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本发明提供一种横向高压器件，包括介质槽区域，介质槽区域包括下部分的介质槽区和上部分的低K介质槽，还包括介质层、体场板、多晶硅栅、栅下氧化层、介质层、漏极接触电极、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、源极金属、P型重掺杂区，P阱区，介质槽区域...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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