶液50份、去离子水134份；其中，硫酸溶液的质量浓度为17%。上述用于导电玻璃的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：（1）在冰浴条件下，使用恒压滴液漏斗将硫酸溶液缓慢滴加到去离子水中，混合搅拌45min后，再缓慢加入氢氟酸、磷酸，搅拌均匀后，放入超声清洗机中超声处理7min，得到混合酸溶液；超声处理的频率范围为30～40KHz，超声功率为600W，超声温度为48℃。（2）将混合酸溶液、氟化钙、硫酸铵、硫酸镁、磷酸钾、氟化氢钾、硅酸钠、氟硼酸钠、琼脂、海藻酸钠、纳米二氧化硅、防冻剂、阴离子表面活性剂依次加入耐酸不锈钢反应釜，搅拌转速为65r/min，升温至140℃，搅拌36min后，陈化34小时得到该蚀刻液。实施例3一种用于导电玻璃的蚀刻液，包括以下重量份的原料：氢氟酸42份、磷酸26份、氟化钙7份、硫酸铵3份、硫酸镁5份、磷酸钾8份、氟化氢钾3份、硅酸钠10份、氟硼酸钠6份、琼脂3份、海藻酸钠5份、纳米二氧化硅2份、防冻剂二甘醇0.5份、阴离子表面活性剂脂肪醇醚硫酸钠0.03份、硫酸溶液52份、去离子水150份；其中，硫酸溶液的质量浓度为17%。上述用于导电玻璃的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：（1）在冰浴条件下，使用恒压滴液漏斗将硫酸溶液缓慢滴加到去离子水中，混合搅拌42min后，再缓慢加入氢氟酸、磷酸，搅拌均匀后，放入超声清洗机中超声处理6min，得到混合酸溶液；超声处理的频率范围为30～40KHz，超声功率为600W，超声温度为55℃。（2）将混合酸溶液、氟化钙、硫酸铵、硫酸镁、磷酸钾、氟化氢钾、硅酸钠、氟硼酸钠、琼脂、海藻酸钠、纳米二氧化硅、防冻剂、阴离子表面活性剂依次加入耐酸不锈钢反应釜，搅拌转速为80r/min，升温至150℃，搅拌50本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于导电玻璃的蚀刻液，其特征在于，包括以下重量份的原料：氢氟酸30～50份、磷酸20～30份、氟化钙5～10份、硫酸铵1～6份、硫酸镁1～6份、磷酸钾5～10份、氟化氢钾1～6份、硅酸钠6～12份、氟硼酸钠5～10份、琼脂1～5份、海藻酸钠1～6份、纳米二氧化硅1～3份、防冻剂0.2～0.6份、阴离子表面活性剂0.01～0.05份、硫酸溶液40～60份、去离子水120～160份；其中，硫酸溶液的质量浓度为10～20%。

【技术特征摘要】
1.一种用于导电玻璃的蚀刻液，其特征在于，包括以下重量份的原料：氢氟酸30～50份、磷酸20～30份、氟化钙5～10份、硫酸铵1～6份、硫酸镁1～6份、磷酸钾5～10份、氟化氢钾1～6份、硅酸钠6～12份、氟硼酸钠5～10份、琼脂1～5份、海藻酸钠1～6份、纳米二氧化硅1～3份、防冻剂0.2～0.6份、阴离子表面活性剂0.01～0.05份、硫酸溶液40～60份、去离子水120～160份；其中，硫酸溶液的质量浓度为10～20%。2.根据权利要求1所述的用于导电玻璃的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包括以下重量份的原料：氢氟酸42份、磷酸25份、氟化钙8份、硫酸铵2份、硫酸镁3份、磷酸钾6份、氟化氢钾3份、硅酸钠10份、氟硼酸钠7份、琼脂3份、海藻酸钠5份、纳米二氧化硅2份、防冻剂0.5份、阴离子表面活性剂0.02份、硫酸溶液50份、去离子水150份。3.根据权利要求1所述的用于导电玻璃的蚀刻液，其特征在于，所述防冻剂为乙二醇、丙三醇、二甘醇、乙二醇丁醚、乙二醇丁醚醋酸酯、二甲亚砜中的一种或多种的组合。4.根据权利要求1所述的用于导电玻璃的蚀刻液，其特征在于，所述阴离子表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十二...

【专利技术属性】
技术研发人员：武娟，
申请(专利权)人：合肥利裕泰玻璃制品有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34