频率选择电路制造技术

本申请提供了一种频率选择电路。该频率选择电路包括：第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，在该第一晶体管的第一端处接收输入电流；阻抗元件，耦接在该第一晶体管的第一端和控制端之间；第一电容元件，耦接至该第一晶体管的第一端；第二电容元件，耦接至该第一晶体管的控制端；以及第二晶体管，包括第一端、第二端和控制端，该第二晶体管的控制端耦接至该第一晶体管的控制端，该第二晶体管的第一端输出输出电流。本申请提供的频率选择电路可以在没有额外电流消耗的情况下实现高Q滤波。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及频率选择电路。
技术介绍
在现代电路设计中，诸如低通滤波器(low pass filter,LPF)的频率选择电路是对信号滤波时不可或缺的模块。例如，同相/正交调制器(inphase/quadrature modulator,IQM)可以与由无源RC(电阻器、电容器)滤波器级联而成的简单LPF协作以生成待传输的信号。当不期望的信号的频率接近所需信号时，这种LPF由于其低Q值将无法提供足够的抑制。为了获得更好的抑制，设计者需要级联更多级的RC滤波器，而这将占据更大的面积、生成更大的输出噪声并且可能使得所需信号恶化。因此，需要一种能够执行高Q滤波并降低输出噪声的频率选择电路。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种频率选择电路以有效地解决上述问题。依据本专利技术的一方面，提供一种频率选择电路。该频率选择电路包括：第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，在该第一晶体管的第一端处接收输入电流；阻抗元件，耦接在该第一晶体管的第一端和控制端之间；第一电容元件，耦接至该第一晶体管的第一端；第二电容元件，耦接至该第一晶体管的控制端；以及第二晶体管，包括第一端、第二端和控制端，该第二晶体管的控制端耦接至该第一晶体管的控制端，该第二晶体管的第一端输出输出电流。本专利技术提供的频率选择电路可以在没有额外电流消耗的情况下实现高Q滤波。在阅读各个附图中例示的优选实施例的如下详细描述之后，本专利技术的这些和其他目的对本领域技术人员来说无疑将变得显而易见。附图说明图1根据本专利技术的实施方式示出了频率选择电路100的电路示意图。图2根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图3根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图4根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图5根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图6根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图7根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图8根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图9根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图10根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图11根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路的电路示意图。图12A至图12C根据本专利技术的实施方式例示了不同的源负反馈类型。图13例示了现有技术中频率选择电路的电路示意图，其中第一晶体管是二极管接法的晶体管，并且二阶LPF耦接在第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极之间。图14A例示了由本申请提出的频率选择电路所实现的巴特沃斯滤波器的模拟频率响应。图14B例示了由图13所示的现有技术中频率选择电路所实现的低通滤波器的模拟频率响应。图15根据本专利技术的实施方式示出了发射机的框图。图16根据本专利技术的实施方式示出了接收机的框图。图17根据本专利技术的另一实施方式示出了接收机的框图。具体实施方式下面将参照附图详细描述示例性实施方式，使得能够容易被本领域技术人员所实现。创造性的思想可以体现为各种形式，并不限于本文所述的实施方式。简便起见，省略了对已知部分的描述，全文中相同的标号指代相同的元件。图1根据本专利技术的实施方式示出了频率选择电路100的电路示意图。频率选择电路100包括第一晶体管M1、阻抗元件ZA1、第一电容元件C1、第二电容元件C2和第二晶体管M2。阻抗元件ZA1包括电阻元件，例如电阻器R1。阻抗
