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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上方，以覆盖所述半导体衬底，其中，所述绝缘层包括热的良导体；鳍片，位于所述热的良导体上。本发明中所述绝缘层不仅能够起到绝缘的作用，还能...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。