The invention provides an internal power supply circuit with clamp function, belonging to the technical field of semiconductor integrated circuit. The circuit includes a first diode D1, second D2, third D3 diode and fourth diode diode D4, fifth diode D5, the first NMOS transistor N1, the first PMOS transistor P1, the first and second resistance R1 resistance R2; thus NMOS transistor generates an internal power supply voltage VOUT the voltage series diode and transistor gate to control the NMOS the invention of the circuit, the PMOS transistor P1 and a resistor R2 is used to clamp the output voltage when the internal power supply, internal power supply output voltage is too high, the PMOS transistor P1 will conduct discharge, so it can prevent the output voltage is too high, to avoid its damage to the internal power supply as the low voltage circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种带钳位功能的内部电源产生电路
本专利技术属于半导体集成电路
,具体涉及一种带钳位功能的内部电源产生电路。
技术介绍
随着微电子技术的飞速发展,电源芯片在生活中起着越来越重要的作用。在电源芯片中,往往把高压的功率电路和低压的数字逻辑电路集成在同一芯片上,用以提高芯片的集成度。然而,功率电路需要一个高压的电源供电,而数字逻辑电路则需要一个低压的电源供电。这就使得在很多电源芯片中需要一个内部电源产生电路,它将外部的高压电源转换成一个低压电源,给数字逻辑电路供电。传统的内部电源产生电路如图1所示,包括基准电压产生模块、运算放大器AMP1、第一电阻R1和第二电阻R2;基准电压产生模块产生一个不随电源电压和温度变化的基准电压VREF,基准电压VREF作为运算放大器AMP1的正输入端;运算放大器AMP1的负输入端接第一电阻R1和第二电阻R2的一端;第二电阻R2的另一端接地;第一电阻R1的另一端接运算放大器的输出端;运算放大器的输出端也就是电路的输出端VOUT,即产生的内部电源。传统的内部电源产生电路需要一个基准电压产生模块,同时还需要一个运算放大器构成的负反馈环路,具 ...
【技术保护点】
一种带钳位功能的内部电源产生电路,其特征在于,包括:第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第一NMOS晶体管N1、第一PMOS晶体管P1、第一电阻R1和第二电阻R2;第一电阻R1的一端接电源,另一端接第一NMOS晶体管N1的栅极和第一二极管D1的正端;第一二极管D1的负端接第一PMOS晶体管P1的栅极和第二二极管D2的正端;第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5串联相接,第五二极管D5的负端接地;第一NMOS晶体管N1的漏极接电源,源极接输出端VOUT;第一PMOS晶体管P1的源极接输出端VOUT,漏极接第二 ...
【技术特征摘要】
1.一种带钳位功能的内部电源产生电路,其特征在于,包括:第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第一NMOS晶体管N1、第一PMOS晶体管P1、第一电阻R1和第二电阻R2;第一电阻R1的一端接电源,另一端接第一NMOS晶体管N1的栅极和第一二极管D1的正端;第一二极管D1的负端接第一PM...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:长沙方星腾电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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