The invention relates to a capacitive pressure sensor with high accuracy, which is characterized in that the substrate on the lower surface of the insulation layer and the upper plate, upper surface of the lower substrate in contact with the upper plate; the upper surface of a substrate disposed on the left side of the first convex part, second protrusions and third protrusions, surface the right side of the lower substrate fourth convex part and fifth projection, the first cavity formed a first projection and a second projection, second cavity formed second projection and a third projection, third cavity formed third projection and a fourth projection, fourth cavity formed fourth projection and a fifth projection, in the first the cavity, second cavity, third cavity and fourth cavity is arranged at the bottom of the first plate, second plates, third plates and fourth plates; the lower substrate is a SOI substrate under An insulating layer is etched to the SOI substrate on the lower surface of the base to form a pressure chamber. The invention can be applied to high-precision pressure measurement in a large range of procedures.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容式压力传感器,尤其是一种高精度的电容式压力传感器。
技术介绍
随着MEMS技术的发展,压力传感器有了越来越广泛的市场,应用在汽车控制、医疗、环境监测等各个领域对气体、液体、蒸汽进行压力测量和控制。目前,市场主流的压力传感器有压阻式压力传感器和电容式压力传感器两种。压阻式压力传感器固有的较大的温度漂移特性,使其在温度变化范围很大的应用领域有很大的局限性。电容式压力传感器具有接近于零的温度系数,此外,它还具有高灵敏度、低功耗、较大的动态响应范围等显著优点。压力传感器受力的极板由于与待测压力接触,裸露在器件外侧,易受周围环境影响,对其测量结果产生一些影响。另外,现有MEMS电容式压力传感器的制造封装工艺通常较为复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种高精度的电容式压力传感器,该压力传感器能精确检测压力变化。按照本专利技术提供的技术方案,所述高精度的电容式压力传感器,包括上基底和下基底,其特征是:在所述上基底的下表面依次设置SiO2绝缘层和上极板,下基底的上表面与上基底下表面的上极板接触;所述下基底上表面的左侧分别设置第一凸起部、第二凸起部和第三凸起部,在下基底上表面的右侧分别设置第四凸起部和第五凸起部,第一凸起部和第二凸起部之间形成第一空腔,第二凸起部和第三凸起部之间形成第二空腔,第三凸起部和第四凸起部之间形成第三空腔,第四凸起部和第五凸起部之间形成第四空腔;所述第一凸起部、第二凸起部、第三凸起部、第四凸起部和第五凸起部的上表面与上基底下表面的上 ...
【技术保护点】
一种高精度的电容式压力传感器,包括上基底(100)和下基底(200),其特征是:在所述上基底(100)的下表面依次设置SiO2绝缘层(101)和上极板(102),下基底(200)的上表面与上基底(100)下表面的上极板(102)接触;所述下基底(200)上表面的左侧分别设置第一凸起部(201)、第二凸起部(202)和第三凸起部(203),在下基底(200)上表面的右侧分别设置第四凸起部(204)和第五凸起部(205),第一凸起部(201)和第二凸起部(202)之间形成第一空腔(301),第二凸起部(202)和第三凸起部(203)之间形成第二空腔(302),第三凸起部(203)和第四凸起部(204)之间形成第三空腔(303),第四凸起部(204)和第五凸起部(205)之间形成第四空腔(304);所述第一凸起部(201)、第二凸起部(202)、第三凸起部(203)、第四凸起部(204)和第五凸起部(205)的上表面与上基底(100)下表面的上极板(102)接触;在所述第一空腔(301)、第二空腔(302)、第三空腔(303)和第四空腔(304)的底部分别设置第一下极板(404)、第二下极板 ...
【技术特征摘要】
1.一种高精度的电容式压力传感器,包括上基底(100)和下基底(200),其特征是:在所述上基底(100)的下表面依次设置SiO2绝缘层(101)和上极板(102),下基底(200)的上表面与上基底(100)下表面的上极板(102)接触;所述下基底(200)上表面的左侧分别设置第一凸起部(201)、第二凸起部(202)和第三凸起部(203),在下基底(200)上表面的右侧分别设置第四凸起部(204)和第五凸起部(205),第一凸起部(201)和第二凸起部(202)之间形成第一空腔(301),第二凸起部(202)和第三凸起部(203)之间形成第二空腔(302),第三凸起部(203)和第四凸起部(204)之间形成第三空腔(303),第四凸起部(204)和第五凸起部(205)之间形成第四空腔(304);所述第一凸起部(201)、第二凸起部(202)、第三凸起部(203)、第四凸起部(204)和第五凸起...
【专利技术属性】
技术研发人员:张海苗,欧文,明安杰,
申请(专利权)人:江苏物联网研究发展中心,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。