一种积累型的深槽超结DMOS器件制造技术

本发明专利技术属于半导体功率器件技术领域，涉及一种积累型的深槽超结DMOS器件。本发明专利技术的一种积累型的深槽超结DMOS器件，其特征在于通过在超结DMOS器件中引入深槽结构，并在深槽结构中引入正电荷柱区，正向导通时在N柱中形成积累层，为超结DMOS器件中多子电流的流动提供了一条低阻通路，大大减小了器件的导通电阻；并且该发明专利技术采用较薄的栅氧化层，使器件具有较小的阈值电压。

An accumulation type deep groove over junction DMOS device

The invention belongs to the technical field of semiconductor power devices, and relates to an accumulation type deep groove over junction DMOS device. A deep groove type accumulation of the invention of the super junction DMOS device, characterized by the super junction DMOS device in the deep trench structure, and the introduction of positive charge column in deep groove structure, positive conduction is formed on the N column in the accumulation layer, for the current multi super junction DMOS device in flow provides a low impedance path, greatly reduces the on resistance of the device; and the invention of the gate oxide layer is thin, the device has low threshold voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种积累型的深槽超结DMOS器件
本专利技术属于半导体功率器件
，涉及一种积累型的深槽超结DMOS器件。
技术介绍
功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorField-EffectTransistor)的两个关键参数是击穿电压BV和导通电阻Ron。由于MOSFET器件属于单级型器件，其击穿电压与漂移区厚度和漂移区掺杂浓度有关，高的击穿电压需要厚的漂移区和低的漂移区掺杂浓度，这会使得其导通电阻Ron增加。导通电阻Ron和耐压BV之间存在关系：Ron∝BV2.5，即硅极限。因此，随着器件耐压增加，导通电阻成指数增长趋势，功耗大大增加。特别地，在典型的高压MOSFET器件中，器件的导通电阻主要由漂移区电阻决定。因此在保持器件击穿电压性能的同时，降低漂移区电阻，进而降低导通电阻具有重要的意义。因此，在传统MOSFET结构的基础上，出现了一些改进结构。陈星弼院士等提出了超结结构，超结MOSFET是在传统MOSFET的漂移区中引入交替排列的P柱区，横向电场的引入使得纵向电场因二维电场效应由三角形(或者梯形分布)分布变为矩形分布，从而提高击穿电压，打破了硅极限，使导通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积累型的深槽超结DMOS器件，包括金属化漏极(1)、N+衬底(2)、P柱(3)、N柱(4)、金属化源极(15)、P型体区(5)、N+源区(6)和P+接触区(7)；其中，金属化漏极(1)位于N+衬底(2)下表面；P柱(3)和N柱(4)位于N+衬底(2)上表面；N柱(4)位于P柱(3)两侧，并与P柱(3)形成超结结构；所述P型体区(5)位于P柱(3)和N柱(4)的上表面，所述N+源区(6)位于P型体区(5)的正上方并与P型体区(5)接触，N+源区(6)的上表面与金属化源极(15)接触；所述P+接触区(7)位于P型体区(5)的正上方并与P型体区(5)接触，P+接触区(7)的上表面与金属化源极(1...

【技术特征摘要】
1.一种积累型的深槽超结DMOS器件，包括金属化漏极(1)、N+衬底(2)、P柱(3)、N柱(4)、金属化源极(15)、P型体区(5)、N+源区(6)和P+接触区(7)；其中，金属化漏极(1)位于N+衬底(2)下表面；P柱(3)和N柱(4)位于N+衬底(2)上表面；N柱(4)位于P柱(3)两侧，并与P柱(3)形成超结结构；所述P型体区(5)位于P柱(3)和N柱(4)的上表面，所述N+源区(6)位于P型体区(5)的正上方并与P型体区(5)接触，N+源区(6)的上表面与金属化源极(15)接触；所述P+接触区(7)位于P型体区(5)的正上方并与P型体区(5)接触，P+接触区(7)的上表面与金属化源极(15)接触；其特征在于，还包括深槽结构(8)，所述深槽结构(8)沿金属化源极(15)下表面从上至下依次贯穿N+源区(6)、P型体区(5)和P柱(3)延伸至N+衬底(2)的上表面；所述深槽结构(8)中从下至上依次填充有厚绝缘介质(11)、第一隔离介质(12)、栅氧化层(13)和第二隔离介质(14)；其中，在所述厚绝缘介质(11)中具有电荷柱区(10)，在所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，罗蕾，杨梦琦，谢驰，李佳驹，任敏，高巍，张金平，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51