元件ZA1耦接在第一晶体管M1的漏极和栅极之间。第一电容元件C1的一端耦接至第一晶体管M1的漏极。第一电容元件C1的另一端耦接到固定电压电平(例如，接地电压)。第一晶体管M1的栅极耦接至第二电容元件C2的一端和第二晶体管M2的栅极。第二电容元件C2的另一端耦接到固定电压电平(例如，接地电压)。第一电容元件C1和第二电容元件C2例如可由电容器实现。第一晶体管M1的漏极进一步耦接输入电流Ii，因而在第二晶体管M2的栅极形成控制电压Vo。响应于该控制电压Vo，第二晶体管M2在其漏极生成输出电流Io。第一晶体管M1的源极和第二晶体管M2的源极可以耦接到固定电压电平(例如，接地电压)。频率选择电路100的传递函数可以表示如下： H ( s ) = g m 2 g m 1 × 1 1 + C 1 + C 2 g m 1 s + R 1 C 1 C 2 g m 1 s 2 - - - ( 1 ) ]]>其中H(s)表示从输入电流Ii到输出电流Io的传递函数，gm1和gm2分别表示第一晶体管M1和第二晶体管M2的跨导(transconductance)，C1和C2分别表示第一电容元件C1和第二电容元件C2的电容值，R1表示电阻器R1的电阻值。根据公式(1)，频率选择电路100可以视为二阶电流模式滤波器。通过适当的选择公式(1)所示参数的值，品质因数(Q-factor)可以大于0.5。也就是说，频率选择电路100能够执行高Q滤波。此外，从图1可以得知，频率选择电路100不需要额外的共源共栅级(cascode stage)，因而可以扩大电压余量(voltage headroom)。在一些实施方式中，耦接至第一晶体管M1的阻抗元件可以包括电阻元件(例如，电阻器)和电感元件(例如，电感器)中的至少一个。图2根据本专利技术的另一实施方式示出了频率选择电路200的电路示意图。为了例示，图2中与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种频率选择电路，其特征在于，该频率选择电路包括：第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，在该第一晶体管的第一端处接收输入电流；阻抗元件，耦接在该第一晶体管的第一端和控制端之间；第一电容元件，耦接至该第一晶体管的第一端；第二电容元件，耦接至该第一晶体管的控制端；以及第二晶体管，包括第一端、第二端和控制端，该第二晶体管的控制端耦接至该第一晶体管的控制端，该第二晶体管的第一端处输出输出电流。

【技术特征摘要】
2015.04.28 US 62/153,622;2015.08.10 US 14/821,8851.一种频率选择电路，其特征在于，该频率选择电路包括：第一晶体管，包括第一端、第二端和控制端，在该第一晶体管的第一端处接收输入电流；阻抗元件，耦接在该第一晶体管的第一端和控制端之间；第一电容元件，耦接至该第一晶体管的第一端；第二电容元件，耦接至该第一晶体管的控制端；以及第二晶体管，包括第一端、第二端和控制端，该第二晶体管的控制端耦接至该第一晶体管的控制端，该第二晶体管的第一端处输出输出电流。2.根据权利要求1所述的频率选择电路，其特征在于，该阻抗元件包括电阻元件和电感元件中的至少一个。3.根据权利要求1所述的频率选择电路，其特征在于，该阻抗元件包括串联形式级联的多个子电路。4.根据权利要求3所述的频率选择电路，其特征在于，该多个子电路中每个子电路包括电阻器电容器RC滤波器。5.根据权利要求1所述的频率选择电路，其特征在于，该阻抗元件包括第三晶体管，该第三晶体管包括第一端、第二端和控制端，该第三晶体管的第一端耦接至该第一晶体管的控制端，该第三晶体管的第二端耦接至该第一晶体管的第一端，以及该第三晶体管的控制端由参考电压进行偏置。6.根据权利要求5所述的频率选择电路，其特征在于，该第三晶体管的第一端经由电阻元件耦接至该第一晶体管的控制端。7.根据权利要求6所述的频率选择电路，其特征在于，该阻抗元件还包括运算放大器，该运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端，该第一输入端耦接至该参考电压，该第二输入端耦接至该第三晶体管的第二端，该输出端耦接至该第三晶体管的控制端。8.根据权利要求1所述的频率选择电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟元鸿，徐明业，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71