The present invention provides a hollow molecularly imprinted polymer phenylboronic acid modified and extraction column of the polymer made by the synthetic method of the polymer to 3 3-Aminophenylboronic acid as modifier, the chemical modification of methyl methacrylate monomer, with uridine as template, methacrylic acid as functional monomer modified, adding matrix, crosslinking agent and initiator for the preparation of molecularly imprinted materials of molecularly imprinted materials prepared by eluting the template and using hydrofluoric acid etched substrate, prepared hollow molecularly imprinted polymer. The invention provides a boron hollow molecular imprinting solid-phase affinity is mainly due to the selective adsorption, molecular imprinting of the template molecule and structural analogues and hollow molecular imprinting most binding site distribution cavity on the surface of a carrier substrate material and in improving the adsorption efficiency, in addition, the CIS nucleosides containing boronic acid glycol type structure. The adsorption and dissociation of reversible, so it has obvious effect on the enrichment of nucleosides.
【技术实现步骤摘要】
中空分子印迹聚合物、固相萃取柱及其制备方法和应用
本专利技术属于固相萃取
,特别涉及一种苯硼酸修饰的中空分子印迹固相萃取柱的制备方法及使用方法,并和高效液相色谱方法结合用于选择性分离、富集及检测药品中的核苷类物质的含量。
技术介绍
分子印迹技术是指采用人工方法制备在空间结构和结合位点上对特定分子有专一性结合作用的聚合物技术。分子印迹聚合物(Molecularlyimprintedpolymers,MIPs)是通过模板分子、功能单体和交联剂三者之间相互作用而合成的一种具有三维空间结构的“受体”,对模板分子具有独特的“记忆”功能,因而表现出特殊的亲和性、高度的选择性以及卓越的分子识别能力。尽管如此,分子印迹聚合物在其制备过程中仍存在印迹位点分布不均一、“包埋”过深,不利洗脱等问题,为了解决这些问题,一些新型的分子印迹材料相继发展起来。中空分子印迹(Hollowmolecularlyimprintedpolymers,h-MIPs)技术作为一种新型分子印迹技术,是在表面分子印迹技术的基础上,通过化学溶解或刻蚀的方法,去除载体基质,得到具有中空结构的聚合物,这种新型制备技术制得的聚合物使大部分结合位点分布在载体基质材料表面上,有利于模板分子的洗脱和目标物的再结合,有效的解决了在分子印迹技术发展过程中出现的印迹位点分布不均一、“包埋”过深,不利洗脱等问题,同时又减小了聚合物内部存在扩散阻力,提高印迹材料吸附分离效率,因而被广泛应用于固相萃取等方面。硼酸化学法是利用硼酸基团在碱性水溶液中可以与顺式二醇类物质,如核苷类物质所含的顺式邻位或间位羟基发生可逆反应形成环 ...
【技术保护点】
一种苯硼酸修饰的中空分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:以3‑氨基苯硼酸为修饰剂,对甲基丙烯酸单体进行化学修饰,使得甲基丙烯酸表面修饰有对核苷具有硼亲和作用的苯硼酸结构,所述甲基丙烯酸单体和3‑氨基苯硼酸的物质的量比1:1~3;S2:以介孔分子筛MCM‑48为基质,具有顺式二醇结构的尿苷为模板,S1制得的表面修饰有苯硼酸结构的甲基丙烯酸作为功能单体,加入交联剂和引发剂制备分子印迹材料,对制得的分子印迹材料进行洗脱模板,并采用氢氟酸腐蚀掉基质介孔分子筛MCM‑48,制得中空分子印迹聚合物;其中,模板、功能单体、交联剂、引发剂的物质的量之比为:2.5~4:10:40~100:0.6~5,每1g基质中添加的功能单体为1.5~5mmol。
【技术特征摘要】
1.一种苯硼酸修饰的中空分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:以3-氨基苯硼酸为修饰剂,对甲基丙烯酸单体进行化学修饰,使得甲基丙烯酸表面修饰有对核苷具有硼亲和作用的苯硼酸结构,所述甲基丙烯酸单体和3-氨基苯硼酸的物质的量比1:1~3;S2:以介孔分子筛MCM-48为基质,具有顺式二醇结构的尿苷为模板,S1制得的表面修饰有苯硼酸结构的甲基丙烯酸作为功能单体,加入交联剂和引发剂制备分子印迹材料,对制得的分子印迹材料进行洗脱模板,并采用氢氟酸腐蚀掉基质介孔分子筛MCM-48,制得中空分子印迹聚合物;其中,模板、功能单体、交联剂、引发剂的物质的量之比为:2.5~4:10:40~100:0.6~5,每1g基质中添加的功能单体为1.5~5mmol。2.根据权利要求1所述的苯硼酸修饰的中空分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,所述介孔分子筛MCM-48是以正硅酸乙酯为硅源,以十六烷基三甲基溴化胺为活性剂,采用水热合成法合成得到的。3.根据权利要求1所述的苯硼酸修饰的中空分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,所述交联剂为二甲基丙烯酸乙二醇酯,所述引发剂为偶氮二异丁腈。4.根据权利要求1所述的苯硼酸修饰的中空分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,S1的具体过程为:将甲基丙烯酸单体与3-氨基苯硼酸按照物质的量比为1:1~3的比例混合,溶解于乙腈中,室温下搅拌12~18h,得到表面修饰有苯硼酸结构的甲基丙烯酸。5.根据权利要求2所述的苯硼酸修饰的中空分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,S2的具体过程为:向表面修饰有苯硼酸结构的甲基丙烯酸中加入模板尿苷,静置4~6h;依次加入交联剂二甲基丙烯酸乙二醇酯和引发剂偶氮二异丁腈,使模板、功能单体、交联剂和引发剂的物质的量之比为:2.5~4:10:40~100:0.6~5,通N210~30min,40~80℃下搅拌1~2h;之后,向体系中加入介孔分子筛MCM-48,...
【专利技术属性】
技术研发人员:田苗苗,胡月,黄玮,佟育奎,夏琴飞,
申请(专利权)人:哈尔滨师范大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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