一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸
A semiconductor device, a method for producing the same, and an electronic device
The invention relates to a semiconductor device and a preparation method thereof and an electronic device. The semiconductor device includes a semiconductor substrate; an insulating layer located above the semiconductor substrate to cover the semiconductor substrate, wherein, the insulating layer includes a good conductor of heat; fin, conductor is positioned in the heat on. The insulating layer can not only play the role of insulation, but also will be a very good device heat transfer out, and avoid the device at the bottom of the self heating effect, improves the performance of the semiconductor device and yield.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，为了提高器件的性能，需要不断缩小集成电路器件的尺寸，随着CMOS器件尺寸的不断缩小，促进了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，所述FinFET器件在沟道控制以及降低短沟道效应等方面具有更加优越的性能；平面栅极结构设置于所述沟道上方，而在FinFET中所述栅极环绕所述鳍片设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。通常FinFET器件包括衬底(例如绝缘体上硅(SOI))，位于衬底上的至少一个鳍片，其中所述鳍片包括一种材料，其中在所述鳍片上形成有L形的围绕所述鳍片的绝缘层，其中所述绝缘层的高度低于所述鳍片的高度，至少露出所述鳍片的部分侧壁，最后在所述鳍片上还形成有环绕所述鳍片的栅极结构。所述FinFET器件虽然具有上述各种优点，但是也存在一些弊端，例如存在漏电流以及自加热效应(Self-HeatingEffect)等，严重影响FinFET器件的性能和良率...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上方，以覆盖所述半导体衬底，其中，所述绝缘层包括热的良导体；鳍片，位于所述热的良导体上。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上方，以覆盖所述半导体衬底，其中，所述绝缘层包括热的良导体；鳍片，位于所述热的良导体上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括氮化硼层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括水平部分和竖直部分；其中，所述水平部分位于所述半导体衬底上方，所述竖直部分呈柱形结构并相互间隔的插入所述半导体衬底中，所述竖直部分的一端与所述水平部分相连接。4.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有热的良导体的绝缘层，以覆盖所述半导体衬底；在所述热的良导体的所述绝缘层上形成半导体材料层，以覆盖所述绝缘层；图案化所述半导体材料层，以形成鳍片。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热的良导体的绝缘层包括氮化硼层。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成热的良导体的所述绝缘层的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一介电层和第一绝缘层，所述第一绝缘层为热的良导体；图案化所述第一绝缘层、所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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