一种基于层状钴氧化物的低温测温元件制造技术

本发明专利技术公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜；本发明专利技术测温元件在0℃~‑200℃下电阻温度系数大，电阻温度关系线性好，物理化学性能稳定、成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
一种基于层状钴氧化物的低温测温元件
本专利技术涉及一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，属于探测设备

技术介绍
目前针对-100℃及以下低温的精确测量，工业上最广泛应用的测温元件是Pt100，即纯度≥99.9995%的铂热电阻，这主要由于Pt有较高的电阻温度系数(TCR)~0.374%(0℃)，使其探测灵敏度高，且其在低温范围内电阻值与温度近似为线性关系，便于分度和读数。但其仍有众多不足，例如：Pt在还原性气氛中易被还原污染、变脆，必须用保护套管隔离有害气氛；电阻率较小，ρ(0℃)仅为9.8×10-3mΩcm，使在输出相同电压信号下的热电阻体积大，导致其热容量和热惯性大，对温度波动的响应较慢；地球储量小，价格高昂。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，其特征在于，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，其特征在于，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜。2.根据权利要求1所述基于层状钴氧化物的低温测温元件，其特征在于，所述单晶基底为00l取向的SrTiO3、LaAlO3或(LaxSr1-x)(AlyTa1-y)O3,(LaxSr1-x)(AlyTa1-y)O3中0.1≤x≤0.5，0.5≤y≤0.7。3.根据权利要求1所述基于层状钴氧化物的低温测温元件，其特征在于，所述金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ的材料相同，为Ag、Cu、In或Pt，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ之间的间距为1-5mm。4.根据权利要求1所述基于层状钴氧化物的低温测温元件，其特征在于，所述导线Ⅰ、导线Ⅱ所用材料相同，为Ag或Cu导线，导线Ⅰ、导线Ⅱ的直径为0.05-0.2mm。5.根据权利要求1所述基于层状钴氧化物的低温测温元件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋世金，虞澜，胡建力，崔凯，黄杰，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53