图像传感器的制备方法技术

本发明专利技术提供的一种图像传感器的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源像素区及位于有源像素区周围的外围电路区；依次在所述半导体衬底上形成多层金属互连结构，且倒数第二层的金属互连结构的层间介质层中形成有刻蚀停止层；刻蚀所述有源像素区上方的层间介质层，刻蚀停止于所述刻蚀停止层，形成一沟槽；去除暴露出的所述刻蚀停止层。本发明专利技术中，增加刻蚀停止层，能够提高层间介质层刻蚀的均匀性，从而提高图像传感器的光学性能。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器的制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种图像传感器的制备方法。
技术介绍
在半导体
中，图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷耦合元件(CCD)和互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOSImageSensor，CIS)。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下，CMOS图像传感器由于具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点而逐渐取代CCD的地位。目前CMOS图像传感器被广泛应用于数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等领域之中。CMOS图像传感器由用于感测光的光电二极管和用于将所感测的光转换成电信号的CMOS逻辑电路组成。如果通过光电二极管接收了较多的光子，则光敏性得到提高。为了提高光敏性，可采取调制光路以便将光会聚到光电二极管的方法。其中，一种典型的会聚光的方法是使用微透镜，使得光被折射并聚焦到光电二极管上。现有的CMOS图像传感器制备过程为：在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源像素区及位于有源像素区周围的外围电路区；依次在所述半导体衬底上形成多层金属互连结构，且倒数第二层的金属互连结构的层间介质层中形成有刻蚀停止层；刻蚀所述有源像素区上方的层间介质层，刻蚀停止于所述刻蚀停止层，形成一沟槽；去除暴露出的所述刻蚀停止层。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源像素区及位于有源像素区周围的外围电路区；依次在所述半导体衬底上形成多层金属互连结构，且倒数第二层的金属互连结构的层间介质层中形成有刻蚀停止层；刻蚀所述有源像素区上方的层间介质层，刻蚀停止于所述刻蚀停止层，形成一沟槽；去除暴露出的所述刻蚀停止层。2.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。3.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为50nm～150nm。4.如权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述金属互连结构包括层间介质层、贯穿所述层间介质层的通孔及与所述通孔连接的焊盘。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31