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本发明提供的一种图像传感器的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源像素区及位于有源像素区周围的外围电路区；依次在所述半导体衬底上形成多层金属互连结构，且倒数第二层的金属互连结构的层间介质层中形成有刻蚀停止层；刻蚀所述有源像素...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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