延迟电路、振荡电路及半导体装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及延迟电路、具备该延迟电路的振荡电路及半导体装置。
技术介绍
对现有的延迟电路进行说明。图4是示出现有的延迟电路的电路图。 阳00引现有的延迟电路具备：反相器611、617、618 ;NM0S晶体管612 ;PM0S晶体管615、 616 ;电容613 ;恒流电路614 ;输入端子VIN;输出端子VOUT;电源端子101 ;W及接地端子 100。 图5是说明现有的延迟电路的动作的时间图。 阳0化]在提升电源端子101的电源电压V孤之后，输入端子VIN的电压为低电平（Lo)时， 节点631的电压成为高电平（Hi曲）而NMOS晶体管612导通、PMOS晶体管616截止。因 NMOS晶体管612导通而电容613放电，节点632成为低电平。此时，反相器617的反转输出 为高电平，因此节点633的电压成为高电平。因而，PMOS晶体管615被截止，输出端子VOUT 的电压成为低电平。 若输入端子VIN的电压变为高电平，则节点631的电压成为低电平而NMOS晶体管 612截止、PMOS晶体管616导通。因NMOS晶体管612截止而电容613开始充电并且...
【技术保护点】
一种延迟电路，其特征在于，具备：第一NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，栅极被输入输入信号；电容，连接在所述第一NMOS晶体管的漏极与接地端子之间；恒流电路，将电流流动至所述电容；第一反相器，其输入与所述恒流电路的输出端子连接；第二反相器，其输入与所述第一反相器的输出端子连接；第一耗尽型NMOS晶体管，其栅极和背栅极与接地端子连接，源极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接；第二NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接，栅极被输入所述输入信号；第三NMOS晶体管，其栅极与所述第一反相器的输出端子连接，源极及背栅极与所述第一耗尽型NMOS晶体管的漏...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：二瓶洋太朗，横山朋之，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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