具有高真空的场发射X射线管制造技术

技术编号:16271636 阅读:63 留言:0更新日期:2017-09-22 23:14
本发明专利技术公开了一种具有高真空的场发射X射线管。所述具有高真空的场发射X射线管包括真空罩体和气体吸附薄膜,所述真空罩体内的一端设有阴极场发射组件,所述真空罩体的另一端设有阳极靶,所述阴极场发射组件内设有用于场发射的碳纳米材料,所述碳纳米材料与所述阴极场发射组件电性连接,所述气体吸附薄膜设在阴极场发射组件表面和/或阳极靶表面,所述阴极场发射组件和阳极靶均设有针脚,所述阴极场发射组件和阳极靶的针脚部分位于真空罩体外。本发明专利技术具有高真空的场发射X射线管使用寿命长。

Field emission X ray tube with high vacuum

A field emission X ray tube having a high vacuum is disclosed. The high vacuum field emission X ray tube comprises a vacuum hood and gas adsorption film, in the end of the vacuum cover is provided with a field emission cathode assembly, the vacuum cover is arranged at the other end of the anode, the cathode field emission component is used for the field emission of carbon nano materials, the carbon nano materials and the cathode field emission component is electrically connected with the gas adsorption film on cathode surface components and / or the anode surface, the cathode and anode components are equipped with pin, pin portion of the cathode and anode component in vacuum cover in vitro. The invention has high vacuum field emission X ray tube and has long service life.

【技术实现步骤摘要】
具有高真空的场发射X射线管
本专利技术涉及场发射X射线管
,特别是涉及一种具有高真空的场发射X射线管。
技术介绍
在碳纳米材料场发射X射线管工作过程中,阴极场发射在电场的辅助下发射大量的电子,经由高压电场的加速作用,电子以高速撞击由阳极靶金属由于材料在高能量的电子轰击下,电子的能量会转给靶材原子,其中大部分能量转换成热能,使靶材局部区域的温度提高,仅有小部分能量转换成X射线。如果电流太大,或是管球发射工作时间累积热量高,会使阳极靶材料直接地从固体转到气体(升华),这种蒸发迅速降低管子内部超高真空的纯度。超高真空失纯的结果导致是X射线管不能经受住阴极电子流和阳极靶之间高电压差。X射线管开始短路,或发生电弧,进而蒸发更多的气体,依次降低更多的真空纯度,并最终导致X射线管不能再运行。另外由于碳纳米材料在成长过中,可能会存有大量的氢气、水气、氧气等,在高真空的管球内逐渐释放出这些气体,造成真空度下降。所以阳极靶材的升华与阴极纳米材料储存气体的释放,都会降低X射线管的真空度与使用寿命。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种使用寿命长的具有高真空的场发射X射线管。为解决上述问题,本文档来自技高网...
具有高真空的场发射X射线管

【技术保护点】
一种具有高真空的场发射X射线管,其特征在于:包括真空罩体和气体吸附薄膜,所述真空罩体内的一端设有阴极场发射组件,所述真空罩体的另一端设有阳极靶,所述阴极场发射组件内设有用于场发射的碳纳米材料,所述碳纳米材料与所述阴极场发射组件电性连接,所述气体吸附薄膜设在阴极场发射组件表面和/或阳极靶表面,所述阴极场发射组件和阳极靶均设有针脚,所述阴极场发射组件和阳极靶的针脚部分位于真空罩体外。

【技术特征摘要】
1.一种具有高真空的场发射X射线管,其特征在于:包括真空罩体和气体吸附薄膜,所述真空罩体内的一端设有阴极场发射组件,所述真空罩体的另一端设有阳极靶,所述阴极场发射组件内设有用于场发射的碳纳米材料,所述碳纳米材料与所述阴极场发射组件电性连接,所述气体吸附薄膜设在阴极场发射组件表面和/或阳极靶表面,所述阴极场发射组件和阳极靶均设有针脚,所述阴极场发射组件和阳极靶的针脚部分位于真空罩体外。2.如权利要求1所述的具有高真空的场发射X射线管,其特征在于:所述气体吸附薄膜为金属复合物薄膜。3.如权利要求2所述的具有高真空的场发射X射线管,其特征在于:所述气体吸附薄膜为含Ni或Zr的金...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄世耀林及人
申请(专利权)人:重庆涌阳光电有限公司
类型:发明
国别省市:重庆,50

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