振荡电路、升压电路及半导体装置制造方法及图纸
Oscillation circuit, booster circuit, and semiconductor device
The subject is to provide an oscillation circuit, a boost circuit, and a semiconductor device that can reduce power consumption at a high supply voltage. The solution is: in the ring oscillator circuit oscillation circuit, inverter circuit substrate PMOS transistors connected with first supply voltage PMOS transistor source and supply current control inverter circuit first constant current element drain connection, first PMOS transistor constant current source and the first components of the power supply voltage is established the voltage above second supply voltage become VREG constant pressure connection.
【技术实现步骤摘要】
振荡电路、升压电路及半导体装置
本专利技术关于能够在高电源电压时降低功耗的振荡电路。
技术介绍
在能够电气删除/写入/读出数据的EEPROM等的非易失性存储器中，进行删除/写入动作时，需要对所选择的存储器单元施加电源电压VDD以上的高电压。利用使输入电压升压的充电泵电路来产生期望的高电压。利用充电泵电路的升压电路的输出电流由以下的式（1）表示。在此TCLK为振荡电路的时钟信号的振荡周期，fCLK为振荡电路的输出时钟信号的振荡频率，CCP为充电泵电路的电容器电容，VCLK为时钟信号的振幅（＝电源电压VDD）。由（1）式，向存储器单元供给的输出电流IOUT与电源电压VDD成比例。变得在高电源电压时所需以上地供给输出电流IOUT。作为结果存在消耗电流/功耗会较大增加的课题。为了解决这样的课题，提出如下的技术。（例如，参照专利文献1）图5是示出现有的振荡电路的一个例子的电路图。现有的振荡电路是将由串联连接的PMOS晶体管和NMOS晶体管构成的反相器电路3以奇数级级联连接而成环状的环形振荡器电路。对反相器电路3分别连接恒流元件2。各个恒流元件2与电源电路1连接。对构成环形振...
【技术保护点】
一种振荡电路，其特征在于具备：环形振荡器电路，将由串联连接的PMOS晶体管和NMOS晶体管构成的反相器电路以奇数级级联连接，将所述反相器电路以环状连接；第1恒流元件，由使既定电流流过所述反相器电路的PMOS晶体管构成；第2恒流元件，由使既定电流流过所述反相器电路的NMOS晶体管构成；以及电源电路，由第1电源电压产生第1偏置电压和第2偏置电压和第2电源电压，所述第2电源电压在所述第1电源电压为既定电压以上时为固定的电压，所述反相器电路的PMOS晶体管的源极与所述第1恒流元件的PMOS晶体管的漏极连接，衬底被输入所述第1电源电压，所述反相器电路的NMOS晶体管的源极与所述第2恒...
【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0555841.一种振荡电路，其特征在于具备：环形振荡器电路，将由串联连接的PMOS晶体管和NMOS晶体管构成的反相器电路以奇数级级联连接，将所述反相器电路以环状连接；第1恒流元件，由使既定电流流过所述反相器电路的PMOS晶体管构成；第2恒流元件，由使既定电流流过所述反相器电路的NMOS晶体管构成；以及电源电路，由第1电源电压产生第1偏置电压和第2偏置电压和第2电源电压，所述第2电源电压在所述第1电源电压为既定电压以上时为固定的电压，所述反相器电路的PMOS晶体管的源极与所述第1恒...
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