RF MEMS隔离，串联和并联DVC和小型MEMS制造技术

本发明专利技术涉及一种用于高频通信的使RF MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距RF电极第一距离的第一位置和距RF电极第二距离的第二位置之间移动MEMS装置的开关元件来操作，所述第二距离不同于所述第一距离。上拉电极和/或下拉电极可以耦接至使MEMS装置与衬底隔离的电阻。

RF, MEMS isolation, series and shunt DVC and small MEMS

The invention relates to a method for high frequency communication RF MEMS device and the driving circuit substrate and isolation structure, DVC series and parallel structures, and the smaller MEMS array. The semiconductor device has one or more units, wherein the unit has a plurality of MEMS devices. MEMS device by applying the switching element is electrically biased to the pull-up or pull-down electrodes MEMS mobile device electrode between the first position from the first electrode distance and RF distance RF second electrode distance second position to operate, the second distance is different from the first distance. The pull-up electrode and / or pull-down electrode may be coupled to a resistor that isolates the MEMS device from the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及用于用于高频通信的使RF微机电系统(MEMS)装置与衬底和驱动电路隔离的结构、串联和并联数字可变电容器（DVC）的芯片结构、以及更小的MEMS阵列。
技术介绍
可变电容器可以被用来优化RF电路的性能，如天线和RF-滤波器。使用标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）批处理来制作这些装置可以确保这些装置的大规模生产和低成本。然而，由于RF信号与有损耗的硅衬底和单片CMOS有源电路的耦合，在硅上集成无源RF装置带来了一些挑战。这可能引入电、磁损失，电磁损失将减小这些电容的有效Q值和噪声/杂散扰乱，所有这些都会不利地影响整个系统的性能。因此，在本领域中需要在同一芯片上与CMOS电路集成的可变电容器。
技术实现思路
本专利技术一般涉及用于高频通信的使RFMEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构、串联和并联DVC芯片结构、以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：衬底；一个或更多个单元，布置在所述衬底上；一个或更多个MEMS装置，布置在所述每个单元中；以及一个或更多个电阻，布置在所述衬底以及所述一个或更多个单元之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.02 US 61/530,6771.一种半导体装置，包括：
衬底；
一个或更多个单元，布置在所述衬底上；
一个或更多个MEMS装置，布置在所述每个单元中；以及
一个或更多个电阻，布置在所述衬底以及所述一个或更多个单元之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个单元进一步包括一个
或更多个下拉电极和上拉电极。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述一个或更多个电阻电
耦接至所述上拉电极和下拉电极的一个或更多个。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其进一步包括布置在每个单元内
的RF电极，其中，每个MEMS装置包括开关元件，所述开关元件可以从距
RF电极第一距离的第一位置移动到距RF电极第二距离的第二位置，所述第二
距离不同于所述第一距离。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，至少一个单元的RF电极从
单元中心到所述单元的边缘逐渐变细。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个单元包括下拉电极和
上拉电极，且其中第一电阻耦接至所述下拉电极且第二电阻耦接至所述上拉电
极。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，每个单元包括RF电极。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一单元包括具有第一尺
寸的第一RF电极，且其中所述第二单元包括具有第二尺寸的第二RF电极，
所述第一尺寸与第二尺寸不同。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一单元具有第一数
量的MEMS装置，以及第二单元具有第二数量的MEMS装置，所述MEMS装
置的第二数量与所述MEMS装置的第一数量不同。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个单元包括RF电极。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第一单元包括具有第一
尺寸的第一RF电极，且其中所述第二单元包括第二尺寸的第二RF电极，所
述第二尺寸与所述第一尺寸不同。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一单元具有第一
数量的MEMS装置，且第二单元具有第二数量的MEMS装置，所述第一数量
与第二数量不同。
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·加迪，理查德·L·奈普，罗伯托·彼得勒斯·范卡普恩，阿奈兹·乌纳穆诺，
申请(专利权)人：卡文迪什动力有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US