光记录介质制造技术

本发明专利技术公开一种光记录介质，包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层。所述相变记录层具有通过SbxInyMz表示的平均组成，其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，所述第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。

Optical recording medium

The invention discloses an optical recording medium, comprising a reflecting layer, a first dielectric layer, a phase-change recording layer and a second dielectric layer. The phase change recording layer with average composition represented by SbxInyMz, wherein M is at least one of Mo, Ge, Mn and Al, and X, y and Z respectively in 0.70 = x = 0.92, 0.05 = y = 0.20 and z = 0.03 ~ 0.10 range, the premise is x+y+z = 1, the first dielectric layer containing zirconia composite or tantalum oxide, and the second dielectric layer containing chromium oxide or silicon nitride composite material.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光记录介质
本技术涉及一种具有相变记录层的光记录介质。
技术介绍
如今，广泛地使用堆叠多个记录层来进一步增加光记录介质的存储能力的技术。对于包含只读、可记录和可重写光记录介质在内的每种不同的光记录介质都研究了这种多层技术。提出的一种具有两个记录层结构的可重写多层光记录介质包含基板和第一记录层(L0层)、间隔层、第二记录层(L1层)和光透射层，这些层按这个顺序堆叠在基板上。在这种两层结构的光记录介质中，使用对于用于在第一记录层上记录和从第一记录层再现的激光透射的记录层(下文中为了方便起见，将这样的层称为“半透射记录层”)作为第二记录层。为了提供记录和再现信息的能力，通过堆叠例如电介质材料、金属材料和相变记录材料形成第二记录层。一般而言，第二记录层具有这样的结构，其中第一电介质层、反射金属层、第二电介质层、相变记录层和第三电介质层按这个顺序堆叠在间隔层上(例如参照专利文献1)。为了实现更大的存储能力，三个记录层结构的产品也已经商业化，其中第一记录层(L0层)、间隔层、第二记录层(L1层)、间隔层、第三记录层(L2层)和光透射层按照这个顺序堆叠在基板上。还提出用于增加记录密度的方法，其中包含减小最短记号长度以增加线方向上的密度并且在岸(land)和沟(groove)中都记录信息。在这样的两层或三层结构的记录介质中，较浅的层需要具有更高的透射率，使得能在离激光光束一侧最远的层上记录信息和从离激光光束一侧最远的层再现信息。在这种情况下，高吸收系数的记录层和反射层需要相对较薄。尤其是在让记录层较薄的情况下，结晶速度可能降低，使得重写记录速度可能降低，并且相变记录介质上的记录速度可能明显低于可记录介质上的记录速度。另一方面，一种改进相变记录介质上的记录速度的技术包含优化相变记录层用的材料以提高结晶速度。例如，为了这个目的，提议使用GeSbSn和InSb(例如参照专利文献2和3)和GaSbGe(例如参照专利文献4)作为相变记录材料。引用文献列表专利文献专利文献1：国际公开WO2008/018225专利文献2：日本特许公开2005-35058号专利申请专利文献3：日本特许公开2006-44215号专利申请专利文献4：日本特许公开2004-25801号专利申请
技术实现思路
本专利技术要解决的问题遗憾的是，专利文献2和3中说明的技术可能在执行高密度记录时提供的记录特性不够或者存储可靠性不够。另外，专利文献4关于存储可靠性未做说明。本技术的目的是提供一种光记录介质，它能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。问题的解决方案为了解决上述问题，本技术的第一方面涉及一种光记录介质，包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中相变记录层具有通过下面的化学式(1)表示的平均组成，第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。SbxInyMz...(1)该化学式中，M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1。本技术的第二方面涉及一种光记录介质，其包含两个或更多个记录层，每个记录层包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中，相变记录层具有通过下面的化学式(1)表示的平均组成，位置比离光接收侧最远的记录层浅的记录层中的x和y的总和大于最远的记录层中的x和y的总和，第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。