抗蚀剂剥离液组合物及利用其的抗蚀剂的剥离方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂剥离液组合物及利用其的抗蚀剂的剥离方法，根据本发明专利技术的抗蚀剂剥离液组合物的特征在于，包含：下述化学式1所表示的化合物、非质子有机化合物、伯醇类化合物和有机碱化合物。下述化学式1中，R为碳原子数4～12的烃基。化学式1

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂剥离液组合物及利用其的抗蚀剂的剥离方法
本专利技术涉及用于剥离抗蚀剂的抗蚀剂剥离液组合物及利用其的抗蚀剂的剥离方法。
技术介绍
近年来，随着电子设备的小型化，半导体元件的高集成化和多层化正在迅速发展，由此进行光致抗蚀剂(photoresist，PR)图案的微细化，需要用于稳定地形成0.5μm以下的微细电路的技术。半导体元件或液晶显示元件的微细电路通过光刻(photolithography)工序来实现。光刻工序如下进行：在形成于基板上的铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等导电性金属膜、或者氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘膜上均匀地涂布光致抗蚀剂，对其选择性地进行曝光、显影处理，形成光致抗蚀剂图案，然后将图案化的光致抗蚀剂膜作为掩模，对上述导电性金属膜或绝缘膜进行湿式或干式蚀刻，将微细电路图案转印到光致抗蚀剂下部层后，用剥离液(stripper)除去不需要的光致抗蚀剂层。作为光致抗蚀剂的剥离方法，采用利用剥离液的湿式剥离法，此时使用的剥离液需要从根本上能够完全剥离作为除去对象物的光致抗蚀剂，并且不得在清洗(rinse)后在基板上留下残留物。此外，需要具有不损伤光致抗蚀剂下部层的金属膜或绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含下述化学式1所表示的化合物、非质子有机化合物、伯醇类化合物和有机碱化合物：化学式1

【技术特征摘要】
2016.03.15 KR 10-2016-00307141.一种抗蚀剂剥离液组合物，其包含下述化学式1所表示的化合物、非质子有机化合物、伯醇类化合物和有机碱化合物：化学式1化学式1中，R为碳原子数4～12的烃基。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，所述化学式1所表示的化合物为选自由5-丁基-1H-苯并三唑、5-己基-1H-苯并三唑、4-正辛基苯并三唑、5-正辛基苯并三唑和5-十二烷基-1H-苯并三唑组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，相对于全部所述抗蚀剂剥离液组合物100重量％包含所述化学式1所表示的化合物0.001～5重量％。4.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液组合物，相对于全部所述抗蚀剂剥离液组合物100重量％包含所述非质子有机化合物40～95重...

【专利技术属性】
技术研发人员：李喻珍，高京俊，崔汉永，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR