一种横向高压器件制造技术

本发明专利技术提供一种横向高压器件，包括介质槽区域，介质槽区域包括下部分的介质槽区和上部分的低K介质槽，还包括介质层、体场板、多晶硅栅、栅下氧化层、介质层、漏极接触电极、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、源极金属、P型重掺杂区，P阱区，介质槽区域的两侧和底部分别设有第一、第二、第三N型掺杂条构成的导电通路，导电通路的两侧分别有P型掺杂区，导电通路的底部为P型衬底；本发明专利技术通过在漂移区内引入介质槽区域，保持器件耐压的同时降低了器件表面面积，有效降低器件比导通电阻；在介质槽区上设低K介质槽，不同介电常数介质相交会引入新的电场峰值，进一步提高器件击穿电压。

Transverse high voltage device

The invention provides a lateral high voltage devices, including dielectric groove area, dielectric groove area includes dielectric groove area part and on the part of the low K dielectric groove, including dielectric layer, field plate, polysilicon gate, gate oxide layer, a dielectric layer, a drain contact electrode, a first N type heavily doped region second, N type heavily doped region, source metal, P doped, P well region, medium trough region of the sides and bottom are respectively provided with a first, second, third N type doping of a conductive path, on both sides of the conductive path respectively P type doping area at the bottom of the conductive path type P substrate the present invention; by introducing medium trough region within the drift region, maintain the breakdown voltage of the device is reduced and the surface area, effectively reduce the device conduction resistance; low K dielectric groove is arranged in the medium groove area, different dielectric constant at the introduction of The new peak electric field further improves the breakdown voltage of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种横向高压器件
本专利技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种横向高压器件。
技术介绍
横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LateralDouble-diffusedMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，LDMOSFET)作为功率集成电路(PowerIntegratedCircuit，PIC)中的核心器件，具有易集成、驱动功率小、负温度系数等优点，多年来一直朝着高击穿电压(BreakdownVoltage，BV)和低比导通电阻(SpecificOn-Resistance，Ron,sp)的方向发展。较高的击穿电压需要器件具有较长的漂移区长度和较低的漂移区掺杂浓度，这导致器件具有较高的导通电阻。击穿电压和比导通电阻之间的这一矛盾关系，就是困扰业界的“硅极限”问题。为了缓解这一矛盾，使器件同时具有高耐压与低比导通电阻，研究者在LDMOS横向漂移区中引入了介质槽。介质槽可以承受大部分横向耐压的同时缩短器件横向尺寸，大幅度降低芯片的面积。但是传统的介质槽LDMOS其比导通电阻仍然较大，未能进一步缓解耐压与比导通电阻的矛盾。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向高压器件，其特征在于，包括介质槽区域，介质槽区域包括下部分的介质槽区(2)和上部分的低K介质槽(55)，介质槽区域上方是介质层(22)，体场板(53)从器件上表面延伸到介质槽区域的内部，体场板(53)临接多晶硅栅(52)，多晶硅栅(52)下方是栅下氧化层(21)，源极金属(51)和多晶硅栅(52)通过介质层(22)隔离，体场板(53)和漏极接触电极(54)通过介质层(22)隔离，漏极接触电极(54)下面是第二N型重掺杂区(35)，源极金属(51)下面是相邻的P型重掺杂区(41)和第一N型重掺杂区(31)，P型重掺杂区(41)和第一N型重掺杂区(31)位于P阱区(42)的内部上方，栅下氧...

【技术特征摘要】
1.一种横向高压器件，其特征在于，包括介质槽区域，介质槽区域包括下部分的介质槽区(2)和上部分的低K介质槽(55)，介质槽区域上方是介质层(22)，体场板(53)从器件上表面延伸到介质槽区域的内部，体场板(53)临接多晶硅栅(52)，多晶硅栅(52)下方是栅下氧化层(21)，源极金属(51)和多晶硅栅(52)通过介质层(22)隔离，体场板(53)和漏极接触电极(54)通过介质层(22)隔离，漏极接触电极(54)下面是第二N型重掺杂区(35)，源极金属(51)下面是相邻的P型重掺杂区(41)和第一N型重掺杂区(31)，P型重掺杂区(41)和第一N型重掺杂区(31)位于P阱区(42)的内部上方，栅下氧化层(21)位于P阱区(42)的上方，介质槽区域的两侧和底部分别设有第一N型掺杂条(32)、第二N型掺杂条(33)、第三N型掺杂条(34)构成的导电通路，导电通路的两侧为P型掺杂区(43)，导电通路的底部为P型衬底(1)。2.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：介质槽区域从上到下分成多个不同介电常数的介质区，各介质区的介电常数从上到下依次提高。3.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于：多晶硅栅(52)和栅下氧化层(21)构成槽栅，此时源极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，余洋，章文通，王正康，詹珍雅，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51