SbxInyMz...(1)该化学式中，M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1。本专利技术的效果如上所述，本技术能在执行高密度和高线性速度记录时获得良好的记录特性，维持良好的盖写特性水平，并且获得较高的长期存储稳定性。附图说明图1A是示出根据本技术的一实施例的光记录介质的外观的示例的透视图。图1B是示出根据本技术的一实施例的光记录介质的构造的示例的剖视图。图2A是示出离光接收面最远的记录层的构造的示例的剖视图。图2B是示出离光接收面最远的记录层之外的其它记录层的构造的示例的剖视图。图3是示出根据本技术的修改后的实施例的光记录介质的构造的剖视图。图4是示出示例1的光盘的27到30的透射率与其相变记录层的厚度之间的关系的图表。具体实施方式将按照下面的顺序说明本技术的实施例。1光记录介质的构造2光记录介质的生产方法3有利效果4修改例[1光记录介质的构造]如图1A所示，根据本技术的一实施例的光记录介质10具有中心设有开口(下文中称为“中心孔”)的圆盘形状。请注意，光记录介质10的形状不限于这个示例并且可以是诸如卡片形状的任何其他形状。如图1B所示，根据本技术的一实施例的光记录介质10包含基板11和记录层L0、间隔层S1、记录层L1、间隔层S2、记录层L2…间隔层Sn、记录层Ln和用作覆盖层的光透射层12，这些层按照这个顺序堆叠在基板11的主表面上。就此而言，n是1、2或更大的整数。请注意，在下面的说明中，在不对记录层L0到Ln进行区别的情况下，记录层L0到Ln也称为记录层L。光记录介质10是相变光记录介质，其中通过激光光束照射将记录层L0到Ln的状态改变成非晶状态而在这些记录层上记录信息，并且通过将记录层L0到Ln的状态改变成结晶状态而从这些记录层上擦除信息。具体来说，使用入射在光透射层12一侧上的表面C上并且照射于记录层L0到Ln中的每一层的激光光束在光记录介质10上记录信息信号或者从光记录介质10再现信息信号。例如，在记录或再现信息信号时，波长在400nm到410nm范围内的激光光束被数值孔径在0.84到0.86范围内的物镜收集，然后从光透射层12一侧照射于记录层L0到Ln中的每一层。具有这样的特征的光记录介质10可以例如是多层可重写蓝光光盘(BD-RE)。用于在记录层L0到Ln上记录信息信号或从记录层L0到Ln再现信息信号的激光光束照射于表面C。下文中，表面C将称为光接收面C。在光记录介质10上执行记录是例如使用在沟Gv上记录信息信号的方法(沟记录法)或在岸Ld和沟Gv上都记录信息信号的方法(岸沟记录法)。为了增加记录密度，后一种方法更加优选。光记录介质10是能够执行高密度和高线性速度记录的光记录介质，其优选地具有14m/s到23m/s的最高记录线性速度和112nm或更小的最短记录记号长度。下文中，将分别说明光记录介质10的组件，具体而言是基板11、记录层L0到Ln、间隔层S1到Sn和光透射层12。(基板)基板11例如具有中心设有中心孔的圆盘形状。基板11的一个主表面是形成岸Ld和沟Gv的凹凸表面。记录层L0形成在该凹凸表面上。在本说明中，凹凸表面的凹入部分称为岸Ld，凹凸表面的凸起部分称为沟Gv。岸Ld和沟Gv可以具有诸如螺旋形状和同心圆形状等各种形状中的任一种。为了稳定线性速度、添加地址信息和其它目的，岸Ld和沟Gv也可以是蜿蜒的。基板11的尺寸(直径)例如选择成120mm。考虑到刚度，基板11的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光记录介质，其包括：反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中所述相变记录层具有通过化学式(1)SbxInyMz表示的平均组成，其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，所述第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.10 JP 2015-0239041.一种光记录介质，其包括：反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层，其中所述相变记录层具有通过化学式(1)SbxInyMz表示的平均组成，其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，所述第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。2.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第一电介质层包括含有氧化锆以及氧化铟和氧化硅中的至少一种的复合氧化物。3.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第一电介质层包括含有氧化锆和氧化铟的复合氧化物，并且具有20mol％到50mol％的氧化锆含量和10mol％到50mol％的氧化铟含量。4.根据权利要求1所述的光记录介质，其中所述第二电介质层包括含有氧化铬、氧化锆和氧化硅中的至少两种的复合...

【专利技术属性】
技术研发人员：田畑浩，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP