制造半导体器件的方法技术

在一种制造半导体器件的方法中，隔离图案可以形成在衬底上以限定多个有源图案。有源图案可以从隔离图案凸出。初始多晶硅层可以形成在有源图案上以填充有源图案中的相邻有源图案之间的间隙。无导电性的离子可以被注入到初始多晶硅层中以形成无空隙的多晶硅层。有源图案在离子的注入期间维持它们的结晶状态。多晶硅层可以被图案化以在有源图案上形成虚设栅结构。源极/漏极区可以形成在有源图案的与虚设栅结构的侧面相邻的上部分处。

Method of manufacturing semiconductor device

In a method of manufacturing a semiconductor device, an isolation pattern can be formed on a substrate to define a plurality of active patterns. The active pattern may protrude from the isolation pattern. The initial polysilicon layer can be formed on the active pattern to fill the gap between the adjacent active patterns in the active pattern. No electrically conductive ions can be injected into the initial polysilicon layer to form an amorphous polysilicon layer. The active patterns maintain their crystalline state during implantation of ions. The polysilicon layer may be patterned to form a dummy gate structure on the active pattern. The source / drain regions can be formed in the active pattern of the upper portion adjacent to the side of the dummy gate structure.

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法
本专利技术构思涉及半导体器件和制造其的方法。更具体地，本专利技术构思涉及包括具有彼此间隔开的有源区的晶体管诸如鳍式场效应晶体管(finFET)的半导体器件，并且涉及制造其的方法。
技术介绍
近来，已经研制了包括鳍式场效应晶体管(finFET)的半导体器件。在包括finFET的半导体器件中，晶体管的有源区由彼此平行延伸的半导体材料的鳍形成。
技术实现思路
根据本专利技术构思，提供一种制造半导体器件的方法，其包括：在衬底上形成隔离图案以限定晶体材料的多个有源图案，所述多个有源图案从隔离图案凸出并彼此间隔开使得间隙存在于有源图案中的相邻有源图案之间；在有源图案上形成初始多晶硅层以填充间隙；使用电中性的掺杂剂离子注入，该掺杂剂注入到初始多晶硅层中以形成在其中无空隙的多晶硅层，其中有源图案在离子注入期间维持其结晶状态；图案化多晶硅层以在有源图案上形成虚设栅结构；以及在有源图案的与虚设栅结构的侧面相邻的上部分处形成源极/漏极区。根据本专利技术构思，还提供一种制造半导体器件的方法，其包括：形成晶体材料的有源图案，其每个在第一方向上纵向地延伸并在第二方向上彼此间隔开，使得间隙由有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成隔离图案以限定晶体材料的多个有源图案，所述有源图案从所述隔离图案凸出并且彼此间隔开使得间隙存在于所述有源图案中的相邻有源图案之间；在所述有源图案上形成初始第一多晶硅层以填充所述间隙；使用电中性的掺杂剂离子注入，所述掺杂剂注入到所述初始第一多晶硅层中以形成在其中无空隙的第一多晶硅层，其中所述有源图案的结晶性在所述离子注入期间被维持；图案化所述第一多晶硅层以在所述有源图案上形成虚设栅结构；以及在所述有源图案的与所述虚设栅结构的侧面相邻的上部分处形成源极/漏极区。

【技术特征摘要】
2016.03.18 KR 10-2016-00325661.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成隔离图案以限定晶体材料的多个有源图案，所述有源图案从所述隔离图案凸出并且彼此间隔开使得间隙存在于所述有源图案中的相邻有源图案之间；在所述有源图案上形成初始第一多晶硅层以填充所述间隙；使用电中性的掺杂剂离子注入，所述掺杂剂注入到所述初始第一多晶硅层中以形成在其中无空隙的第一多晶硅层，其中所述有源图案的结晶性在所述离子注入期间被维持；图案化所述第一多晶硅层以在所述有源图案上形成虚设栅结构；以及在所述有源图案的与所述虚设栅结构的侧面相邻的上部分处形成源极/漏极区。2.如权利要求1所述的方法，其中所述离子注入在100℃到700℃的温度下执行。3.如权利要求1所述的方法，其中所述离子注入以10keV到50keV的离子注入能量执行。4.如权利要求1所述的方法，其中所述离子注入以1E13/cm2到1E16/cm2的剂量执行。5.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂包括硅、碳和/或锗。6.如权利要求1所述的方法，其中所述初始第一多晶硅层形成为具有等于或大于所述有源图案中的相邻有源图案之间的所述间隙的第一宽度的1/2的厚度。7.如权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第一多晶硅层之后：在所述第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。8.如权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第一多晶硅层之后：用栅结构替代所述虚设栅结构。9.如权利要求1所述的方法，还包括在所述虚设栅结构的所述侧面上形成间隔物。10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成隔离图案以限定晶体材料的多个有源图案，所述有源图案从所述隔离图案凸出并且彼此间隔开，使得间隙存在于所述有源图案中的相邻有源图案之间；在所述有源图案上形成初始第一多晶硅层以填充所述间隙；使用电中性的掺杂剂离子注入，所述掺杂剂注入到所述初始第一多晶硅层中以形成在其中无空隙的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星旭，朴起宽，孙豪成，申东石，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR