磁传感器及其制造方法技术

提供磁传感器及其制造方法。磁传感器具备：在表面具备霍尔元件的半导体衬底；设在半导体衬底的背面上的粘接层；以及设在粘接层上的磁会聚板。磁会聚板通过电解镀形成在与半导体衬底另行准备的镀敷用衬底上形成的基底导电层上，将成为上述粘接层的粘接剂涂敷在磁会聚板表面而粘接在半导体衬底背面，然后从磁会聚板上的基底导电层剥离镀敷用衬底而形成在半导体衬底的背面上。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器及其制造方法
本专利技术涉及使用霍尔元件的磁传感器及其制造方法，特别涉及具备磁会聚板、探测垂直及水平方向的磁场的磁传感器及其制造方法。
技术介绍
霍尔元件作为磁传感器能够以非接触方式进行位置探测或角度探测，因此用于各种用途。首先，对霍尔元件的磁检测原理进行说明。若对物质中流过的电流施加垂直的磁场则在与该电流和磁场两者垂直的方向产生电场（霍尔电压）。因此，一般的霍尔元件中，使电流流过硅等的半导体衬底（晶圆）表面而检测垂直的磁场分量。进而，已知与利用具有高导磁率的材料制作的磁性体薄膜组合、并将磁性体薄膜用作为改变磁通的朝向而向霍尔元件引导的磁会聚板，从而不仅能检测出垂直方向磁场，还能检测出水平方向磁场（例如，参照专利文献1）。具备磁会聚板的磁传感器，例如，能够通过在硅衬底形成霍尔元件后，利用电解镀来在硅衬底上形成磁会聚板、或者在硅衬底的表面形成聚酰亚胺等的保护膜，并利用电解镀来在该保护膜上形成磁会聚板而制作（例如，参照专利文献2）。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002－071381号公报专利文献2：国际公开第WO07/119569号。
技术实现思路
专利技术要解决的课题在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器，其中具备：在表面具备霍尔元件的半导体衬底；设在所述半导体衬底的背面上的粘接层；以及设在所述粘接层上的磁会聚板。

【技术特征摘要】
2016.03.15 JP 2016-0514981.一种磁传感器，其中具备：在表面具备霍尔元件的半导体衬底；设在所述半导体衬底的背面上的粘接层；以及设在所述粘接层上的磁会聚板。2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：还具备设在所述磁会聚板的与所述粘接层相反侧的表面上的导电层。3.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述半导体衬底的厚度为100～400μm。4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于：所述磁会聚板的厚度为20～50μm。5.一种磁传感器的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底的表面形成霍尔元件的工序；在镀敷用衬底上形成基底导电层的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞冈孝明，海老原美香，高桥宽，岸松雄，高浜未英，
申请(专利权)人：精工半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP