电荷泵电路及其单级电路制造技术

本实用新型专利技术提供电荷泵电路及其单级电路，能够自动选择较低者作为相应NMOS管体端的偏置电压，避免了NMOS管体端与漏端之间的寄生二极管可能导通的问题。所述的单级电路，包括主传输单元和辅助传输单元；主传输单元包括分别连接输入时钟和反相输入时钟的两个电容，分别交叉耦合连接在两个电容之间的两个PMOS管和第一、二主NMOS管；两个PMOS管的源端和体端均与输出端vout相连接；第一、二主NMOS管的源端均与输入端vin相连接；第一主NMOS管上设置有第一辅助传输单元；第二主NMOS管上设置有第二辅助传输单元；所述的电荷泵电路，包括N级逐级串联的电荷泵单级电路，其中N为大于1的正整数。本实用新型专利技术通过在主传输单元中主NMOS管上设置辅助传输单元。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路设计领域，具体为电荷泵电路及其单级电路。
技术介绍
电荷泵用于实现高于电源电压的内部电压，广泛应用于存储器、显示驱动等芯片中。图1是现有交叉耦合式电荷泵的电路原理图。交叉耦合式电荷泵包含两个NMOS管(MN1和MN2)、两个PMOS管(MP1和MP2)和两个电容(C1和C2)。MN1和MN2的源端(source)和体端(bulk)均与输入端vin相连接；MN1的漏端(drain)、MP1的漏端、MN2的栅端(gate)、MP2的栅端和电容C1的一端均连接在一起，即图1中的A点；电容C1的另一端接输入时钟clk；MN2的漏端、MP2的漏端、MN1的栅端、MP1的栅端和电容C2的一端均连接在一起，即图1中的B点；电容C2的另一端接输入时钟clkn，输入时钟clkn与输入时钟clk互相反相；MP1和MP2的源端和体端均与输出端vout相连接。如图3所示是其工作原理图，输入端vin的电平为v1，当时钟信号clk由高电平变为低电平，clkn由低电平变为高电平时，由于电容自举的作用，节点A处的电压会跳变到一个较低的电平v0，节点B处的电压会跳变到一个较高的电平v3，此时MN1本文档来自技高网...

【技术保护点】
电荷泵单级电路，其特征在于，包括主传输单元和辅助传输单元；所述主传输单元包括分别连接输入时钟和反相输入时钟的两个电容(C1、C2)，分别交叉耦合连接在两个电容(C1、C2)之间的两个PMOS管(MP1、MP2)和第一、二主NMOS管(MN1、MN2)；两个PMOS管(MP1、MP2)的源端和体端均与输出端vout相连接；第一、二主NMOS管(MN1、MN2)的源端均与输入端vin相连接；所述第一主NMOS管(MN1)上设置有第一辅助传输单元；所述第二主NMOS管(MN2)上设置有第二辅助传输单元；所述第一辅助传输单元包括两个辅助NMOS管(MNS1、MND1)；一个辅助NMOS管(MNS1)的...

【技术特征摘要】
1.电荷泵单级电路，其特征在于，包括主传输单元和辅助传输单元；所述主传输单元包括分别连接输入时钟和反相输入时钟的两个电容(C1、C2)，分别交叉耦合连接在两个电容(C1、C2)之间的两个PMOS管(MP1、MP2)和第一、二主NMOS管(MN1、MN2)；两个PMOS管(MP1、MP2)的源端和体端均与输出端vout相连接；第一、二主NMOS管(MN1、MN2)的源端均与输入端vin相连接；所述第一主NMOS管(MN1)上设置有第一辅助传输单元；所述第二主NMOS管(MN2)上设置有第二辅助传输单元；所述第一辅助传输单元包括两个辅助NMOS管(MNS1、MND1)；一个辅助NMOS管(MNS1)的源端和体端连接第一主NMOS管(MN1)的体端，栅端连接第一主NMOS管(MN1)的漏端，漏端连接第一主NMOS管(MN1)的源端；另一个辅助NMOS管(MND1)的源端和体端连接第一主NMOS管(MN1)的体端，栅端连接第一主NMOS管(MN1)的源端，漏端连接第一主NMOS管(MN1)的漏端；所述第二辅助传输单元包括两个辅助NMOS管(MNS2、MND2)；一个辅助NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁星，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61