存储器件及其操作方法技术

本发明专利技术的实施例公开了一种包括驱动器、汇集器、存储器列、参考列、参考电阻器和感测单位的存储器件。驱动器和汇集器中的至少一个具有可调式电阻。为了写入操作，基于其中的存储器列中的行位置导通电阻式存储单元中的一个，驱动器提供从其中流过的写入电流，以及基于行位置调整可调式电阻。为了读取操作，当导通电阻式存储单元中的一个和位置上对应的一个参考位单元时，感测单位感测存储器列的读取电流以及参考列和参考电阻器的参考电流。本发明专利技术的实施例还提供了一种存储器件的操作方法。

Memory device and operation method thereof

Embodiments of the present invention disclose a memory device including a driver, a collector, a memory column, a reference column, a reference resistor, and a sensing unit. At least one of the drive and collector has an adjustable resistor. For write operations, one of the resistive memory cells is provided based on the row position in the memory column in the memory column, the driver provides the write current flowing through it, and the adjustable resistor based on the row position. In order to read operation, when the conduction position of a resistive memory cell and a corresponding reference bit unit, sensor unit sensing memory column read current and the reference current reference and reference resistor. Embodiments of the present invention also provide an operation method for a memory device.

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其操作方法
本专利技术的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及存储器件及其操作方法。
技术介绍
例如，由于包括高稳定性、高可靠性、简单结构、以及与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的兼容性的性能，电阻式存储器件已经被广泛地应用。电阻式存储器件是能够通过施加具有不同极性和电平的电压以改变电阻材料的电阻来存储数据的存储器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种存储器件，包括：驱动器；汇集器，其中，所述驱动器和所述汇集器中的至少一个具有可调式电阻；存储器列，包括每个分别通过第一线和第二线在所述驱动器和所述汇集器之间电连接的多个电阻式存储单元；当基于反映在所述存储器列中的所述导通的电阻式存储单元的行位置的地址解码信息，导通所述电阻式存储单元中的一个时，所述驱动器配置为向所述汇集器提供流经所述第一线、所述导通的电阻式存储单元和所述第二线的写入电流，并且基于所述行位置调整所述可调式电阻。本专利技术的实施例还提供了一种存储器件，包括：存储器列，包括多个电阻式存储单元；参考列，包括多个参考位单元；参考电阻器，配置为具有在所述电阻式存储单元的高状态电阻和低状态电阻之间的参考电阻并且电连接至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：驱动器；汇集器，其中，所述驱动器和所述汇集器中的至少一个具有可调式电阻；存储器列，包括每个分别通过第一线和第二线在所述驱动器和所述汇集器之间电连接的多个电阻式存储单元；当基于反映在所述存储器列中的所述导通的电阻式存储单元的行位置的地址解码信息，导通所述电阻式存储单元中的一个时，所述驱动器配置为向所述汇集器提供流经所述第一线、所述导通的电阻式存储单元和所述第二线的写入电流，并且基于所述行位置调整所述可调式电阻。

【技术特征摘要】
2016.03.09 US 15/065,7871.一种存储器件，包括：驱动器；汇集器，其中，所述驱动器和所述汇集器中的至少一个具有可调式电阻；存储器列，包括每个分别通过第一线和第二线在所述驱动器和所述汇集器之间电连接的多个电阻式存储单元；当基于反映在所述存储器列中的所述导通的电阻式存储单元的行位置的地址解码信息，导通所述电阻式存储单元中的一个时，所述驱动器配置为向所述汇集器提供流经所述第一线、所述导通的电阻式存储单元和所述第二线的写入电流，并且基于所述行位置调整所述可调式电阻。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一线和所述第二线中的一个是位线，所述第一线和所述第二线中的另一个是源极线并且根据来自基于所述地址解码信息生成的字线的控制信号控制每个所述电阻式存储单元以被导通。3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述汇集器包括具有所述可调式电阻的多个并联连接的电阻式单位，从而当所述列中的所述导通的电阻式存储单元的所述行位置越靠近所述驱动器时，越多数量的所述电阻式单位被控制以导通从而具有更低的电阻。4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述汇集器包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管、金属电阻器、多晶硅电阻器或以上的组合。5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述驱动器包括具有所述可调式电阻的多个并联连接的电阻式单位，从而当所述列中的所述导通的电阻式存储单元的所述行位置越靠近所述驱动器时，越少数量的所述电阻式单位被控制以导通从而具有更高的电阻。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹宗成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71