线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法，属于陶瓷封装外壳技术领域。本发明专利技术包括陶瓷件和双列直插引线，陶瓷件的芯片安装区采用磨抛方式进行加工，对陶瓷件两端焊接陶瓷块后形成的封口面进行磨抛加工，磨抛后陶瓷封口面和芯片安装区平面度均≤1μm/mm或50μm。采用该方法制作的陶瓷外壳，平面度高、气密性高，能够满足平面度要求。

【技术实现步骤摘要】
线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法
本专利技术属于陶瓷封装外壳
，尤其涉及一种线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法。
技术介绍
常规的CDIP（ceramicdual-in-linepackage--陶瓷双列直插封装）陶瓷外壳由陶瓷件、双列直插引线以及金属封口环（可选）组成，其中陶瓷件采用多层氧化铝陶瓷钨金属化高温共烧工艺制作，一次成型，不用后期加工，之后陶瓷件与引线采用银铜焊料进行组装焊接。线阵电荷耦合器件（ChargeCoupleDevice，简称CCD）陶瓷外壳封装形式为CDIP类结构，由陶瓷件、双列直插引线两部分组成，陶瓷件材料为90％的氧化铝，引线材料为铁镍合金或铁镍钴合金。该类产品平面度要求高，陶瓷件通过高温共烧工艺一次成型无法满足要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法，采用该方法制作的陶瓷外壳，平面度高、气密性高，能够满足平面度要求。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，包括陶瓷件和双列直插引线，陶瓷件的芯片安装区采用磨抛方式进行加工，对陶瓷件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，包括陶瓷件（1）和双列直插引线（3），其特征在于，陶瓷件（1）的芯片安装区（2）采用磨抛方式进行加工，对陶瓷件（1）两端焊接陶瓷块（4）后形成的封口面（5）进行磨抛加工，磨抛后陶瓷封口面（5）和芯片安装区（2）平面度均≤1μm/mm或50μm。

【技术特征摘要】
1.一种线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，包括陶瓷件（1）和双列直插引线（3），其特征在于，陶瓷件（1）的芯片安装区（2）采用磨抛方式进行加工，对陶瓷件（1）两端焊接陶瓷块（4）后形成的封口面（5）进行磨抛加工，磨抛后陶瓷封口面（5）和芯片安装区（2）平面度均≤1μm/mm或50μm。2.根据权利要求1所述的线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，其特征在于，所述封口面（5）采用抛光机磨抛；所述芯片安装区（2）采用圆盘形砂轮磨抛。3.根据权利要求1所述的线阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，其特征在于，所述双列直插引线（3）的节距包括1.27mm、2.54mm，引线数≤200，所述陶瓷件（1）的外形尺寸为，长宽≤200.00mm×200.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：张倩，彭博，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13