纳米压印方法和在纳米压印方法中采用的抗蚀剂组合物技术

[目标]为了在纳米压印方法中能够抑制模型由粘合物质的污染和形成具有足够的耐刻蚀性的抗蚀剂图案。[构造]纳米压印方法采用抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含可聚合化合物和聚合引发剂，其各自具有吸收区域在250nm至500nm的范围内的吸收光谱性质。所述聚合引发剂的吸收区域的较长波长端波长(λi)比所述可聚合化合物的吸收区域的较长波长端波长(λm)长。所述抗蚀剂组合物的曝光通过具有满足预定关系式的光谱强度性质的光进行。

Nano imprint method and resist composition used in nano imprint method

[Objective] in order to suppress the contamination of the model by adhesive material in the nanoimprint process and to form resist patterns with sufficient resistance to etching. [Methods] structure nanoimprint resist composition, the resist composition comprising a polymerizable compound and a polymerization initiator, each having absorption spectra absorption region in the range of 250nm to 500nm in. The longer wavelength end wavelength (lambda I) of the absorption region of the polymeric initiator is longer than the longer wavelength end wavelength (lambda m) of the absorption region of the polymerizable compound. Exposure of the resist composition is performed by light having a spectral intensity characteristic of a predetermined relation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及采用在其表面上具有预定凸凹图案的模型的纳米压印方法，并且涉及在纳米压印方法中采用的抗蚀剂组合物。
技术介绍
例如由Willson等详细提出了采用紫外光可固化抗蚀剂组合物的纳米压印方法。例如，专利文献1公开了一种用于光学纳米压印的树脂，其展现作为用于作为干刻蚀抗蚀剂使用的紫外光可固化抗蚀剂组合物的代表性实例的高耐刻蚀性。此外，专利文献2公开了定义Ohnishi参数和环参数以便提高紫外光可固化抗蚀剂组合物的耐干刻蚀性。专利文献1和2的专利技术都采用具有300nm附近的吸收区域的紫外光可固化聚合引发剂，并且通过紫外线的照射固化抗蚀剂组合物。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]PCT日本公开号2007-523249[专利文献2]日本未审查专利公开号2007-186570然而，专利文献1中公开的方法展现相对于干刻蚀不足的耐刻蚀性，并且存在不可以在纳米压印之后采用抗蚀剂作为掩模的随后的基板处理中获得有益的处理精度的问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米压印方法，所述纳米压印方法包括以下步骤：采用模型，所述模型在其表面上具有细微的凸凹图案；在将所述抗蚀剂组合物用所述凸凹图案压制的同时，将涂布在所要处理的基板上的抗蚀剂组合物曝光，以固化所述抗蚀剂组合物；以及将所述模型与所述抗蚀剂组合物分离；其特征在于：所述抗蚀剂组合物包括可聚合化合物和聚合引发剂，所述可聚合化合物和聚合引发剂各自具有吸收区域在250nm至500nm的范围内的吸收光谱性质；所述聚合引发剂的吸收区域的较长波长端波长比所述可聚合化合物的吸收区域的较长波长端波长长；并且所述抗蚀剂组合物的曝光通过具有满足下面的式1的光谱强度性质的光进行：λb<λa≤λc  (1)其中λa是...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.30 JP 2011-2175521.一种纳米压印方法，所述纳米压印方法包括以下步骤：
采用模型，所述模型在其表面上具有细微的凸凹图案；
在将所述抗蚀剂组合物用所述凸凹图案压制的同时，将涂布在所要处
理的基板上的抗蚀剂组合物曝光，以固化所述抗蚀剂组合物；以及
将所述模型与所述抗蚀剂组合物分离；其特征在于：
所述抗蚀剂组合物包括可聚合化合物和聚合引发剂，所述可聚合化合
物和聚合引发剂各自具有吸收区域在250nm至500nm的范围内的吸收光
谱性质；
所述聚合引发剂的吸收区域的较长波长端波长比所述可聚合化合物
的吸收区域的较长波长端波长长；并且
所述抗蚀剂组合物的曝光通过具有满足下面的式1的光谱强度性质
的光进行：
λb<λa≤λc(1)
其中λa是与在所述曝光过程中照射的250nm至500nm的波长范围内
的光中的光谱强度性质相关的规定光发射波长，并且表示光发射强度相对
于最大峰值波长处的光发射强度为10％处的朝向较短波端的规定光发射
波长；
λb是与所述可聚合化合物的吸收光谱性质相关的规定吸收波长，并
且表示光吸收相对于最大峰值波长处的光吸收为10％处的较长波长端处
的规定吸收波长；并且
λc是与所述聚合引发剂的吸收光谱性质相关的规定吸收波长，并且表
示光吸收相对于最大峰值波长处的光吸收为10％处的较长波长端处的规
定吸收波长。
2.如权利要求1所述的纳米压印方法，其特征在于：
与所述抗蚀剂组合物中包含的全部所述可聚合化合物相关的Ohnishi
参数的加权平均值为3.5以下；并且
与全部所述可聚合化合物相关的环参数的加权平均值为0.3以上。
3.如权利要求1和权利要求2中任一项所述的纳米压印方法，其特

\t征在于：
与所述抗蚀剂组合物中包含的所述可聚合化合物中的至少一种相关
的Ohnishi参数为3.5以下，所述至少一种可聚合化合物的环参数为0.3
以上，并且所述至少一种可聚合化合物具有芳族基。
4.如权利要求1所述的纳米压印方法，其特征在于：
所述可聚合化合物包含选自由下面的通式I和通式II表示的化合物的
至少一种化合物：
通式I
其中Z表示包含芳族基的基团，并且R1表示氢原子，烷基，或卤素
原子
通式II
其中Ar2表示具有芳族基和n价(n是1至3的整数)的连接基团，X1表示单键或烃基，并且R1表...

【专利技术属性】
技术研发人员：大松祯，中村和晴，若松哲史，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP